技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例提供了一種微發(fā)光二極管生長襯底、顯示基板及制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該微發(fā)光二極管生長襯底所述生長襯底包括：襯底層，以及依次層疊設(shè)置于襯底層上的外延層、微發(fā)光二極管層、圖案化的電接觸層、犧牲層和穩(wěn)定化層；其中，圖案化的電接觸層包括陣列式排布的多個導(dǎo)電圖案；犧牲層包括位于導(dǎo)電圖案上的覆蓋部分，以及位于相鄰的兩導(dǎo)電圖案的縫隙間的填充部分，在陣列行方向上和/或列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案之間的填充部分上設(shè)置有一個或多個開口；穩(wěn)定化層具有填充于犧牲層的開口中的凸出部分。本發(fā)明實施例提供的生長襯底能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中轉(zhuǎn)移過程中微發(fā)光二極管的位置容易發(fā)生變化的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：遲霄;何澤尚;卞華鋒
受保護的技術(shù)使用者：上海天馬微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.27
技術(shù)公布日：2017.09.01