本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像傳感器的制備方法。

背景技術(shù)：

cis(cmosimagesensor，cmos圖像傳感器)屬于光電元器件，cis由于其制造工藝和現(xiàn)有集成電路制造工藝兼容，同時其性能比原有的電荷耦合器件(ccd)圖像傳感器有很多優(yōu)點，而逐漸成為圖像傳感器的主流。cmos圖像傳感器的白像素(whitepixel)是制約其性能、質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵因素之一，降低白像素一直是cis產(chǎn)品性能提升的一個重要方向。

由于位于cis產(chǎn)品像素區(qū)的sab(salicideblocklayer，自對準(zhǔn)硅化物阻擋層)與襯底中大面積的有源區(qū)(aa)表面直接接觸，阻擋層吸附了大量的電子，從而影響了像素區(qū)aa表面的像素性能。因此，為了防止阻擋層吸附大量的電子，目前cis器件的sab一般采取較為致密的pecvd(等離子體加強(qiáng)化學(xué)沉積)純氧化膜。

在pecvd沉積工藝中，會引入等離子體(plasma)，帶來的等離子體損傷(plasmadamage，pid)，從而容易造成硅氧表面形成大量的懸掛鍵。這些懸掛鍵的存在容易在cis產(chǎn)品工作時(即亮場情況下)吸附住光電子，參考圖1中所示，在襯底10中形成的源漏區(qū)11之間的溝道區(qū)域(柵極12下方區(qū)域)束縛電子，而在暗場情況下，這些光電子有可能被釋放，在cis產(chǎn)品表面形成漏電通道，這樣在暗場情況下，在輸出端也有可能檢測到一定的電流信號，讀出“dn”值，形成“白點”，即白像素。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供圖像傳感器的制備方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中圖像傳感器存在白點的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種圖像傳感器的制備方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

采用爐管工藝在所述半導(dǎo)體襯底上形成sab膜層；

對所述sab膜層進(jìn)行熱退火處理。

進(jìn)一步的，所述sab膜層為氧化硅層。

進(jìn)一步的，所述sab膜層的厚度為

進(jìn)一步的，所述爐管工藝制備所述sab膜層采用的溫度為500℃～600℃。

進(jìn)一步的，所述熱退火處理采用的溫度為500℃～800℃。

進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體襯底中具有源漏極及位于半導(dǎo)體襯底表面的柵極，所述sab膜層覆蓋所述源漏極及所述柵極。

進(jìn)一步的，還包括：

對所述sab膜層進(jìn)行圖形化，暴露出所述柵極和源漏極。

在暴露出的所述柵極和源漏極上形成自對準(zhǔn)金屬硅化物。

進(jìn)一步的，所述自對準(zhǔn)金屬硅化物為硅化鎢。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的圖像傳感器的制備方法具有以下有益效果：

本發(fā)明中，采用爐管工藝形成sab膜層，使用爐管工藝替代后，由于與硅表面有大面積接觸的sab膜層在制備過程中不存在等離子體損傷，硅表面形成懸掛鍵的概率大大降低，在cis工作時難以吸附住電子，在暗場情況下被檢測到電流信號的概率降低，不容易形成白點，白像素性能被大大提升。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中懸掛鍵束縛光電子的示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中圖像傳感器制備方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明一實施例中半導(dǎo)體襯底上形成sab膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例中圖形化sab膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一實施例中形成自對準(zhǔn)硅化物的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明的白像素性能的對比結(jié)果。

具體實施方式

下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的圖像傳感器的制備方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細(xì)節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

本發(fā)明的核心思想在于，采用爐管工藝形成sab膜層，使用爐管工藝替代后，由于與硅表面有大面積接觸的sab膜層在制備過程中不存在等離子體損傷，硅表面形成懸掛鍵的概率大大降低，在cis工作時難以吸附住電子，在暗場情況下被檢測到電流信號的概率降低，不容易形成白點，白像素性能被大大提升。

下文結(jié)合附圖對本發(fā)明的圖像傳感器的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明，圖2為制備方圖像傳感器的制備流程圖，圖3～圖5為各步驟對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖，具體包括如下步驟：

執(zhí)行步驟s1，參考圖3所示，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100具有柵極120和源漏極110，本發(fā)明中，所述半導(dǎo)體襯底100例如為p型硅襯底，柵極120包括柵極氧化層和多晶硅層，源漏極110例如為n型離子注入?yún)^(qū)，當(dāng)然本發(fā)明的其他實施例中半導(dǎo)體襯底還可以為n型，源漏極還可以為p型離子注入?yún)^(qū)，本發(fā)明不應(yīng)以此為限，并且采用cmos工藝制備所述源漏極和所述柵極，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，在此不做贅述。

執(zhí)行步驟s2，繼續(xù)參考圖3所示，采用爐管工藝在所述半導(dǎo)體襯底100上形成sab膜層130，所述sab膜層130用于后續(xù)自對準(zhǔn)硅化物的阻擋層。本實施例中，所述sab膜層130為純氧化層，例如為氧化硅層，所述sab膜層130的厚度為例如為等。并且，所述爐管工藝制備所述sab膜層采用的溫度為500℃～600℃，例如，550℃、580℃，優(yōu)選為580℃。需要說明的是，采用爐管工藝形成sab膜層，由于與硅襯底表面有大面積接觸的sab膜層在制備過程中不存在等離子體損傷，硅襯底表面形成懸掛鍵的概率大大降低。

接著，執(zhí)行步驟s3，對所述sab膜層130進(jìn)行熱退火處理，熱退火工藝能夠改善sab膜層中可能卻在的缺陷，本實施例中，所述熱退火處理采用的溫度為500℃～800℃，例如，600℃、600℃、680℃等。

此外，本發(fā)明的所述圖像傳感器的制備方法中還包括以下步驟：

參考圖4所示，在所述sab膜層130上形成圖形化的光阻(圖中未示出)，采用曝光、顯影、光刻等工藝對所述sab膜層130進(jìn)行圖形化，暴露出所述柵極120和源漏極110的開口140，暴露出的開口位置為后續(xù)形成自對準(zhǔn)硅化物的位置。

參考圖5所示，在暴露出的所述柵極120和源漏極110上形成自對準(zhǔn)金屬硅化物150。形成自對準(zhǔn)硅化物的過程為：首先在開口140中形成金屬，之后，對金屬進(jìn)行高溫?zé)嵬嘶鹛幚恚瑥亩枧c金屬形成硅化物。本實施例中，所述金屬采用金屬鎢，所述自對準(zhǔn)金屬硅化物150為硅化鎢。之后，采用有機(jī)溶劑清洗去除所述圖形化的光阻。

圖6為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明的白像素性能的對比結(jié)果，從圖6中可以看出，使用爐管工藝形成sab膜層替代pecvd工藝后，硅表面形成懸掛鍵的概率大大降低，在cis工作時難以吸附住電子，在暗場情況下被檢測到電流信號的概率降低，不容易形成白點，使得白像素性能提升30％以上。

綜上所述，本發(fā)明提供的圖像傳感器的制備方法中，采用爐管工藝形成sab膜層，使用爐管工藝替代后，由于與硅表面有大面積接觸的sab膜層在制備過程中不存在等離子體損傷，硅表面形成懸掛鍵的概率大大降低，在cis工作時難以吸附住電子，在暗場情況下被檢測到電流信號的概率降低，不容易形成白點，白像素性能被大大提升。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。