【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底、顯示基板及制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

led(lightemittingdiode，發(fā)光二極管)具有自發(fā)光、小尺寸、高亮度、長(zhǎng)壽命、低功耗、快響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用越來越廣泛，已經(jīng)從最初的固態(tài)照明電源到顯示領(lǐng)域的背光再到led顯示屏。但是目前l(fā)ed顯示屏的像素尺寸都很大，圖像顯示的細(xì)膩程度不夠理想。為了解決上述問題，微發(fā)光二極管(mic-led)應(yīng)運(yùn)而生。應(yīng)用微發(fā)光二極管的顯示裝置的像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)可降低至微米級(jí)別，體積能降至目前主流led大小的1％，每一個(gè)像素都能定址、單獨(dú)發(fā)光，并且具備功耗低、亮度高、超高解析度和色彩飽和度、響應(yīng)速度快、壽命長(zhǎng)、效率高的優(yōu)勢(shì)。

將微發(fā)光二極管應(yīng)用在顯示裝置的過程中，需要先在生長(zhǎng)襯底上生長(zhǎng)外延層、微發(fā)光二極管層、電接觸層、犧牲層和穩(wěn)定化層，在轉(zhuǎn)移襯底上沉積粘合層，將生長(zhǎng)襯底和轉(zhuǎn)移襯底貼合，將生長(zhǎng)襯底上的襯底層和外延層去除，并對(duì)微發(fā)光二極管層進(jìn)行圖形化，并將犧牲層去除，得到陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管，最后將多個(gè)微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的電接觸層轉(zhuǎn)移至顯示裝置所需的基板上。本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在上述過程中，微發(fā)光二極管的位置容易發(fā)生變化，影響顯示裝置的顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底、顯示基板及制作方法、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中轉(zhuǎn)移過程中微發(fā)光二極管的位置容易發(fā)生變化的問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底，該微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底包括：襯底層，以及依次層疊設(shè)置于襯底層上的外延層、微發(fā)光二極管層、圖案化的電接觸層、犧牲層和穩(wěn)定化層；其中，圖案化的電接觸層包括陣列式排布的多個(gè)導(dǎo)電圖案；犧牲層包括位于導(dǎo)電圖案上的覆蓋部分，以及位于相鄰的兩導(dǎo)電圖案的縫隙間的填充部分，在陣列行方向上和/或列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案之間的填充部分上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口；穩(wěn)定化層具有填充于犧牲層的開口中的凸出部分。

可選地，開口在平行于襯底層的各方向上的最大尺寸為微發(fā)光二極管的邊長(zhǎng)的0.1％～80％。

可選地，開口的橫截面形狀為圓形、橢圓形、半圓形、半橢圓形、三角形、四邊形、六邊形或者十字形。

示例性地，導(dǎo)電圖案無內(nèi)凹處，在陣列行方向上和陣列列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案之間的各填充部分上均設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口。

可選地，在陣列行方向上和陣列列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案之間的各填充部分上均設(shè)置有多個(gè)開口，且每個(gè)導(dǎo)電圖案周圍的所有開口圍成的空間與導(dǎo)電圖案的形狀相匹配。

可選地，在陣列行方向和陣列列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案之間的各填充部分上均設(shè)置有一個(gè)開口，且在各填充部分的延伸方向上，開口位于填充部分的中間區(qū)域。

示例性地，導(dǎo)電圖案具有內(nèi)凹處，僅相鄰的導(dǎo)電圖案的內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口。

可選地，導(dǎo)電圖案的內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分上僅設(shè)置有一個(gè)開口，開口的形狀和尺寸與導(dǎo)電圖案的內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

可選地，相鄰兩個(gè)導(dǎo)電圖案的兩個(gè)內(nèi)凹處相對(duì)設(shè)置，在相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分上僅設(shè)置有一個(gè)開口，開口的形狀和尺寸與兩個(gè)內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

可選地，導(dǎo)電圖案的內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分上設(shè)置有多個(gè)開口，多個(gè)開口圍成的空間的形狀和尺寸與導(dǎo)電圖案的內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

可選地，導(dǎo)電圖案具有至少兩個(gè)內(nèi)凹處，導(dǎo)電圖案的至少一個(gè)內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分上設(shè)置有多個(gè)開口，多個(gè)開口圍成的空間的形狀和尺寸與該內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配，該導(dǎo)電圖案的其他內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分上僅設(shè)置有一個(gè)開口，開口的形狀和尺寸與各自對(duì)應(yīng)的內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

本發(fā)明實(shí)施例提供的微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底包括微發(fā)光二極管層、圖案化的電接觸層、犧牲層和穩(wěn)定化層，圖案化的電接觸層包括陣列式排布的多個(gè)導(dǎo)電圖案，且在陣列行方向上和/或列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案之間的犧牲層的填充部分上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口，穩(wěn)定化層具有填充于犧牲層的開口中的凸出部分，從而使得在后續(xù)轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管的過程中，穩(wěn)定化層中的凸出部分可以對(duì)微發(fā)光二極管的位置進(jìn)行限制，使得再將其轉(zhuǎn)移至顯示基板所需的襯底基板上時(shí)，微發(fā)光二極管的位置不容易發(fā)生變化，穩(wěn)定性較好，在襯底基板上的位置的準(zhǔn)確性好，有利于提高顯示裝置的顯示效果。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板，所述顯示基板包括襯底基板，依次位于襯底基板上的電接觸層和陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管，其中，所述電接觸層為以上任一項(xiàng)所述的電接觸層，所述陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管由以上任一項(xiàng)所述的微發(fā)光二極管層圖形化獲得。

由于該顯示基板包括的電接觸層為上述微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底上的電接觸層，且微發(fā)光二極管為由微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底上的微發(fā)光二極管層圖形化獲得，即該微發(fā)光二極管和電接觸層是從上述微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底上轉(zhuǎn)移而來的，因此，微發(fā)光二極管在襯底基板上的位置的準(zhǔn)確性好，有利于提高顯示裝置的顯示效果。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上所述的顯示基板。

由于該顯示裝置包括以上所述的顯示基板，因此，該顯示裝置的顯示效果較好。

第四方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板的制作方法，該顯示基板的制作方法包括：

提供微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底，微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底為以上任一項(xiàng)所述的生長(zhǎng)襯底；

提供轉(zhuǎn)移襯底，轉(zhuǎn)移襯底上設(shè)置有粘合層；

通過粘合層將轉(zhuǎn)移襯底和微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底粘合，其中，粘合層與穩(wěn)定化層接觸；

將襯底層和外延層去除；

對(duì)微發(fā)光二極管層進(jìn)行圖形化，并將犧牲層去除，得到陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管，微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案位于穩(wěn)定化層的凹陷處；

提供襯底基板，將陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移至襯底基板上，得到顯示基板，其中，導(dǎo)電圖案與襯底基板接觸。

由于在對(duì)微發(fā)光二極管層進(jìn)行圖形化，并將犧牲層去除，得到陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管后，微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案位于穩(wěn)定化層的凹陷處，也就是說穩(wěn)定化層的凸起部分限制住了微發(fā)光二極管的位置，從而使得后續(xù)在將陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移至襯底基板上，得到顯示基板時(shí)，微發(fā)光二極管在襯底基板上的位置的準(zhǔn)確性好，有利于提高顯示裝置的顯示效果。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖一；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中圖1中的襯底基板沿a-a’方向的截面示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖二；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖三；

圖5是現(xiàn)有技術(shù)中的襯底基板的俯視圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖四；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖五；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖六；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖七；

圖10是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖八；

圖11是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖九；

圖12是本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖十；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板的截面示意圖；

圖14是本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板的像素電路圖；

圖15是本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置的主視圖；

圖16是本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板的制作流程圖；

圖17是本發(fā)明實(shí)施例中的步驟s2提供的轉(zhuǎn)移襯底的截面示意圖；

圖18是本發(fā)明實(shí)施例中的經(jīng)步驟s3后形成的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；

圖19是本發(fā)明實(shí)施例中的經(jīng)步驟s4后形成的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；

圖20是本發(fā)明實(shí)施例中的經(jīng)步驟s5后形成的結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

【具體實(shí)施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

應(yīng)當(dāng)理解，本文中使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，a和/或b，可以表示：?jiǎn)为?dú)存在a，同時(shí)存在a和b，單獨(dú)存在b這三種情況。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底，具體地，如圖1、圖2、圖3和圖4所示，其中，圖1、圖3和圖4分別為本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖一、二、三，圖2為本發(fā)明實(shí)施例中圖1中的襯底基板沿a-a’方向的截面示意圖，該微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底包括：襯底層10，以及依次層疊設(shè)置于襯底層10上的外延層20、微發(fā)光二極管層30、圖案化的電接觸層40、犧牲層50和穩(wěn)定化層60；其中，圖案化的電接觸層40包括陣列式排布的多個(gè)導(dǎo)電圖案41；犧牲層50包括位于導(dǎo)電圖案41上的覆蓋部分51，以及位于相鄰的兩導(dǎo)電圖案41的縫隙間的填充部分52，在陣列行方向上和/或列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的填充部分52上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53；穩(wěn)定化層60具有填充于犧牲層50的開口53中的凸出部分61。

需要說明的是，圖1、圖3和圖4中為了明確示出導(dǎo)電圖案41和開口53的位置關(guān)系，未示出襯底層10、外延層20、微發(fā)光二極管層30、穩(wěn)定化層60和穩(wěn)定化層60上的凸出部分61，但上述結(jié)構(gòu)是必然存在的，且按照以上文字描述進(jìn)行設(shè)置的。

可選地，開口53在平行于襯底層10的各方向上的最大尺寸為微發(fā)光二極管的邊長(zhǎng)的0.1％～80％。其中，針對(duì)形狀規(guī)則的微發(fā)光二極管，例如橫截面為正方形、圓形等的微發(fā)光二極管，其對(duì)應(yīng)的開口53的尺寸可以設(shè)計(jì)的較小，即可使穩(wěn)定化層60上的與開口53對(duì)應(yīng)的凸出部分61在微發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移過程中起到較好的限制作用，此時(shí)能適當(dāng)提高微發(fā)光二極管的排布密度。例如，微發(fā)光二極管的橫截面形狀為正方形，微發(fā)光二極管的邊長(zhǎng)為100微米，開口53的橫截面形狀為正方形，開口53的邊長(zhǎng)為0.1微米或者1微米。針對(duì)形狀不規(guī)則的微發(fā)光二極管，例如橫截面為s型的微發(fā)光二極管，其對(duì)應(yīng)的開口53的尺寸需要設(shè)計(jì)的較大，才可以使與開口53對(duì)應(yīng)的凸出部分61起到較好的限制作用。例如，微發(fā)光二極管的橫截面形狀為s形，開口53的橫截面形狀為長(zhǎng)方形，微發(fā)光二極管所在區(qū)域的邊長(zhǎng)為100微米，開口53的長(zhǎng)度為80微米。

可選地，開口53的橫截面形狀為圓形、橢圓形、半圓形、半橢圓形、三角形、四邊形、六邊形或者十字形等規(guī)則圖形，當(dāng)然，開口53的橫截面的形狀也可以為各種不規(guī)則圖形。在實(shí)際應(yīng)用中，開口53的橫截面形狀可以綜合考慮微發(fā)光二極管的橫截面形狀、尺寸以及開口53的數(shù)量進(jìn)行合理選擇，此處不進(jìn)行限定。

本發(fā)明實(shí)施例提供的微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底包括微發(fā)光二極管層30、圖案化的電接觸層40、犧牲層50和穩(wěn)定化層60，圖案化的電接觸層40包括陣列式排布的多個(gè)導(dǎo)電圖案41，且在陣列行方向上和/或列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的犧牲層50的填充部分52上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53，穩(wěn)定化層60具有填充于犧牲層50的開口53中的凸出部分61，從而使得在后續(xù)轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管的過程中，穩(wěn)定化層60中的凸出部分61可以對(duì)微發(fā)光二極管的位置進(jìn)行限制，使得再將其轉(zhuǎn)移至顯示基板所需的襯底基板上時(shí)，微發(fā)光二極管的位置不容易發(fā)生變化，穩(wěn)定性較好，在襯底基板上的位置的準(zhǔn)確性好，有利于提高顯示裝置的顯示效果。

為了在微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移過程中對(duì)微發(fā)光二極管的位置進(jìn)行限制，現(xiàn)有技術(shù)中也公開了一種犧牲層上的開口的具體結(jié)構(gòu)。如圖5所示，為現(xiàn)有技術(shù)中的襯底基板的俯視圖，開口53’為網(wǎng)格狀，分布于各導(dǎo)電圖案41’之間，后續(xù)形成的穩(wěn)定化層上的凸出部分也為網(wǎng)格狀。雖然與上述開口53’對(duì)應(yīng)的穩(wěn)定化層上的凸出部分在轉(zhuǎn)移微發(fā)光二極管的過程中均可以有效起到限制微發(fā)光二極管的位置的作用，但穩(wěn)定化層中的凸出部分占用的面積均較大，不利于微發(fā)光二極管的密集排布，不利于顯示裝置的分辨率的提高，而且對(duì)于具有特定排布方式和特定結(jié)構(gòu)的開口，僅適用于特定橫截面形狀的導(dǎo)電圖案，以及特定橫截面形狀的微發(fā)光二極管，應(yīng)用范圍較窄。

而本發(fā)明實(shí)施例中的上述方案與上述現(xiàn)有技術(shù)相比，開口53的結(jié)構(gòu)和排布方式在一定情況下能起到提高led排布密度、同一種開口排布方式適應(yīng)于多種橫截面形狀的導(dǎo)電圖案，以及多種橫截面形狀的微發(fā)光二極管、和/或提高刻蝕藥劑流入流出的可能性的優(yōu)勢(shì)。具體會(huì)在后續(xù)內(nèi)容中進(jìn)行舉例說明。

另外，由以上所述可知，在陣列行方向上和/或列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的填充部分52上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53，因此，在實(shí)際應(yīng)用中，開口53的數(shù)量及排布方式可以根據(jù)導(dǎo)電圖案41的形狀進(jìn)行設(shè)置，下面本發(fā)明實(shí)施例針對(duì)無內(nèi)凹處的導(dǎo)電圖案41和有內(nèi)凹處的導(dǎo)電圖案41進(jìn)行舉例說明。

示例性地，如圖1、圖3、圖4和圖6所示，其中，圖6為本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖四，導(dǎo)電圖案41無內(nèi)凹處，在陣列行方向上和陣列列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53。

其中，如圖1、圖3或圖6所示，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有較少個(gè)數(shù)(例如一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè))的開口53時(shí)，開口53的一種排布方式可以適用于多種具有不同橫截面形狀的導(dǎo)電圖案41，以及具有不同橫截面形狀的微發(fā)光二極管，例如，圖1所示的排布方式不僅適用于圖1中示出的正方形、還適用于圓形、三角形等。

如圖4所示，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有多個(gè)開口53時(shí)，開口53的一種排布方式可以適用的導(dǎo)電圖案41和微發(fā)光二極管較少，但在后續(xù)采用濕法刻蝕對(duì)微發(fā)光二極管層30進(jìn)行圖形化的過程中，有利于提高刻蝕藥劑流入流出的可能性，具有較好的刻蝕效果。

可選地，如圖3所示，在陣列行方向和陣列列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有一個(gè)開口53，且在各填充部分52的延伸方向上，開口53位于填充部分52的中間區(qū)域。

可選地，如圖1、圖4和圖6所示，在陣列行方向上和陣列列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有多個(gè)開口53，且每個(gè)導(dǎo)電圖案41周圍的所有開口53圍成的空間與導(dǎo)電圖案41的形狀相匹配，進(jìn)而該空間可放置導(dǎo)電圖案41以及與該導(dǎo)電圖案41對(duì)應(yīng)的微發(fā)光二極管。需要說明的是，如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例中“每個(gè)導(dǎo)電圖案41周圍的所有開口53圍成的空間”指的是：每個(gè)導(dǎo)電圖案41周圍的各開口53所在的填充部分52圍成的空間。

在一個(gè)例子中，如圖1和圖4所示，在行方向上和列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有多個(gè)開口53，且每個(gè)導(dǎo)電圖案41周圍的所有開口53圍成矩形空間，該矩形空間內(nèi)可放置橫截面形狀為三角形、圓形、矩形、梯形、十字形或者六邊形等的導(dǎo)電圖案以及微發(fā)光二極管。針對(duì)位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有多個(gè)開口53的技術(shù)方案，多個(gè)開口53的設(shè)置方式也可以有多種，例如，如圖1所示，在各填充部分52的延伸方向上，多個(gè)開口53均分布于填充部分52的中間區(qū)域上；如圖4所示，在各填充部分52的延伸方向上，多個(gè)開口53分布于整個(gè)填充部分52上。在圖1所示的例子中，多個(gè)開口53均分布于填充部分52的中間區(qū)域上，也就是說各導(dǎo)電圖案41的角落位置未設(shè)置有開口53，進(jìn)而可以適用于較多的具有不同橫截面形狀的導(dǎo)電圖案41以及微發(fā)光二極管。

在另一個(gè)例子中，如圖6所示，在行方向上和列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的各填充部分52上均設(shè)置有多個(gè)開口53，且在行方向上，針對(duì)任意相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電圖案41，位于一個(gè)導(dǎo)電圖案41周圍的所有開口53圍成正三角形空間，位于另一個(gè)導(dǎo)電圖案41周圍的所有開口53圍成倒三角形空間，且相鄰兩行對(duì)稱設(shè)置，正三角形空間和倒三角形空間均可放置橫截面形狀為三角形、圓形、矩形、梯形、十字形或者六邊形的導(dǎo)電圖案。如此設(shè)置可以有助于提高微發(fā)光二極管的排布密度。

示例性地，如圖7、圖8、圖9、圖10、圖11和圖12所示，其中，圖7～圖12分別為本發(fā)明實(shí)施例中的襯底基板的俯視圖五～十，導(dǎo)電圖案41具有內(nèi)凹處，相鄰的導(dǎo)電圖案41的內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分52上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53。其中，如圖8所示，相鄰的導(dǎo)電圖案41的除內(nèi)凹處以外的位置對(duì)應(yīng)的填充部分52上也可以設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53，如圖7、圖9、圖10、圖11和圖12所示，僅相鄰的導(dǎo)電圖案41的內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分52上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53，這樣設(shè)置可以有利于提高微發(fā)光二極管的排布密度。

可選地，如圖7和圖8所示，導(dǎo)電圖案41的內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分52上僅設(shè)置有一個(gè)開口53，開口53的形狀和尺寸與導(dǎo)電圖案41的內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

可選地，如圖9所示，相鄰兩個(gè)導(dǎo)電圖案41的兩個(gè)內(nèi)凹處相對(duì)設(shè)置，在相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分52上僅設(shè)置有一個(gè)開口53，開口53的形狀和尺寸與兩個(gè)內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

可選地，如圖10和圖11所示，導(dǎo)電圖案41的內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分52上設(shè)置有多個(gè)開口53，多個(gè)開口53圍成的空間的形狀和尺寸與導(dǎo)電圖案41的內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

可選地，如圖12所示，導(dǎo)電圖案41具有至少兩個(gè)內(nèi)凹處，導(dǎo)電圖案41的至少一個(gè)內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分52上設(shè)置有多個(gè)開口53，多個(gè)開口53圍成的空間的形狀和尺寸與該內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配，該導(dǎo)電圖案41的其他內(nèi)凹處對(duì)應(yīng)的填充部分52上僅設(shè)置有一個(gè)開口53，開口53的形狀和尺寸與各自對(duì)應(yīng)的內(nèi)凹處的形狀和尺寸相匹配。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板，如圖13所示，圖13為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板的截面示意圖，顯示基板包括襯底基板1，依次位于襯底基板1上的電接觸層2和陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管3，其中，所述電接觸層2為以上任一項(xiàng)所述的電接觸層，所述陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管3由以上任一項(xiàng)所述的微發(fā)光二極管層圖形化獲得。當(dāng)然，顯示基板還可以包括其他元件或膜層，例如用以驅(qū)動(dòng)微發(fā)光二極管的開關(guān)等，此處不進(jìn)行限定。例如，如圖14所示，圖14為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板的一種像素電路圖，像素電路采用“2t1c”的結(jié)構(gòu)，其中，t1為選擇管，t2為驅(qū)動(dòng)管，用以驅(qū)動(dòng)微發(fā)光二極管的開關(guān)，當(dāng)掃描線上的掃描信號(hào)(vselect)輸入時(shí)，t1導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)(vdata)傳輸?shù)絫2的柵極，并同時(shí)給存儲(chǔ)電容cs充電。而后t2導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電流從電源(vdd)流經(jīng)微發(fā)光二極管到地線(vss)，微發(fā)光二極管在驅(qū)動(dòng)電流的作用下發(fā)光。掃描信號(hào)(vselect)和數(shù)據(jù)信號(hào)(vdata)被移除后，由于存儲(chǔ)電容cs的保持作用，t2的柵極電壓在整個(gè)顯示時(shí)間段內(nèi)保持不變，使得t2在整個(gè)顯示時(shí)間段內(nèi)持續(xù)導(dǎo)通，在整個(gè)顯示時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動(dòng)電流均可從電源(vdd)流經(jīng)微發(fā)光二極管到地線(vss)，進(jìn)而保證微發(fā)光二極管在整個(gè)顯示時(shí)間段內(nèi)均能正常發(fā)光。上述選擇管t1、驅(qū)動(dòng)管t2和存儲(chǔ)電容cs均可設(shè)置在顯示基板上。當(dāng)然，上述像素電路圖只是舉例說明，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板也可以采用其他像素電路圖。

由于該顯示基板包括的電接觸層2為上述微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底上的電接觸層，且微發(fā)光二極管3為由微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底上的微發(fā)光二極管層圖形化獲得，即該微發(fā)光二極管3和電接觸層2是從上述微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底上轉(zhuǎn)移而來的，因此，微發(fā)光二極管3在襯底基板1上的位置的準(zhǔn)確性好，有利于提高顯示裝置的顯示效果。

此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，如圖15所示，圖15為本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置的主視圖，該顯示裝置包括以上所述的顯示基板100。該顯示裝置中除顯示基板以外的其他結(jié)構(gòu)均可以參照現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行設(shè)置，此處不進(jìn)行限定。由于該顯示裝置包括以上所述的顯示基板，因此，該顯示裝置的顯示效果較好。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以是例如智能手機(jī)、可穿戴式智能手表、智能眼鏡、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀、車載顯示器、電子書等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板和顯示裝置可以為柔性，也可以為非柔性，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板的制作方法，具體地，如圖16所示，該顯示基板的制作方法包括：

步驟s1、提供微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底，微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底為以上任一項(xiàng)所述的生長(zhǎng)襯底。示例性地，如圖2所示，該微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底包括：襯底層10，以及依次層疊設(shè)置于襯底層10上的外延層20、微發(fā)光二極管層30、圖案化的電接觸層40、犧牲層50和穩(wěn)定化層60；其中，圖案化的電接觸層40包括陣列式排布的多個(gè)導(dǎo)電圖案41；犧牲層50包括位于導(dǎo)電圖案41上的覆蓋部分51，以及位于相鄰的兩導(dǎo)電圖案41的縫隙間的填充部分52，在陣列行方向上和/或列方向上，位于相鄰導(dǎo)電圖案41之間的填充部分52上設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)開口53；穩(wěn)定化層60具有填充于犧牲層50的開口53中的凸出部分61。

步驟s2、提供轉(zhuǎn)移襯底，轉(zhuǎn)移襯底上設(shè)置有粘合層。示例性地，如圖17所示，轉(zhuǎn)移襯底70上設(shè)置有粘合層80。

步驟s3、通過粘合層將轉(zhuǎn)移襯底和微發(fā)光二極管生長(zhǎng)襯底粘合，其中，粘合層與穩(wěn)定化層接觸。示例性地，經(jīng)過步驟s3后，形成的結(jié)構(gòu)如圖18所示。

步驟s4、將襯底層和外延層去除。示例性地，經(jīng)過步驟s4后，形成的結(jié)構(gòu)如圖19所示。

步驟s5、對(duì)微發(fā)光二極管層進(jìn)行圖形化，并將犧牲層去除，得到陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管，微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案位于穩(wěn)定化層的凹陷處。示例性地，經(jīng)過步驟s5后，形成的結(jié)構(gòu)如圖20所示。

步驟s6、提供襯底基板，將陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移至襯底基板上，得到顯示基板，其中，導(dǎo)電圖案與襯底基板接觸。示例性地，經(jīng)過步驟s6后形成的結(jié)構(gòu)如圖14所示，顯示基板包括襯底基板1，依次位于襯底基板1上的電接觸層2和陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管3。

由于在對(duì)微發(fā)光二極管層進(jìn)行圖形化，并將犧牲層去除，得到陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管后，微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案位于穩(wěn)定化層的凹陷處，也就是說穩(wěn)定化層的凸起部分限制住了微發(fā)光二極管的位置，從而使得后續(xù)在將陣列排布的多個(gè)微發(fā)光二極管及其對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電圖案轉(zhuǎn)移至襯底基板上，得到顯示基板時(shí)，微發(fā)光二極管在襯底基板上的位置的準(zhǔn)確性好，有利于提高顯示裝置的顯示效果。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。