技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種圖像傳感器的制備方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；采用爐管工藝在所述半導(dǎo)體襯底上形成SAB膜層；對所述SAB膜層進(jìn)行熱退火處理。本發(fā)明中，采用爐管工藝形成SAB膜層，使用爐管工藝替代后，由于與硅表面有大面積接觸的SAB膜層在制備過程中不存在等離子體損傷，硅表面形成懸掛鍵的概率大大降低，在CIS工作時難以吸附住電子，在暗場情況下被檢測到電流信號的概率降低，不容易形成白點(diǎn)，白像素性能被大大提升。

技術(shù)研發(fā)人員：秋沉沉;曹亞民;何亮亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.09.01