技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種N極性AlGaN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)管，沿外延生長方向自下而上分別為：單晶襯底；GaN緩沖層；GaN摻雜層；第一Alx1Ga1?x1N勢壘層；第二Alx2Ga1?x2N勢壘層；AlN插入層；AlyGa1?yN溝道層；SiNz鈍化層；其中，下標(biāo)X1表示勢壘層中Alx1Ga1?x1N中Al的組分，下標(biāo)X2表示勢壘層中Alx2Ga1?x2N中Al的組分，下標(biāo)y表示溝道層中AlyGa1?yN中Al的組分。本發(fā)明在不降低N極性AlGaN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)管溝道層厚度和二維電子氣濃度的前提下，減小二維電子氣與柵極間距離，提升柵電容，從而提高器件的工作頻率及效率。

技術(shù)研發(fā)人員：李傳皓;李忠輝;彭大青
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.11.14