技術(shù)編號(hào)：12916860
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種N極性AlGaN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)管。背景技術(shù)相對(duì)于Ga極性AlGaN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，N極性AlGaN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)具有方向相反的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，因此為獲取高濃度的二維電子氣，溝道層位于勢(shì)壘層的上方，這為N極性AlGaN/GaN高電子遷移率場效應(yīng)管帶來了一些優(yōu)勢(shì)：勢(shì)壘層位于二維電子氣下方，形成了天然的背勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，有助于抑制短溝道效應(yīng)(SCE)及漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)(DIBL)；在淀積金屬形成歐姆接觸時(shí)，與二維電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。