本發(fā)明屬于光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種p型黑硅雙面電池的制備方法。

背景技術(shù)：

目前，硅基太陽能電池依然是世界上產(chǎn)量及安裝量最高的太陽能電池，規(guī)模占所有光伏電池的90％以上，并且在未來很長一段時間內(nèi)依然是主要形式，因此，如何繼續(xù)降低制作成本并提高制作效率仍是一個重要的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種p型黑硅雙面電池的制備方法，能夠提高電池短波響應(yīng)和光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，且能夠提高電池良品率。

本發(fā)明提供的一種p型黑硅雙面電池的制備方法，包括：

在硅片的雙面制絨；

進(jìn)行正面黑硅制絨、正面p型擴散并制作正面掩膜；

去除所述硅片背面的psg，并進(jìn)行背面黑硅制絨；

在所述硅片的背面制作背場及減反射膜，并制作正面減反射膜；

在所述硅片的雙面印刷電極。

優(yōu)選的，在上述p型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述進(jìn)行正面黑硅制絨之后，還包括第一次清洗。

優(yōu)選的，在上述p型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述正面p型擴散為：設(shè)置溫度為780℃至790℃，擴散16分鐘至20分鐘，并設(shè)定推進(jìn)溫度為820℃至830℃，推進(jìn)20分鐘至30分鐘。

優(yōu)選的，在上述p型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述去除所述硅片背面的psg為：利用濃度為1％的氫氟酸浸泡所述硅片3分鐘，去除所述硅片背面的psg。

優(yōu)選的，在上述p型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述去除所述硅片背面的psg之后，還包括：

對所述硅片進(jìn)行第二次清洗。

優(yōu)選的，在上述p型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述進(jìn)行背面黑硅制絨包括：

利用反應(yīng)離子刻蝕方式進(jìn)行背面黑硅制絨持續(xù)130秒至150秒，得到反射率為3％至6％的黑硅。

優(yōu)選的，在上述p型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述去除所述硅片背面的psg為：

利用濃度為10％至15％的氫氟酸作用5分鐘至10分鐘。

通過上述描述可知，本發(fā)明提供的上述p型黑硅雙面電池的制備方法，由于包括在硅片的雙面制絨；進(jìn)行正面黑硅制絨、正面p型擴散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的psg，并進(jìn)行背面黑硅制絨；在所述硅片的背面制作背場及減反射膜，并制作正面減反射膜；在所述硅片的雙面印刷電極，因此能夠提高電池短波響應(yīng)和光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，且能夠提高電池良品率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的第一種p型黑硅雙面電池的制備方法的示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明的核心思想在于提供一種p型黑硅雙面電池的制備方法，能夠提高電池短波響應(yīng)和光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，且能夠提高電池良品率。

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請實施例提供的第一種p型黑硅雙面電池的制備方法如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的第一種p型黑硅雙面電池的制備方法的示意圖，該方法包括如下步驟：

s1：在硅片的雙面制絨；

s2：進(jìn)行正面黑硅制絨、正面p型擴散并制作正面掩膜；

需要說明的是，黑硅絨面具有極好的陷光效果，能夠增加對光波的利用率，可提高電池的短波響應(yīng)，提高光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，并且黑硅絨面電池外觀呈深色，可提高鍍膜顏色的一致性，提升產(chǎn)品品質(zhì)，提高電池良品率。而且需要強調(diào)的是，先正面擴散，然后在psg保護(hù)下鍍掩膜，就可以避免掩膜及鍍掩膜過程中對硅片造成的污染。

s3：去除所述硅片背面的psg，并進(jìn)行背面黑硅制絨；

需要說明的是，正面擴散掩膜后直接進(jìn)行背面黑硅制絨，就能夠一步完成刻邊及背面黑硅制絨。

s4：在所述硅片的背面制作背場及減反射膜，并制作正面減反射膜；

s5：在所述硅片的雙面印刷電極。

需要說明的是，所制得的雙面電池的正面和背面均可接受光照產(chǎn)生光生電流和電壓。針對多晶硅片，雙面黑硅制絨可徹底消除金剛線線切多晶硅片高反射率及明顯線痕等外觀缺陷等問題。

通過上述描述可知，本申請實施例提供的上述第一種p型黑硅雙面電池的制備方法，由于包括在硅片的雙面制絨；進(jìn)行正面黑硅制絨、正面p型擴散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的psg，并進(jìn)行背面黑硅制絨；在所述硅片的背面制作背場及減反射膜，并制作正面減反射膜；在所述硅片的雙面印刷電極，因此能夠提高電池短波響應(yīng)和光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，且能夠提高電池良品率。

本申請實施例提供的第二種p型黑硅雙面電池的制備方法，是在上述第一種p型黑硅雙面電池的制備方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述進(jìn)行正面黑硅制絨之后，還包括第一次清洗。

需要說明的是，所述第一次清洗可以是但不限于dre清洗。

本申請實施例提供的第三種p型黑硅雙面電池的制備方法，是在上述第二種p型黑硅雙面電池的制備方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述正面p型擴散為：設(shè)置溫度為780℃至790℃，擴散16分鐘至20分鐘，并設(shè)定推進(jìn)溫度為820℃至830℃，推進(jìn)20分鐘至30分鐘。

需要說明的是，可以采用的氣體參數(shù)可以是但不限于：大氮8slm、小氮700sccm以及小氧300sccm。

本申請實施例提供的第四種p型黑硅雙面電池的制備方法，是在上述第三種p型黑硅雙面電池的制備方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述去除所述硅片背面的psg為：利用濃度為1％的氫氟酸浸泡所述硅片3分鐘，去除所述硅片背面的psg。

需要說明的是，利用這種方式可以更完全的去除硅片背面的psg。

本申請實施例提供的第五種p型黑硅雙面電池的制備方法，是在上述第四種p型黑硅雙面電池的制備方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述去除所述硅片背面的psg之后，還包括：

對所述硅片進(jìn)行第二次清洗。

需要說明的是，這里采用的第二次清洗過程可以是但不限于rca清洗，能夠更好的去除雜質(zhì)離子。

本申請實施例提供的第六種p型黑硅雙面電池的制備方法，是在上述第五種p型黑硅雙面電池的制備方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述進(jìn)行背面黑硅制絨包括：

利用反應(yīng)離子刻蝕方式進(jìn)行背面黑硅制絨持續(xù)130秒至150秒，得到反射率為3％至6％的黑硅。

需要說明的是，采用這種參數(shù)范圍的工藝，能夠使得到的黑硅對光的利用率更高，提高電池效率。

本申請實施例提供的第七種p型黑硅雙面電池的制備方法，是在上述第一種至第六種p型黑硅雙面電池的制備方法中任一種的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述去除所述硅片背面的psg為：

利用濃度為10％至15％的氫氟酸作用5分鐘至10分鐘。

需要說明的是，利用這種工藝參數(shù)能夠更徹底的去除硅片背面的psg，避免對電池導(dǎo)電造成不利影響。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。