本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器。

背景技術(shù)：

一般的，在液晶面板的生產(chǎn)過程中，金屬導(dǎo)線的制備工藝包括沉積、光刻、濕法蝕刻以及光阻剝離等步驟，在這些步驟中濕法蝕刻直接影響金屬導(dǎo)線制備完成之后的精度，而金屬導(dǎo)線的精度又對顯示面板的質(zhì)量有很大影響，比如金屬導(dǎo)線表面過于粗糙會容易造成與其他膜層的接觸不良、電阻提升等問題而最終影響顯示面板的指令。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高金屬導(dǎo)線的表面精度，會在濕法蝕刻這一步驟中降低蝕刻速度，但這種方法會導(dǎo)致生產(chǎn)時間過長，進(jìn)而增加生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要提供一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器，旨在解決薄膜晶體管的制備過程中圖案化金屬層在蝕刻后表面精度不高的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種薄膜晶體管的制備方法，所述方法包括：在基板上沉積金屬層；在所述金屬層上通過光刻工藝形成圖案化光阻層；對所述金屬層進(jìn)行第一次蝕刻，以形成表面粗糙的圖案化金屬層；對所述表面粗糙的圖案化金屬層進(jìn)行第二次蝕刻，以形成表面光滑的圖案化金屬層；剝離所述圖案化光阻層。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管通過上述的方法制備而成。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種顯示器，所述顯示器包括上述的薄膜晶體管。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在基板上沉積金屬層；在金屬層上通過光刻工藝形成圖案化光阻層；對金屬層進(jìn)行第一次蝕刻，以形成表面粗糙的圖案化金屬層；對表面粗糙的圖案化金屬層進(jìn)行第二次蝕刻，以形成表面光滑的圖案化金屬層；剝離圖案化光阻層的方法，在形成表面粗糙的圖案化金屬層之后再進(jìn)行一次蝕刻，形成表面光滑的圖案化金屬層，提高了圖案化金屬層的表面精度，且在第一次蝕刻時不需要降低蝕刻速度，縮短生產(chǎn)時間，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的薄膜晶體管實(shí)施例的流程示意圖；

圖2是圖1中步驟S12的具體流程示意圖；

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明所提供的一種薄膜晶體管及其制備方法、顯示器做進(jìn)一步詳細(xì)描述。

參閱圖1，本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法實(shí)施例包括：

S11：在基板上沉積金屬層；

具體地，在沉積金屬層之前，將基板清洗干凈，然后可使用物理氣相沉積法或等離子體氣相沉積法在基板上沉積金屬層。

其中，金屬層可以是包括但不限于氧化銦錫的金屬層；基板可以是包括但不限于硅片及玻璃的基板。

S12：在金屬層上通過光刻工藝形成圖案化的光阻層；

參閱圖2，該步驟可具體包括：

S121：在金屬層上進(jìn)行光阻涂布以形成光阻層；

具體地，可使用光阻涂布設(shè)備通過旋轉(zhuǎn)涂布法，利用旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，將滴于金屬層上的光阻劑甩開，在光阻劑表面張力以及旋轉(zhuǎn)離心力的共同作用下，形成光阻膜。

其中，光阻劑是主要由樹脂、感光劑及溶劑混合而成的感光材料。

在形成光阻膜之后，在一定溫度下，對其進(jìn)行烘烤，形成干燥的光阻膜，即光阻層。

S122：對光阻層進(jìn)行曝光處理以在光阻層上形成圖案；

具體地，在掩膜版的作用下，利用光源發(fā)射光透過掩膜版照射到光阻層的表面，其中，對于掩膜版上透明的部分，光透過該透明的部分照射到光阻層上，與相對應(yīng)的部分光阻層發(fā)生反應(yīng)，對于掩膜版上不透明的部分，光無法透過而相對應(yīng)的部分光阻層不發(fā)生反應(yīng)，從而使得掩膜版上的圖案在光的照射下投影在光阻層上。

其中，光源的選擇根據(jù)光阻層的材料而定，不同的光阻層對應(yīng)不同波長的光源，在本實(shí)施例中，以UV光為例。

S123：對形成圖案的光阻層進(jìn)行顯影處理以形成圖案化光阻層。

在上述曝光處理后的光阻層上噴灑顯影液，顯影液將溶解掉上述中被光照射的部分光阻層，而未被光照射的部分則不會被溶解而保留下來，保留下來的部分就形成了圖案化光阻層。

S13：對金屬層進(jìn)行第一次蝕刻，以形成表面粗糙的圖案化金屬層；

可選的，通過濕法蝕刻使用蝕刻液對金屬層進(jìn)行第一次蝕刻，由于蝕刻液與金屬層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而不與光阻層反應(yīng)，使得未被圖案化光阻層覆蓋的金屬層與蝕刻液發(fā)生反應(yīng)之后而被去除，被圖案化光阻層覆蓋的金屬層則被保留下來形成與圖案化光阻層同樣圖案的圖案化金屬層，但由于濕法蝕刻是化學(xué)蝕刻，在不降低蝕刻速度的前提下，蝕刻結(jié)束之后，圖案化金屬層被蝕刻的表面粗糙度會比較高，就形成了表面粗糙的圖案化金屬層。

其中，蝕刻液可以是硫酸與雙氧水的混合溶液。

S14：對表面粗糙的圖案化金屬層進(jìn)行第二次蝕刻，以形成表面光滑的圖案化金屬層；

可選的，使用微蝕刻液對步驟S13中形成的圖案化金屬層蝕刻處的粗糙表面進(jìn)行微蝕刻，微蝕刻液與粗糙表面處的金屬層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以去除該表面比較粗糙的部分，形成表面光滑的圖案化金屬層，之后進(jìn)行清洗、烘干即可。

其中，微蝕刻液可選用雙氧水、氫氟酸和水的混合溶液。

S15：剝離圖案化光阻層。

具體的，在圖案化光阻層上滴入去光阻液，去光阻液與圖案化光阻層發(fā)生反應(yīng)之后再進(jìn)行清洗即可去除圖案化光阻層。

本發(fā)明還提供了薄膜晶體管，該薄膜晶體管采用上述方法制備而成。

本發(fā)明還提供了顯示器，該顯示器包括上述的薄膜晶體管。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在基板上沉積金屬層；在金屬層上通過光刻工藝形成圖案化的光阻層；對金屬層進(jìn)行第一次蝕刻，以形成表面粗糙的圖案化金屬層；對表面粗糙的圖案化金屬層進(jìn)行第二次蝕刻，以形成表面光滑的圖案化金屬層；剝離所述圖案化的光阻層的方法，在形成表面粗糙的圖案化金屬層之后再進(jìn)行一次蝕刻，使得表面粗糙的圖案化金屬層形成表面光滑的圖案化金屬層，提高了圖案化金屬層的表面精度，且在第一次蝕刻時不需要降低蝕刻速度，縮短生產(chǎn)時間，降低生產(chǎn)成本。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。