技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于垂直溝道的MISFET(金屬?絕緣介質(zhì)半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)器件及其制備方法。所述MISFET器件包括源極、漏極、柵極以及MIS結(jié)構(gòu)，所述MIS結(jié)構(gòu)的軸線基本垂直于一選定平面，所述MIS結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)置的絕緣介質(zhì)，且在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和絕緣介質(zhì)的界面處形成有溝道，所述源極與漏極經(jīng)所述溝道電連接，所述柵極分布于源極和漏極之間。本發(fā)明的MISFET器件具有柵控能力好、工作頻率高，工藝難度低，易于制作，成品率高等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：董志華;張佩佩;張輝;蔡勇;劉國華;柯華杰;周濤;程知群
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710087137
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.17
技術(shù)公布日：2017.06.20