技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：配線，沿第1方向延伸；半導(dǎo)體部件，沿相對(duì)于所述第1方向交叉的第2方向延伸；電極，設(shè)置在所述配線與所述半導(dǎo)體部件之間；第1絕緣膜，設(shè)置在所述配線與所述電極之間；第2絕緣膜，設(shè)置在所述第1絕緣膜與所述電極之間；第3絕緣膜，設(shè)置在所述電極與所述半導(dǎo)體部件之間；及含金屬的層，設(shè)置在所述第1絕緣膜與所述第2絕緣膜之間或所述第1絕緣膜的內(nèi)部，且金屬的面濃度為1×1014cm?2以上且5×1015cm?2以下。

技術(shù)研發(fā)人員：糸川寬志
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.08
技術(shù)公布日：2017.09.05