技術(shù)編號(hào)：11388149
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)享有以美國臨時(shí)專利申請(qǐng)62/300,949號(hào)(申請(qǐng)日：2016年2月29日)及美國專利申請(qǐng)15/267,948號(hào)(申請(qǐng)日：2016年9月16日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照這些基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵤┓绞缴婕耙环N半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。背景技術(shù)近年來，提出有一種使存儲(chǔ)單元三維地集成而成的積層型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。在這種積層型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置著電極膜與絕緣膜交替地積層而成的積層體，且設(shè)置著貫通積層體的半導(dǎo)體部件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。