本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件是電子工業(yè)中的重要元件。用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件、用于處理數(shù)據(jù)的處理器等可以由半導(dǎo)體器件提供。近期，已經(jīng)進(jìn)行了旨在改善半導(dǎo)體器件的集成度并且減小其功耗的許多研究。此外，已經(jīng)執(zhí)行了旨在開(kāi)發(fā)具有三維結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件從而減少由半導(dǎo)體器件中包括的半導(dǎo)體元件的尺寸上的減小所引起的限制的各種研究。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)涉及限制(和/或防止)在制造工藝中在多個(gè)溝道區(qū)之間形成空隙的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底、在襯底上的源/漏區(qū)、在源/漏區(qū)之間的襯底上的多個(gè)納米片、在襯底上并且圍繞多個(gè)納米片的柵電極、以及在所述多個(gè)納米片和柵電極之間的襯底上的柵絕緣層。源/漏區(qū)垂直于襯底的上表面延伸。所述多個(gè)納米片彼此分離。所述多個(gè)納米片限定在第一方向上延伸的溝道區(qū)。柵電極在交叉第一方向的第二方向上延伸。柵電極在第一方向上的長(zhǎng)度可以大于所述多個(gè)納米片中的相鄰納米片之間的間隔。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底、在襯底上并且在第一方向上延伸的多個(gè)納米片、以及掩埋所述多個(gè)納米片的在襯底上的柵電極。柵電極包括在所述多個(gè)納米片之間的第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域。第一區(qū)域和第二區(qū)域具有彼此不同的堆疊結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底、在襯底上的源/漏區(qū)、在襯底上的多個(gè)納米片、圍繞所述多個(gè)納米片的在襯底上的柵絕緣層、以及在襯底上并且掩埋所述多個(gè)納米片的柵電極。源/漏區(qū)垂直于襯底的上表面延伸。所述多個(gè)納米片在襯底的上表面上方沿第一方向延伸并且連接到源/漏區(qū)。所述多個(gè)納米片在垂直于襯底的上表面的方向上彼此分離。柵電極包括在所述多個(gè)納米片之間的第一區(qū)域和圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域。第一區(qū)域中包括的金屬層的數(shù)目小于第二區(qū)域中包括的金屬層的數(shù)目。柵電極的長(zhǎng)度大于或等于所述多個(gè)納米片中的相鄰納米片之間的間隔的約1.2倍。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件包括：在第一方向上彼此間隔開(kāi)的一對(duì)源/漏區(qū)、在該對(duì)源漏區(qū)之間的多個(gè)納米片、柵電極、以及柵絕緣層。該對(duì)源/漏區(qū)包括彼此面對(duì)的側(cè)壁。所述多個(gè)納米片沿該對(duì)源/漏區(qū)的側(cè)壁彼此間隔開(kāi)。所述多個(gè)納米片包括半導(dǎo)體材料。柵電極包括在所述多個(gè)納米片之間延伸的第一區(qū)域和在所述多個(gè)納米片中的最上一個(gè)納米片上的第二區(qū)域。第一區(qū)域被連接到第二區(qū)域。柵絕緣層在柵電極和所述多個(gè)納米片之間。柵絕緣層在柵電極和該對(duì)源/漏區(qū)之間延伸。

附圖說(shuō)明

從結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的以上及其它方面和特征將被更清楚地理解，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的示意性平面圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一部分的透視圖；

圖3是沿圖2所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)iii-iii'截取的截面圖；

圖4是圖3所示的半導(dǎo)體器件的區(qū)域a的放大圖；

圖5是沿圖2所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)v-v'截取的截面圖；

圖6是沿圖2所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)vi-vi'截取的截面圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一部分的透視圖；

圖8是沿圖7所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)viii-viii'截取的截面圖；

圖9是圖8所示的半導(dǎo)體器件的區(qū)域b的放大圖；

圖10是沿圖7所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)x-x'截取的截面圖；

圖11是沿圖7所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)xi-xi'截取的截面圖；

圖12至53是示出用于制造圖2所示的半導(dǎo)體器件的方法的圖；

圖54至65是示出用于制造圖7所示的半導(dǎo)體器件的方法的圖；

圖66和67是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式將參考附圖被描述如下。

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的示意性平面圖。

參考圖1，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件10可以包括提供為有源區(qū)的多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)f和形成為交叉鰭結(jié)構(gòu)f的多個(gè)柵電極130。多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)f可以在垂直于襯底的上表面(圖1中的xy平面)的方向上被形成。襯底可以包括半導(dǎo)體材料。多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)f可以包括用雜質(zhì)摻雜的源/漏區(qū)，并且溝道區(qū)可以被形成在源/漏區(qū)之間。

溝道區(qū)可以被掩埋在柵電極130中。例如，柵電極130可以被形成為圍繞溝道區(qū)并且交叉多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)f。溝道區(qū)可以由設(shè)置在源/漏區(qū)之間的納米片提供。在示例實(shí)施方式中，納米片可以具有在幾納米到幾十納米(例如2nm到100nm)的范圍內(nèi)的厚度。

柵電極130可以由導(dǎo)電材料形成，諸如金屬、金屬硅化物、多晶硅等，及其組合。柵電極130可以包括多個(gè)層。當(dāng)柵電極130包括多個(gè)層時(shí)，柵電極130可以包括功函數(shù)金屬層、阻擋金屬層、柵金屬層等。在示例實(shí)施方式中，保護(hù)層150可以被提供在柵電極130的上部分上，保護(hù)層150限制(和/或防止)氧滲透到柵電極130中。

柵絕緣層110和間隔物140可以被設(shè)置在柵電極130的側(cè)面上。以與柵電極130類(lèi)似的方式，柵絕緣層110和間隔物140可以被形成為圍繞溝道區(qū)ch并且交叉多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)f。柵電極130可以在與鰭結(jié)構(gòu)f接觸的同時(shí)在一個(gè)方向(例如圖1中的y軸的方向)上延伸。

柵絕緣層110可以包括多個(gè)層。在示例實(shí)施方式中，柵絕緣層110可以包括第一絕緣層111和第二絕緣層112。第一絕緣層111和第二絕緣層112可以具有不同的電容率(permittivity)。例如，當(dāng)?shù)谝唤^緣層111被設(shè)置為比設(shè)置到溝道區(qū)ch的第二絕緣層112更靠近溝道區(qū)ch時(shí)，第一絕緣層111可以具有比第二絕緣層112的電容率更低的電容率。

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一部分的透視圖。

參考圖2，根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100可以包括：襯底101、形成在襯底101上的源/漏區(qū)104和105、以及形成為交叉源/漏區(qū)104和105的柵電極130。柵電極130可以被形成為圍繞設(shè)置在源/漏區(qū)104和105之間的溝道區(qū)。此外，柵絕緣層110和間隔物140可以被設(shè)置在柵電極130的側(cè)面上。柵絕緣層110也可以被設(shè)置在柵電極130和溝道區(qū)ch之間。

溝道區(qū)可以由多個(gè)納米片提供。多個(gè)納米片可以被設(shè)置在源/漏區(qū)104和105之間。多個(gè)納米片可以在垂直于襯底101的上表面的方向(圖2中的z軸的方向)上彼此分離。多個(gè)納米片之間的間隔可以用柵電極130填充。

襯底絕緣層103可以被提供在襯底101上，并且被設(shè)置為圍繞襯底101的一部分。在示例實(shí)施方式中，襯底101的一部分可以向上突出以被連接到源/漏區(qū)104和105。襯底絕緣層103可以被設(shè)置為圍繞襯底101的突出部分的側(cè)面。襯底絕緣層103的上表面可以與襯底101的上表面共面。此外，層間絕緣層可以被設(shè)置在襯底絕緣層103上以覆蓋柵電極130以及源/漏區(qū)104和105。

圖3是沿圖2所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)iii-iii'截取的截面圖。圖4是圖3所示的半導(dǎo)體器件的區(qū)域a的放大圖。

參考圖3，半導(dǎo)體器件100可以包括：在襯底101上沿一個(gè)方向(圖3中的z軸的方向)彼此分離的多個(gè)納米片121至124(納米片120)；通過(guò)納米片120彼此連接的源/漏區(qū)104和105；柵電極130等。柵電極130可以形成為掩埋多個(gè)納米片120。柵絕緣層110可以被設(shè)置在柵電極130和多個(gè)納米片120之間。納米片120的數(shù)目和設(shè)置不限于圖3的配置，并且可以被不同地改變。

多個(gè)納米片120可以提供溝道區(qū)ch。溝道區(qū)ch可以由納米片120的與柵絕緣層110和柵電極130相鄰的部分提供。當(dāng)大于半導(dǎo)體器件100的閾值電壓的電壓被施加到柵電極130時(shí)，耗盡區(qū)可以被形成在溝道區(qū)ch上以在源/漏區(qū)104和105之間流動(dòng)電流。閾值電壓可以由包含在柵電極130中的材料和柵電極130的堆疊結(jié)構(gòu)確定。

在示例實(shí)施方式中，柵電極130可以包括功函數(shù)金屬層132和133以及柵金屬層134。阻擋金屬層131可以被進(jìn)一步提供在功函數(shù)金屬層132和133與柵絕緣層110之間。阻擋金屬層131可以由鉭氮化物(tan)、鉭氮氧化物(tano)、鉭硅氮化物(tasin)、鈦硅氮化物(tisin)等形成。柵電極130的堆疊結(jié)構(gòu)不限于圖3的配置，并且可以被不同地改變。

功函數(shù)金屬層132和133可以確定半導(dǎo)體器件100的閾值電壓。在示例實(shí)施方式中，功函數(shù)金屬層132和133可以包括彼此堆疊的第一功函數(shù)金屬層132和第二功函數(shù)金屬層133。第一功函數(shù)金屬層132和第二功函數(shù)金屬層133可以包括彼此不同的材料。功函數(shù)金屬層132和133的材料可以根據(jù)半導(dǎo)體器件100是n型半導(dǎo)體器件還是p型半導(dǎo)體器件而變化。當(dāng)半導(dǎo)體器件100是n型半導(dǎo)體器件時(shí)，功函數(shù)金屬層132和133可以包括鉿、鋯、鈦、鉭、鋁和包含上述金屬的金屬碳化物。當(dāng)半導(dǎo)體器件100是p型半導(dǎo)體器件時(shí)，功函數(shù)金屬層132和133可以包括釕、鈀、鉑、鈷、鎳及其氧化物。然而，除以上材料之外，功函數(shù)金屬層132和133的材料可以被不同地修改。

柵金屬層134可以填充限定在功函數(shù)金屬層132和133上的間隔。柵金屬層134的上表面可以與第二功函數(shù)金屬層133的上表面共面。柵金屬層134可以由鈦氮化物(tin)形成。

參考圖3，在根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100中，柵長(zhǎng)度lg可以大于納米片120中的相鄰納米片120之間的間距tn。柵長(zhǎng)度lg可以被定義為在第一方向(圖3中的x軸的方向)上柵電極130或間隔物之間的間隔的長(zhǎng)度。在示例實(shí)施方式中，柵長(zhǎng)度lg可以大于或等于納米片120之間的間距tn的約1.2倍。納米片120的厚度(z軸方向的厚度)可以小于或等于約50nm，并且納米片120的長(zhǎng)度(x軸方向的長(zhǎng)度)可以是幾十納米(例如2nm至100nm)。納米片120可以具有大于其厚度的長(zhǎng)度。納米片120還可以具有小于或等于其之間的間距tn的厚度。在示例實(shí)施方式中，納米片120之間的間距tn可以大于0nm并且小于或等于約30nm。

當(dāng)納米片120的厚度小于或等于納米片120之間的間距(spacing)tn的約0.8倍時(shí)，納米片120之間的間隔(space)可以用柵絕緣層110和柵電極130填充，而不降低半導(dǎo)體器件100的集成度。此外，納米片120中的相鄰納米片120之間的間距tn與納米片120的厚度之和可以與柵電極130的柵長(zhǎng)度lg基本相同。

間隔物140的厚度(x軸方向的厚度)可以是大約10nm(例如在大約5nm至大約15nm的范圍內(nèi))，并且柵電極130的柵長(zhǎng)度lg可以通過(guò)從納米片120的長(zhǎng)度減去間隔物140的厚度的兩倍來(lái)被確定。如之前描述的，柵電極130的柵長(zhǎng)度lg可以被確定為大于或等于納米片120之間的間距tn的約1.2倍的值。因此，在示例實(shí)施方式中，間隔物140的厚度、納米片120的長(zhǎng)度和納米片120之間的間距tn可以根據(jù)諸如以下方程式1的條件來(lái)被確定。

【方程式1】

1.2*tn≤(納米片的長(zhǎng)度-2*間隔物的厚度)

為了限制(和/或防止)納米片120之間的間隔被柵電極130不完全地填充，柵電極130可以被形成為具有大于納米片120之間的間距tn的柵長(zhǎng)度lg。柵電極130可以通過(guò)去除提供在間隔物140之間的虛設(shè)柵極然后用金屬材料填充已經(jīng)從其去除了虛設(shè)柵極的間隔來(lái)形成。在用金屬材料填充間隔之前，柵絕緣層可以首先被形成在間隔物140的內(nèi)側(cè)和納米片120的外側(cè)上。在這種情況下，如果間隔物140之間的間隔在填充納米片120之間的間隔之前首先用金屬材料填充，則納米片120之間的間隔可以被金屬材料不完全地填充。因此，空隙可以由不完全地填充的間隔產(chǎn)生。因此，由于納米片120之間的間隔中的空隙，半導(dǎo)體器件100的性能可以劣化。

因此，為了限制和/或防止納米片之間的間隔中的空隙，柵電極130可以被形成從而具有比納米片120之間的間距tn更大的長(zhǎng)度lg。此外，柵長(zhǎng)度lg可以對(duì)應(yīng)于間隔物140之間的間距。因此，通過(guò)在間隔物140之間確保足夠的間隔，納米片120之間的間隔可以在用柵電極130填充間隔物140之間的間隔之前首先被柵電極130填充。

參考圖4，柵絕緣層110可以包括多個(gè)層。在示例實(shí)施方式中，柵絕緣層110可以包括第一絕緣層和第二絕緣層。第一絕緣層111和第二絕緣層112可以具有彼此不同的電容率。第二絕緣層的電容率可以大于第一絕緣層的電容率。在這種情況下，第二絕緣層可以被設(shè)置為比設(shè)置到柵電極130的第一絕緣層更靠近柵電極130。換言之，第一絕緣層可以被設(shè)置為比設(shè)置到溝道區(qū)ch的第二絕緣層更靠近溝道區(qū)ch。通過(guò)將具有相對(duì)低的電容率水平的第一絕緣層設(shè)置為比具有相對(duì)高的電容率水平的第二絕緣層更靠近溝道區(qū)ch，存儲(chǔ)器件的特性，諸如擦除特性，可以被改善。同時(shí)，具有相對(duì)高的電容率水平的第二絕緣層可以比第一絕緣層更厚。

具有相對(duì)高的電容率水平的第二絕緣層112可以包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(si3n4)、硅氮氧化物(sion)或高介電常數(shù)(dielectricconstant)材料。高介電常數(shù)材料可以是諸如鋁氧化物(al2o3)、鉭氧化物(ta2o3)、鈦氧化物(tio2)、釔氧化物(y2o3)、鋯氧化物(zro2)、鋯硅氧化物(zrsixoy)、鉿氧化物(hfox)、鉿硅氧化物(hfsixoy)、鑭氧化物(la2o3)、鑭鋁氧化物(laalxoy)、鑭鉿氧化物(lahfxoy)、鉿鋁氧化物(hfalxoy)和鐠氧化物(pr2o3)的材料。

此外，多個(gè)金屬層131至134中的僅阻擋金屬層131以及功函數(shù)金屬層132和133可以被設(shè)置在納米片120中的相鄰納米片120之間。在圖4中，納米片中的相鄰納米片之間的間隔可以?xún)H用阻擋金屬層131和第一功函數(shù)金屬層132填充。設(shè)置在納米片120之間的金屬層131至134的數(shù)目可以由納米片120之間的間距tn以及金屬層131至134的每個(gè)厚度確定。

圖5是沿圖2所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)v-v'截取的截面圖。

參考圖5，多個(gè)納米片120可以被設(shè)置在襯底101上。多個(gè)納米片120可以包括第一納米片121至第四納米片124。第四納米片124可以在襯底101的上表面上，并且第一納米片121至第三納米片123可以與襯底101分離。第一納米片121至第四納米片124可以彼此分離以將柵電極130的一部分和柵絕緣層110的每個(gè)設(shè)置在納米片120中的相鄰納米片120之間。換言之，第一納米片121至第四納米片124的至少一部分可以被柵電極130掩埋。

柵電極130可以包括阻擋金屬層131、功函數(shù)金屬層132和133、以及柵金屬層134。柵電極130中包括的多個(gè)金屬層131至134可以被順序地堆疊在納米片120的每個(gè)上。在圖5中，納米片120中的相鄰納米片120之間的間隔可以?xún)H用阻擋金屬層131和第一功函數(shù)金屬層132填充。

換言之，當(dāng)柵電極130被劃分為設(shè)置在納米片120中的相鄰納米片120之間的第一區(qū)域和除第一區(qū)域之外的第二區(qū)域時(shí)，第一區(qū)域可以不包括第二功函數(shù)金屬層133和柵金屬層134。因此，設(shè)置在納米片120中的相鄰納米片120之間的第一區(qū)域可以具有與第二區(qū)域的堆疊結(jié)構(gòu)不同的堆疊結(jié)構(gòu)。在示例實(shí)施方式中，第一區(qū)域中包括的金屬層的數(shù)目可以小于第二區(qū)域中包括的金屬層的數(shù)目。同時(shí)，第二區(qū)域可以被限定為圍繞第一區(qū)域的區(qū)域。

圖6是沿圖2所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)vi-vi'截取的截面圖。

參考圖6，在沿線(xiàn)vi-vi'截取的截面中，柵電極130未被示出，并且由間隔物140圍繞的多個(gè)納米片120的結(jié)構(gòu)可以被示出。在示例實(shí)施方式中，第一納米片121至第三納米片123在y軸方向和z軸方向上可以被間隔物140圍繞。

多個(gè)納米片120的至少部分可以穿過(guò)間隔物140以被連接到源/漏區(qū)104和105。參考圖3以及圖6，第一納米片121至第三納米片123的每個(gè)的兩側(cè)可以被連接到源/漏區(qū)104和105，可以被柵電極130和間隔物140圍繞。

圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的一部分的透視圖。

參考圖7，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件200可以包括襯底201、形成在襯底201上的源/漏區(qū)204和205、形成為交叉源/漏區(qū)204和205的柵電極230等。以與圖2中的半導(dǎo)體器件100的方式類(lèi)似的方式，柵絕緣層210和間隔物240可以被形成在柵電極230的側(cè)面上，并且襯底201的一部分可以向上突出以被連接到源/漏區(qū)204和205。襯底201的突出部分可以被襯底絕緣層203圍繞。

在圖7的半導(dǎo)體器件200中，柵電極230可以包括功函數(shù)金屬層231和232以及柵金屬層233。在圖2中的半導(dǎo)體器件100中，阻擋金屬層131可以被包括在柵電極130中，而阻擋金屬層可以不存在于圖7中的半導(dǎo)體器件200中。因此，功函數(shù)金屬層231和232的厚度可以不同于圖2所示的示例實(shí)施方式的功函數(shù)金屬層的厚度。由于柵電極的物理性質(zhì)上的差異，圖2和7中所示的半導(dǎo)體器件100和200的每個(gè)可以具有彼此不同的閾值電壓。

圖8是沿圖7所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)viii-viii'截取的截面圖。圖9是圖8所示的半導(dǎo)體器件的區(qū)域b的放大圖。

參考圖8，在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件200中，多個(gè)納米片220中的相鄰納米片之間的間距tn可以小于柵電極230的柵長(zhǎng)度lg。

如參考圖3描述的，柵長(zhǎng)度lg可以被定義為柵電極230的在一個(gè)方向(圖8中的x軸的方向)上的長(zhǎng)度，并且可以對(duì)應(yīng)于間隔物240之間的間距。通過(guò)如以上描述地定義柵長(zhǎng)度lg與納米片220之間的間距tn之間的關(guān)系，可以限制(和/或防止)用柵電極230不完全地填充納米片之間的間隔。

參考圖9，柵絕緣層210可以包括第一絕緣層211和第二絕緣層212。如參考圖4描述地，第一絕緣層211和第二絕緣層212可以具有彼此不同的電容率。第二絕緣層212的電容率可以大于第一絕緣層211的電容率。

此外，納米片220中的相鄰納米片220之間的間隔可以?xún)H用柵絕緣層210和第一功函數(shù)金屬層231填充。納米片220中的相鄰納米片之間的間距tn可以小于柵絕緣層210的厚度與第一功函數(shù)金屬層231的厚度之和的約2倍。

圖10是沿圖7所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)x-x'截取的截面圖。圖11是沿圖7所示的半導(dǎo)體器件的線(xiàn)xi-xi'截取的截面圖。

參考圖10，多個(gè)納米片220可以被柵絕緣層210和柵電極230圍繞。柵電極230可以包括功函數(shù)金屬層231和232以及柵金屬層233。功函數(shù)金屬層231和232可以包括第一功函數(shù)金屬層231和第二功函數(shù)金屬層232，并且第一功函數(shù)金屬層231和第二功函數(shù)金屬層232可以具有彼此不同的金屬材料。

參考圖11，多個(gè)納米片220可以被設(shè)置在源/漏區(qū)204和205之間的柵電極230和間隔物240圍繞。多個(gè)納米片220的至少部分可以穿過(guò)間隔物240以被分別連接到源/漏區(qū)204和205。

在圖8至10中，在多個(gè)納米片220之間限定的間隔可以用柵絕緣層210和第一功函數(shù)金屬層231填充。換言之，柵絕緣層210和第一功函數(shù)金屬層231可以被設(shè)置在多個(gè)納米片220中的相鄰納米片220之間。柵電極230可以被劃分為設(shè)置在納米片220中的相鄰納米片220之間的第一區(qū)域和除第一區(qū)域之外的第二區(qū)域。柵電極230可以包括根據(jù)第一區(qū)域和第二區(qū)域的不同堆疊結(jié)構(gòu)。在第一區(qū)域中，柵電極230可以是僅包括第一功函數(shù)金屬層231的堆疊結(jié)構(gòu)。在第二區(qū)域中，柵電極230可以是包括第一功函數(shù)金屬層231和第二功函數(shù)金屬層232以及柵金屬層233的堆疊結(jié)構(gòu)。

圖12至53是示出用于制造圖2所示的半導(dǎo)體器件的方法的圖。圖14是沿圖13的線(xiàn)xiv-xiv'截取的截面圖。圖17和18是沿圖16的線(xiàn)xvii-xvii'和xviii-xviii'截取的截面圖。圖21至23是沿圖20的線(xiàn)xxi-xxi'、xxii-xxii'和xxiii-xxiii'截取的截面圖。圖26是沿圖25的線(xiàn)xxvi-xxvi'截取的截面圖。圖29是沿圖28的線(xiàn)xxix-xxix'截取的截面圖。圖32是沿圖31的線(xiàn)xxxii-xxxii'截取的截面圖。圖35是沿圖34的線(xiàn)xxxv-xxxv'截取的截面圖。圖38是沿圖37的線(xiàn)xxxviii-xxxviii'截取的截面圖。圖41是沿圖40的線(xiàn)xli-xli'截取的截面圖。圖44是沿圖43的線(xiàn)xliv-xliv'截取的截面圖。圖47是沿圖46的線(xiàn)xlvii-xlvii'截取的截面圖。圖50是沿圖49的線(xiàn)l-l'截取的截面圖。圖53是沿圖52的線(xiàn)liii-liii'截取的截面圖。

參考圖12至14，多個(gè)半導(dǎo)體層121s至124s(半導(dǎo)體層120s)和多個(gè)犧牲層161s至163s(犧牲層160s)可以被交替地堆疊在襯底101上。由于圖12所示的透視圖可以通過(guò)x-y平面被觀察，所以圖13示出了其俯視平面圖。多個(gè)半導(dǎo)體層120s可以包括半導(dǎo)體材料，并且多個(gè)犧牲層160s可以包括相對(duì)于多個(gè)半導(dǎo)體層120s具有蝕刻選擇性的材料。在示例實(shí)施方式中，多個(gè)半導(dǎo)體層120s可以包括硅(si)，并且多個(gè)犧牲層160s可以包括硅鍺(sige)。

根據(jù)示例實(shí)施方式，多個(gè)半導(dǎo)體層120s和犧牲層160s的各自厚度可以被不同地改變。在示例實(shí)施方式中，多個(gè)半導(dǎo)體層120s的厚度可以小于多個(gè)犧牲層160s的厚度。多個(gè)犧牲層160s可以在后續(xù)工藝中被去除，并且被柵絕緣層110和柵電極130替換。因此，多個(gè)犧牲層160s的厚度可以基本上分別等于多個(gè)納米片120之間的間隔距離。

參考圖15至18，鰭結(jié)構(gòu)f可以通過(guò)去除多個(gè)半導(dǎo)體層120s和犧牲層160s的部分來(lái)被形成。因?yàn)閳D15所示的透視圖可以通過(guò)x-y平面被觀察，所以圖16示出其俯視平面圖。一起參考圖15至18，鰭結(jié)構(gòu)f可以包括交替地堆疊在襯底101上的多個(gè)半導(dǎo)體層121f至124f(半導(dǎo)體層120f)和犧牲層161f至163f(犧牲層160f)。

為了形成鰭結(jié)構(gòu)f，襯底101的至少一部分可以從其上表面去除，并且襯底絕緣層103可以被設(shè)置在其中。在這種情況下，襯底絕緣層103的上表面可以與襯底101的最上表面共面。

如圖1所示，鰭結(jié)構(gòu)f可以在特定方向(例如在圖1的x軸的方向)上在襯底101上延伸。鰭結(jié)構(gòu)f可以以在其之間的期望的(和/或替代地，預(yù)定的)間隔被設(shè)置。在示例實(shí)施方式中，在y軸的方向上鰭結(jié)構(gòu)f的各自寬度和鰭結(jié)構(gòu)f之間的間隔可以是幾十納米(例如20nm至100nm)。多個(gè)半導(dǎo)體層120f的每個(gè)的厚度可以在三納米到三十納米的范圍內(nèi)。多個(gè)犧牲層160f的每個(gè)的厚度可以大于多個(gè)半導(dǎo)體層120f的每個(gè)的厚度。

參考圖19至23，虛設(shè)柵極130a和第一間隔物140a可以被形成在鰭結(jié)構(gòu)f上。由于圖19所示的透視圖可以通過(guò)x-y平面被觀察，所以圖20示出了其俯視平面圖。在示例實(shí)施方式中，蓋層還可以被形成在虛設(shè)柵極130a上，并且蝕刻停止層還可以被形成在虛設(shè)柵極130a與多個(gè)半導(dǎo)體層120f之間。

虛設(shè)柵極130a和第一間隔物140a可以以它們與鰭結(jié)構(gòu)f接觸的形式被形成。虛設(shè)柵極130a可以由多晶硅等形成，并且第一間隔物140a可以使用諸如硅氧化物、硅氮化物等的絕緣材料被形成。

在后續(xù)工藝中，虛設(shè)柵極130a可以用柵電極130替換。因此，柵電極130的柵長(zhǎng)度lg在一個(gè)方向(圖19至23中的y軸的方向)上可以基本上等于虛設(shè)柵極130a的寬度。在示例實(shí)施方式中，虛設(shè)柵極130a的寬度可以大于多個(gè)犧牲層160f的每個(gè)的厚度。因此，在去除虛設(shè)柵極130a之后用于形成柵電極130的后續(xù)工藝中，在其中犧牲層160f被去除的間隔可以用柵電極130填充而沒(méi)有空隙。

在示例實(shí)施方式中，虛設(shè)柵極130a的寬度可以由大于或等于多個(gè)犧牲層160f的每個(gè)厚度的值的約1.2倍來(lái)確定。此外，虛設(shè)柵極130a的寬度可以與多個(gè)半導(dǎo)體層120f的每個(gè)厚度和多個(gè)犧牲層160f的每個(gè)厚度之和基本相同。

參考圖24至26，通過(guò)使用虛設(shè)柵極130a和第一間隔物140a作為蝕刻掩模執(zhí)行蝕刻工藝，鰭結(jié)構(gòu)f的至少一部分可以被去除以形成多個(gè)納米片121至124(納米片120)。多個(gè)納米片120的每個(gè)可以被虛設(shè)柵極130a和第一間隔物140a圍繞。多個(gè)犧牲層161至163(犧牲層160)可以被設(shè)置在多個(gè)納米片120之間。

如圖24至26所示，襯底101的上表面的一部分可以從虛設(shè)柵極130a和第一間隔物140a向外暴露。襯底101的上表面可以被用于使用外延工藝形成源/漏區(qū)104和105。

參考圖27至29，在虛設(shè)柵極130a和第一間隔物140a的側(cè)面上暴露的犧牲層160的部分可以被去除以形成間隔物間隔s。如圖27至29所示，第一犧牲層161至第三犧牲層163的至少部分可以被去除以形成間隔物間隔s。在這種情況下，間隔物間隔s的深度可以基本上等于第一間隔物140a的厚度。

參考圖30至32，第二間隔物140b可以通過(guò)用絕緣材料填充間隔物間隔s而形成。第二間隔物140b的厚度可以基本上等于第一間隔物140a的厚度。第二間隔物140b的外表面可以與第一間隔物140a的外表面共面。第一間隔物140a和第二間隔物140b可以被提供為圍繞將被順序形成的柵電極的間隔物140。第二間隔物140b可以由與第一間隔物140a的材料相同的材料形成。在示例實(shí)施方式中，第一間隔物140a和第二間隔物140b可以包括硅氧化物、硅氮化物等。

參考圖33至35，源/漏區(qū)104和105可以使用選擇性外延生長(zhǎng)(seg)從襯底101的上表面形成。源/漏區(qū)104和105可以包括用期望的(和/或替代地，預(yù)定的)雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料。源/漏區(qū)104和105的厚度可以被不同地改變。源/漏區(qū)104和105的上表面可以與設(shè)置在納米片120中的最上層的納米片121的上表面共面。

參考圖36至38，層間絕緣層170可以被形成在襯底101上。層間絕緣層170可以被形成為覆蓋間隔物140和源/漏區(qū)104和105的外側(cè)。

參考圖39至41，虛設(shè)柵極130a可以被去除。虛設(shè)柵極130a可以基于虛設(shè)柵極130a相對(duì)于第一間隔物140a和源/漏區(qū)104和105的蝕刻選擇性被選擇性地去除。納米片121至124和犧牲層161至163可以通過(guò)去除虛設(shè)柵極130a而從第一間隔物140a之間的間隔向外暴露。

參考圖42至45，犧牲層160可以被選擇性地去除以形成水平開(kāi)口h。如以上描述的，犧牲層160可以包括與納米片120不同的材料，諸如相對(duì)于納米片120中包括的材料具有期望的(和/或替代地，預(yù)定的)蝕刻選擇性的材料。在示例實(shí)施方式中，納米片120可以包括諸如硅的半導(dǎo)體材料以提供半導(dǎo)體器件100的溝道區(qū)，并且犧牲層160可以包括硅鍺。為了選擇性地去除犧牲層160的暴露部分同時(shí)抑制納米片120的蝕刻，相對(duì)于硅(si)具有硅鍺(sige)的顯著蝕刻選擇性的蝕刻劑可以被使用。例如，包括過(guò)氧化氫(h2o2)、氫氟酸(hf)和乙酸(ch3cooh)的蝕刻劑，包括氫氧化銨(nh4oh)、過(guò)氧化氫(h2o2)和去離子水(h2o)的蝕刻劑，以及包括過(guò)乙酸的蝕刻劑或其組合可以被使用。

當(dāng)犧牲層160被去除時(shí)，納米片120可以被彼此分離。參考圖44，納米片120可以在z軸的方向上彼此分離，并且納米片120之間的間距tn可以小于第一間隔物140a之間的間距wd。在示例實(shí)施方式中，第一間隔物140a之間的間距wd可以大于或等于納米片120之間的間距tn的約1.2倍。因此，在用于形成柵絕緣層110和柵電極130的后續(xù)工藝中，在用柵絕緣層110和柵電極130填充第一間隔物140a之間的間隔之前，水平開(kāi)口h可以首先用柵絕緣層110和柵電極130填充。因此，可以限制(和/或防止)空隙從不完全地填充的水平開(kāi)口h產(chǎn)生。

參考圖45至47，柵絕緣層可以被形成。柵絕緣層110可以被設(shè)置在第一間隔物140a的內(nèi)表面以及納米片120之間的水平開(kāi)口h的內(nèi)表面上。在示例實(shí)施方式中，柵絕緣層110可以被設(shè)置為在y軸的方向和z軸的方向上圍繞納米片120，并且水平開(kāi)口h可以不被柵絕緣層110完全填充。換言之，在形成柵絕緣層110之后，在納米片120之間仍可以存在間隔。

柵絕緣層110可以包括具有彼此不同的電容率的第一絕緣層和第二絕緣層。第二絕緣層的電容率可以大于第一絕緣層的電容率。第一絕緣層可以被設(shè)置為比第二絕緣層更靠近第一間隔物140a和納米片120。換言之，第一絕緣層可以在形成第二絕緣層之前被形成。

柵絕緣層110可以通過(guò)諸如原子層沉積(ald)、化學(xué)氣相沉積(cvd)等的工藝被形成。在示例實(shí)施方式中，第二絕緣層可以被形成為比第一絕緣層更厚。例如，第一絕緣層的厚度可以小于約1nm，并且第二絕緣層的厚度可以是約1nm至約2nm。

參考圖48至50，阻擋金屬層131和第一功函數(shù)金屬層132可以被順序地形成在柵絕緣層110上。納米片120之間的間隔可以用阻擋金屬層131和第一功函數(shù)金屬層132完全填充。因此，如圖48至50所示，僅第一功函數(shù)金屬層132可以從納米片120向外暴露。

參考圖50，納米片120之間的間隔可以用柵絕緣層110、阻擋金屬層131和第一功函數(shù)金屬層132完全填充。同時(shí)，參考圖48，納米片120不設(shè)置在第一間隔物140a之間處的間隔可以不被柵絕緣層110、阻擋金屬層131和第一功函數(shù)金屬層132完全填充。換言之，因?yàn)榧{米片120之間的間隔首先被填充，所以可以限制(和/或防止)從不完全填充的間隔產(chǎn)生空隙。

參考圖51至53，第二功函數(shù)金屬層133和柵金屬層134可以被形成在第一功函數(shù)金屬層132上。第二功函數(shù)金屬層133可以包括與第一功函數(shù)金屬層132不同的材料。半導(dǎo)體器件100的閾值電壓可以由每個(gè)功函數(shù)金屬層132和133的材料和厚度確定。柵金屬層134可以被設(shè)置在第二功函數(shù)金屬層133上，保護(hù)層150可以被進(jìn)一步提供在柵金屬層134上。

保護(hù)層150可以由具有在幾埃至幾百埃(例如至)的范圍內(nèi)的厚度的硅氮化物層形成。保護(hù)層150可以為了限制(和/或防止)通過(guò)將氧滲透到柵電極130中而引起的閾值電壓的劣化的目的而被形成。柵電極130的一部分可以被去除，并且保護(hù)層150可以被形成在柵電極的被去除的部分中。

參考圖53，柵電極130可以包括設(shè)置在納米片120中的相鄰納米片120之間的第一區(qū)域g1和除第一區(qū)域g1之外的第二區(qū)域g2。因?yàn)榈谝粎^(qū)域g1被限定為設(shè)置在納米片120中的相鄰納米片120之間的區(qū)域，所以圖53中的柵電極可以包括總共三個(gè)第一區(qū)域g1。

第一區(qū)域g1和第二區(qū)域g2可以具有彼此不同的堆疊結(jié)構(gòu)。第一區(qū)域g1可以?xún)H包括阻擋金屬層131、第一功函數(shù)金屬層132，并且第二區(qū)域可以包括阻擋金屬層131、第一功函數(shù)金屬層132和第二功函數(shù)金屬層133以及柵金屬層134。第一區(qū)域g1中包括的金屬層的數(shù)目可以小于第二區(qū)域g2中包括的金屬層的數(shù)目。第一區(qū)域g1和第二區(qū)域g2的每個(gè)的金屬層的數(shù)目和類(lèi)型可以被不同地改變。

在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件100的工藝中，如圖19至23中所示，第一間隔物140a之間的間距wd可以大于犧牲層160f的每個(gè)的厚度。第一間隔物140a之間的間距wd可以由虛設(shè)柵極130a的寬度確定。柵電極130可以被形成在去除了虛設(shè)柵極的區(qū)域中。柵電極130的柵長(zhǎng)度lg可以大于納米片120之間的間距tn。因此，通過(guò)形成具有比每個(gè)犧牲層160f的厚度更大的寬度的虛設(shè)柵極130a，納米片120之間的間隔可以用柵電極130填充而沒(méi)有空隙。

圖54至65是示出用于制造圖7所示的半導(dǎo)體器件的方法的圖。圖55是沿圖54的線(xiàn)lvi-lvi'截取的截面圖。圖59是沿圖58的線(xiàn)lix-lix'截取的截面圖。圖62是沿圖61的線(xiàn)lxii-lxii'截取的截面圖。圖65是沿圖64的線(xiàn)lxv-lxv'截取的截面圖。

參考圖54至56，形成在襯底201上的虛設(shè)柵極可以被去除以暴露在第一間隔物240a之間的間隔中的多個(gè)納米片221至224(納米片220)。犧牲層可以被選擇性地去除以形成水平開(kāi)口h。納米片220中的相鄰納米片220之間的間距tn可以小于第一間隔物240a之間的寬度wd。

參考圖57至59，第一間隔物240a之間的間隔以及納米片220之間的水平開(kāi)口h可以用柵絕緣層210填充。

如圖9所示，柵絕緣層210可以包括第一絕緣層211和第二絕緣層212。第一絕緣層211和第二絕緣層212可以具有彼此不同的電容率。納米片220的每個(gè)可以被柵絕緣層210圍繞。納米片120之間的間隔可以不被柵絕緣層210完全填充。

參考圖60至62，第一功函數(shù)金屬層231可以被形成在柵絕緣層210上。納米片220之間的間隔可以用第一功函數(shù)金屬層231填充。因此，如圖60所示，第一功函數(shù)金屬層231可以從納米片220向外暴露。納米片220之間的間隔可以用柵絕緣層210和第一功函數(shù)金屬層231完全填充而沒(méi)有空隙。

在示例實(shí)施方式中，納米片220之間的間距tn、柵絕緣層210的厚度以及第一功函數(shù)金屬層231的厚度可以具有諸如以下方程式2的關(guān)系。根據(jù)諸如方程式2的關(guān)系，通過(guò)形成納米片220之間的間距tn、柵絕緣層210和第一功函數(shù)金屬層231，納米片220之間的間隔可以用柵絕緣層210和第一功函數(shù)金屬層231完全填充。

【方程式2】

tn≤(柵絕緣層的厚度+第一功函數(shù)金屬層的厚度)*2

參考圖63至65，第二功函數(shù)金屬層232和柵金屬層233可以被形成在第一功函數(shù)金屬層231上。保護(hù)層250可以被形成在柵金屬層233上。第二功函數(shù)金屬層232可以包括不同于第一功函數(shù)金屬層231的材料。半導(dǎo)體器件200的閾值電壓可以由第一功函數(shù)金屬層231和第二功函數(shù)金屬層232的每個(gè)的厚度和材料確定。

參考圖65，柵電極230可以包括第一區(qū)域g1和第二區(qū)域g2。第一區(qū)域g1可以被限定為設(shè)置在納米片220之間的區(qū)域，第二區(qū)域g2可以是除了第一區(qū)域g1之外的區(qū)域。第一區(qū)域g1和第二區(qū)域g2可以具有彼此不同的堆疊結(jié)構(gòu)。

第一區(qū)域g1可以?xún)H包括第一功函數(shù)金屬層231。另一方面，第二區(qū)域g2可以包括第一功函數(shù)金屬層231和第二功函數(shù)金屬層232以及柵金屬層233。換言之，第一區(qū)域g1可以具有比第二區(qū)域g2簡(jiǎn)單的堆疊結(jié)構(gòu)。柵電極230可以具有大于它在第一區(qū)域g1中的厚度的寬度。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體器件100和200可以被形成在一個(gè)襯底上。換言之，通過(guò)形成具有不同堆疊結(jié)構(gòu)的柵電極130和230的半導(dǎo)體器件100和200，具有不同閾值電壓的半導(dǎo)體器件100和200可以被提供在一個(gè)襯底中。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式中，根據(jù)半導(dǎo)體器件100和200的柵電極130和230的結(jié)構(gòu)可以被不同地修改。

例如，柵電極130和230中包括的阻擋金屬層和功函數(shù)金屬層的數(shù)目可以被改變，并且阻擋金屬層可以被設(shè)置在功函數(shù)金屬層和柵金屬層之間。以這種方式，通過(guò)不同地修改柵電極130和230的每個(gè)的堆疊結(jié)構(gòu)，制造具有不同閾值電壓的半導(dǎo)體器件100和200是可能的。

圖66和67是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的框圖。

參考圖66，根據(jù)示例實(shí)施方式，存儲(chǔ)設(shè)備1000可以包括與主機(jī)通信的控制器1010以及存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器1020-1、1020-2和1020-3?？刂破?010以及存儲(chǔ)器1020-1、1020-2和1020-3可以包括根據(jù)以上描述的各種示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100和200。

與控制器1010通信的主機(jī)可以是配備有存儲(chǔ)設(shè)備1000的各種電子設(shè)備。例如，主機(jī)可以是智能電話(huà)、數(shù)碼相機(jī)、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、便攜式媒體播放器等?？刂破?010可以在接收到由主機(jī)發(fā)送的數(shù)據(jù)寫(xiě)入或數(shù)據(jù)讀取的請(qǐng)求之后在存儲(chǔ)器1020-1、1020-2和1020-3中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者可以生成命令(cmd)以從存儲(chǔ)器1020-1、1020-2和1020-3輸出數(shù)據(jù)。

如圖66所示，一個(gè)或更多存儲(chǔ)器1020-1、1020-2和1020-3可以在存儲(chǔ)設(shè)備1000中并行連接到控制器1010。通過(guò)將多個(gè)存儲(chǔ)器1020-1、1020-2和1020-3并行連接到控制器1010，可以實(shí)現(xiàn)具有大容量的存儲(chǔ)設(shè)備1000，諸如固態(tài)硬盤(pán)(ssd)。

參考圖67，根據(jù)示例實(shí)施方式，電子設(shè)備2000可以包括通信單元2010、輸入單元2020、輸出單元2030、存儲(chǔ)器2040和處理器2050。

通信單元2010可以包括有線(xiàn)/無(wú)線(xiàn)通信模塊，例如無(wú)線(xiàn)互連網(wǎng)模塊、近場(chǎng)通信模塊、全球定位系統(tǒng)(gps)模塊、移動(dòng)通信模塊等。通信單元2010中包括的有線(xiàn)/無(wú)線(xiàn)通信模塊可以通過(guò)根據(jù)各種通信標(biāo)準(zhǔn)被連接到外部通信網(wǎng)絡(luò)來(lái)發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。

輸入單元2020可以是為用戶(hù)提供以控制電子設(shè)備2000的操作的模塊，并且可以包括機(jī)械開(kāi)關(guān)、觸摸屏、語(yǔ)音識(shí)別模塊等。另外，輸入單元2020還可以包括手指鼠標(biāo)設(shè)備或使用軌跡球、激光指示器等操作的鼠標(biāo)。輸入單元2020還可以包括用戶(hù)可以通過(guò)其輸入數(shù)據(jù)的各種傳感器模塊。

輸出單元2030可以以音頻或視頻的形式輸出在電子設(shè)備2000中處理的信息，并且存儲(chǔ)器2040可以存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)等以處理和控制處理器2050。存儲(chǔ)器2040可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各種示例實(shí)施方式的一個(gè)或更多半導(dǎo)體器件100和200，并且處理器2050可以通過(guò)根據(jù)所需操作向存儲(chǔ)器2040發(fā)送命令來(lái)存儲(chǔ)以及輸出數(shù)據(jù)。處理器2050還可以由根據(jù)以上描述的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100和200實(shí)現(xiàn)。

存儲(chǔ)器2040可以通過(guò)嵌入在電子設(shè)備2000中的接口或單獨(dú)的接口與處理器2050通信。當(dāng)存儲(chǔ)器2040通過(guò)單獨(dú)的接口與處理器2050通信時(shí)，處理器2050可以通過(guò)各種接口標(biāo)準(zhǔn)，諸如sd、sdhc、sdxc、microsd、usb等，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器2040中或從存儲(chǔ)器2040輸出數(shù)據(jù)。

處理器2050可以控制電子設(shè)備2000中包括的各單元的操作。處理器2050可以執(zhí)行與語(yǔ)音呼叫、視頻呼叫、數(shù)據(jù)通信等相關(guān)的控制和處理操作，或者可以執(zhí)行控制和處理操作以播放和管理多媒體。此外，處理器2050可以處理由用戶(hù)通過(guò)輸入單元2020發(fā)送的輸入，并且可以通過(guò)輸出單元2030輸出結(jié)果。此外，處理器2050可以將控制電子設(shè)備2000的操作所需的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器2040中，或者可以從其輸出數(shù)據(jù)。

雖然示例實(shí)施方式已經(jīng)在以上被示出和描述，但是對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將明顯的是，能進(jìn)行修改和變化而不背離由所附權(quán)利要求限定的范圍。

本申請(qǐng)要求享有2016年2月26日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2016-0023387號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)通過(guò)引用其全文合并在此。