技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及集成電路器件。一種集成電路器件包括：在襯底的有源區(qū)上的柵線；在柵線兩側(cè)于有源區(qū)中的一對源/漏區(qū)域；在所述對源/漏區(qū)域當(dāng)中的至少一個(gè)源/漏區(qū)域上的接觸插塞；以及在柵線和接觸插塞之間的多層結(jié)構(gòu)絕緣間隔物。多層結(jié)構(gòu)絕緣間隔物可以包括：氧化物層；第一含碳絕緣層，其覆蓋氧化物層的鄰近于柵線的第一表面；以及第二含碳絕緣層，其覆蓋氧化物層的鄰近于接觸插塞的第二表面，第二表面與氧化物層的第一表面相反。

技術(shù)研發(fā)人員：卓容奭;李泰宗;金泫升;具本榮;樸起演;樸起寬;樸美善
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.03
技術(shù)公布日：2017.08.18