本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件的單元布局、單元布局庫及其合成方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體電路中的許多電路單元(反相器、比較器、寄存器、存儲單元等)都需要同步操作。為了同步地向這些電路單元提供精確的時鐘信號，應(yīng)該適宜地設(shè)計(jì)時鐘信號的布線分布(也稱為時鐘樹)，以便防止在電路單元的引腳上發(fā)生信號電磁(sem)的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件的單元布局，包括：單元塊，所述單元塊包括與時鐘相關(guān)的引腳，所述與時鐘相關(guān)的引腳設(shè)置在單元布局中的第n金屬層；以及分接連接件，設(shè)置在所述第n金屬層上方的至少一個金屬層處并且堆疊在所述單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的上方，所述分接連接件電連接至所述與時鐘相關(guān)的引腳并且形成所述單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)，其中，n是大于或者等于0的整數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種半導(dǎo)體器件的單元布局庫，包括：至少一個替代單元布局，所述至少一個替代單元布局對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局，所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局包括具有與時鐘相關(guān)的引腳的第一單元塊，所述至少一個替代單元布局中的每個均包括第二單元塊和分接連接件，所述第二單元塊等效于所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局的所述第一單元塊，所述分接連接件堆疊在所述第二單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的上方，所述分接連接件形成所述第二單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種用于合成半導(dǎo)體器件的方法，包括：根據(jù)單元布局庫中的標(biāo)準(zhǔn)單元布局來規(guī)劃半導(dǎo)體器件；形成對于所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局的布線圖案；對所述布線圖案執(zhí)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁模擬測試；明確所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局中的至少哪一個沒有通過所述設(shè)計(jì)規(guī)則檢查或所述信號電磁模擬測試；以及用所述單元布局庫中的替代單元布局來替代沒有通過所述設(shè)計(jì)規(guī)則檢查或所述信號電磁模擬測試的所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個實(shí)施例。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個部件沒有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以被任意增加或減少。

圖1是示出了半導(dǎo)體器件的單元布局的頂視圖。

圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元布局的頂視圖。

圖3是示出了沿著圖2中示出的截線a-a截取的單元布局的截面圖。

圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一單元布局的頂視圖。

圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一單元布局的頂視圖。

圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元布局的頂視圖。

圖7是示出了沿著圖6中示出的截線b-b截取的單元布局的截面圖。

圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元布局的頂視圖。

圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例示出的半導(dǎo)體器件的單元布局的頂視圖。

圖10a是示出了第一金屬互連件和第二金屬互連件之間的連接通孔的另一個實(shí)施例的頂視圖。

圖10b是示出了第一金屬互連件和第二金屬互連件之間的連接通孔的另一個實(shí)施例的頂視圖。

圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在非臨暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上存儲的單元布局庫的示意圖。

圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的合成方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

在以下描述中，給出對提供對本發(fā)明的實(shí)施例的透徹理解的特定細(xì)節(jié)。然而本領(lǐng)域中一般技術(shù)人員將認(rèn)識到，本發(fā)明可以在沒有一個或多個具體細(xì)節(jié)或者與其他成分組合的情況下實(shí)施。公知的實(shí)施方式或操作沒有詳細(xì)示出或描述，以避免本發(fā)明的各種實(shí)施例的模糊方面。

本說明書中使用的術(shù)語通常具有其在本領(lǐng)域中以及在使用每一個術(shù)語的具體的內(nèi)容中的普通含義。本說明書中使用的實(shí)例，包括本文所討論的任何術(shù)語的實(shí)例，僅是示例性的，并且絕不是限制本發(fā)明的或任何示例性術(shù)語的范圍和意義。同樣，本發(fā)明不限于本說明書中給出的各個實(shí)施例。

應(yīng)當(dāng)理解，盡管本文可以使用術(shù)語第一、第二等以描述各個元件，但是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語用于將一個元件與另一個元件區(qū)別開。例如，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，可以將第一元件叫做第二元件，并且類似地，可以將第二元件叫做第一元件。如本文所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個所列的相關(guān)聯(lián)項(xiàng)目的任何以及所有的組合。

如本文所使用的，術(shù)語“包含”、“包括”、“具有”、“容納”、“關(guān)于”等應(yīng)該被理解為開放式的，即，意味著包括但不限于。

整篇說明書中提及“一個實(shí)施例”或“實(shí)施例”，意味著結(jié)合該實(shí)施例所描述的特別的部件、結(jié)構(gòu)、實(shí)施方式或特征包括在本發(fā)明的至少一個實(shí)施例中。因此，整篇說明書的多個地方使用的短語“在一個實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”無須全部涉及相同的實(shí)施例。此外，特別的部件、結(jié)構(gòu)、實(shí)施方式或特征可以在一個或多個實(shí)施例中以任何合適的方式結(jié)合。

圖1是示出了半導(dǎo)體器件的單元布局100的頂視圖。單元布局100包括半導(dǎo)體器件的單元塊cb1。在一些實(shí)施例中，單元塊cb1是半導(dǎo)體器件的基本單元單位，例如包括晶體管、開關(guān)、邏輯柵極、寄存器、逆變器、比較器、時鐘緩沖等。許多單元塊在一個半導(dǎo)體器件中實(shí)施，并且這些基本單元塊連接在一起以執(zhí)行包括諸如存儲、加法、乘法、比較等一些功能。在一些實(shí)施例中，圖1中示出的單元布局100存儲在單元布局庫中并且被視為標(biāo)準(zhǔn)單元布局。

在一些實(shí)施例中，每個單元塊都被配置為具有一些用于傳輸信號的引腳。在圖1中示出的實(shí)施例中，單元塊cb1包括四個引腳pin1、pin2、pin3以及pin4。在這四個引腳中，引腳pin1是與時鐘相關(guān)的引腳。為了說明，引腳pin1是單元塊cb1的時鐘輸入引腳以接收來自系統(tǒng)時鐘產(chǎn)生器(圖中未示出)的時鐘信號。單元塊cb1的時序通過引腳pin1控制，使得單元塊cb1與半導(dǎo)體器件中的其它單元塊同步。在一些實(shí)施例中，取決于單元塊cb1的功能，其它引腳pin2、pin3以及pin4每個被配置為數(shù)據(jù)輸入引腳、控制信號輸入引腳、輸出引腳和/或使能引腳的一個。為了說明的目的，給定圖1中的單元塊cb1的引腳的數(shù)量。單元塊cb1的不同數(shù)量的引腳都在本發(fā)明所保護(hù)的范圍內(nèi)。

在圖1中示出的單元布局中，在一些實(shí)施例中，與時鐘相關(guān)的引腳pin1與其它引腳pin2至pin4一同在單元布局100的較下金屬層上實(shí)現(xiàn)。為了說明，在第一金屬層(例如，m1層)上實(shí)施與時鐘相關(guān)的引腳pin1。

為了確保不同的單元塊的同步，通常采用時鐘樹以相同的時序?qū)⒏鲿r鐘信號分配至每個單元塊。在時鐘樹生成(spanning)期間，首先對時鐘樹的時鐘樹干(clock-trunk)全局布線，并且將一些時鐘緩沖器放置在時鐘樹上的不同位置以提高時鐘信號。之后，為時鐘葉連接分配各層和各軌道。最后，為時鐘葉與所有單元塊的時鐘引腳之間的時鐘葉連接分配詳細(xì)的布線。

在通常的電路設(shè)計(jì)中，電路元件用自動合成工藝輔以電子設(shè)計(jì)自動化(eda)工具來布置，以優(yōu)化空間和/或電路性能。然而，目前的eda工具對布線圖案(特別是對較下部的金屬層)控制不佳并且在時鐘布線時可能誘發(fā)許多sem問題或沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)。在合成工藝期間，通過eda工具建立的時鐘布線的葉布線(leafwiring)可以占用不必要的資源(例如，布局上的布線空間)并且明顯影響信號的可布線性。

在圖1中示出的單元布局100中，單元塊cb1的引腳pin1是時鐘信號的分接點(diǎn)。來自時鐘樹的時鐘信號連接至在單元塊cb1中的引腳pin1。然而，單元布局100中的較下的金屬層(例如，m1層和m2層)通常被許多信號布線占據(jù)。當(dāng)時鐘葉與所有的單元塊的時鐘引腳之間時鐘葉連接由電子設(shè)計(jì)自動化(eda)工具自動生成時，時鐘葉連接通常采用狹窄信號布線或者時鐘葉連接可以與許多其他信號的布線重疊(或鄰近)。因?yàn)榻?jīng)過時鐘葉連接傳輸?shù)臅r鐘信號易受其它信號的影響，這些時鐘葉連接將沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號的電磁(sem)模擬測試。

參考圖2和圖3。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元布局110的頂視圖。圖3是示出了沿著圖2中示出的截線a-a截取的單元布局110的截面圖。如圖2中示出的，單元布局110包括單元塊cb1和分接連接件(tappingconnector)tap1。

單元塊cb1包括與時鐘相關(guān)的引腳pin1。與時鐘相關(guān)的引腳pin1設(shè)置在單元布局110中的第n金屬層。在一些實(shí)施例中，n是大于或者等于0的整數(shù)。在一些實(shí)施例中，為了說明，在第(n+1)金屬層和第(n+2)金屬層處設(shè)置分接連接件tap1，因此分接連接件tap1疊置在單元塊cb1的與時鐘相關(guān)的引腳pin1之上。

分接連接件tap1電連接至與時鐘相關(guān)的引腳pin1并且形成單元塊cb1的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的等效分接點(diǎn)，使得時鐘樹的布線可以更容易(不需要找出到達(dá)位于較下金屬層中的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的路徑)。因此，時鐘樹能夠通過位于第(n+2)金屬層上的相對更高的金屬層上的與時鐘相關(guān)的引腳pin1而分接至單元塊cb1。在其它一些實(shí)施例中，分接連接件(圖中未示出)設(shè)置和堆疊在單元塊cb1中與時鐘不相關(guān)的引腳pin2至pin4的至少一個的上面，并且分接連接件形成單元塊cb1的與時鐘不相關(guān)的引腳pin2至pin4的等效分接點(diǎn)。

在圖3中示出的實(shí)施例中，在第一金屬層(例如，m1層)處設(shè)置與時鐘相關(guān)的引腳pin1。在一些實(shí)施例中，n是大于或者等于0的整數(shù)。與時鐘相關(guān)的引腳pin1通過連接通孔via0電連接至半導(dǎo)體器件的有源層od。在一些實(shí)施例中，與時鐘相關(guān)的引腳pin1通過接觸件(未示出)電連接至半導(dǎo)體器件的有源層od。在一些實(shí)施例中，與時鐘相關(guān)的引腳pin1通過接觸件(未示出)或通孔電連接至半導(dǎo)體器件的poly或者柵極層(未示出)。分接連接件tap1包括第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2。為了說明目的，分接連接件tap1僅包括在兩個金屬層中的兩個金屬互連件，可以理解的是，分接連接件tap1可以包括在k個金屬層中的j個金屬互連件，其中，j、k是大于或者等于1的整數(shù)。在一些實(shí)施例中，j等于k。在一些實(shí)施例中，j大于k。

如圖2中和圖3中示出的，第一金屬互連件int1設(shè)置在第(n+1)金屬層(例如，第二金屬層m2)并且堆疊在單元塊cb1的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的上方。第一金屬互連件int1通過另一連接通孔via1電連接至與時鐘相關(guān)的引腳pin1。

第二金屬互連件int2設(shè)置在第(n+2)金屬層(例如，第三金屬層m3)并且堆疊在第一金屬互連件int1的上方。第二金屬互連件int2通過另一連接通孔via2電連接至第一金屬互連件int1。第二金屬互連件int2形成單元塊cb1的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的等效分接點(diǎn)。時鐘樹能夠分接在第二金屬互連件int2上而不是直接連接至單元塊cb1的與時鐘相關(guān)的引腳pin1。相比于沒有分接連接件tap1的一些方法，對于時鐘樹生成，其更易于將時鐘葉連接至等效分接點(diǎn)，例如在圖3中m3層上的第二金屬互連件int2。

在一些實(shí)施例中，在圖2中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第一金屬互連件int1的寬度wd1為圖3中m2層上的最小跡線的寬度的1至3倍。根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第二金屬互連件int2的寬度wd2為m3層上的最小跡線的寬度的1至3倍。

當(dāng)寬度wd1或?qū)挾葁d2減少時，將會增加流過第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2的電流密度，并且經(jīng)過第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2傳輸?shù)臅r鐘信號將會受到sem噪音的影響并且面臨drc問題。

當(dāng)寬度wd1或?qū)挾葁d2增加時，將會減少流過第一金屬互連件int1或第二金屬互連件int2的電流密度，因此將防止sem噪音和drc問題。

在一些實(shí)施例中，寬度wd1被指定為約為m2層上的最小跡線的寬度的2倍，并且寬度wd2被指定為約為m3層上的最小跡線的寬度的2倍。在m2/m3層上的最小跡線的寬度由取決于不同制造工藝比例的制造規(guī)則或者設(shè)計(jì)規(guī)則決定。例如，在16nm的制造工藝下，m2層上的最小跡線的寬度為大約32納米(nm)并且在m3層上的最小跡線的寬度為大約38納米(nm)

如圖2中示出的實(shí)施例，第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2是加寬的互連件，在一些實(shí)施例中，其具有的寬度是對應(yīng)層上的最小跡線的寬度的2倍，使得在第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2上的sem噪音減少，并且第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2的寬度將會滿足設(shè)計(jì)規(guī)則中限定的寬度要求。

在一些實(shí)施例中，寬度wd2是寬度wd1的0.5倍至3倍。在一些實(shí)施例中，為了平衡drc/sem問題與布線資源之間的折衷，寬度wd2被指定為寬度wd1的0.6至0.67倍。

為了說明，當(dāng)寬度wd2被指定為寬度wd1的0.6至0.67倍時，與wd2被指定為寬度wd1的0.5至0.6倍相比，單元布局110具有較少的drc失效和更多的sem益處。另一方面，當(dāng)wd2被指定為寬度wd1的0.6至0.67倍時，與wd2被指定為寬度wd1的0.67至3倍相比，單元布局110具有sem益處并且能夠通過drc而無需犧牲過多的布線資源。

包括圖2和圖3中示出的單元塊cb1連同分接連接件tap1的單元布局110存儲在除圖1中示出的單元布局100之外的單元布局庫中。單元布局110視為對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局(例如，圖1中示出的單元布局100)的替代單元布局。

針對合成工藝中采用的標(biāo)準(zhǔn)單元布局(例如，單元布局100)沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁(sem)模擬測試，替代單元布局(例如，單元布局110)用于替代合成工藝中的標(biāo)準(zhǔn)單元布局。

在上述的實(shí)施例中，單元塊cb1是序向單元(sequentialcell)(例如，單元塊用作晶體管，邏輯門或反相器)。在序向單元中，只有一個引腳是與時鐘相關(guān)的引腳。然而，在一些專用單元中，一個單元塊中存在有多個與時鐘相關(guān)的引腳。例如，時鐘緩沖器的輸入引腳和輸出引腳都是與時鐘相關(guān)的引腳。

現(xiàn)在參考圖4和圖5。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一單元布局200的頂視圖。圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的具有分接連接件tap2至tap3的另一單元布局210的頂視圖。

圖4中示出的單元布局200的單元塊cb2具有兩個引腳pin1和pin2。在一些實(shí)施例中，單元塊cb2的兩個引腳pin1和pin2全都是與時鐘相關(guān)的引腳。

在圖5中示出的單元布局210中，在單元塊cb2的與時鐘相關(guān)的引腳pin1和pin2的上方堆疊有兩個分接連接件tap2和tap3。分接連接件tap2包括第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2。分接連接件tap3包括第三金屬互連件int3和第四金屬互連件int4。關(guān)于分接連接件tap2的第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2的細(xì)節(jié)和關(guān)于分接連接件tap3的第三金屬互連件int3和第四金屬互連件int4的細(xì)節(jié)可參考上述實(shí)施例中分接連接件tap1的描述，因此這里不再重復(fù)。

在一些實(shí)施例中，第一金屬互連件int1的尺寸相似于第三金屬互連件int3的尺寸，而第二金屬互連件int2的尺寸相似于第四金屬互連件int4的尺寸。

為了簡要的說明，int2/int1表示第二金屬互連件int2的尺寸與第一金屬互連件int1的尺寸的比例，而int4/int3表示第四金屬互連件int4的尺寸與第三金屬互連件int3的尺寸的比例。在不同實(shí)施例中，int4/int3大于int2/int1。在其它實(shí)施例中，int4/int3介于(int2/int1)/2和(int2/int1)×2之間。

在一些實(shí)施例中，第二金屬互連件int2的寬度為第一金屬互連件int1的寬度的0.5至3倍。在一些實(shí)施例中，第二金屬互連件int2的寬度被指定為第一金屬互連件int1的寬度的0.6至0.67倍。

在一些實(shí)施例中，第二金屬互連件int4的寬度為第一金屬互連件int3的寬度的0.5至3倍。在一些實(shí)施例中，第二金屬互連件int4的寬度被指定為第一金屬互連件int3的寬度的0.6至0.67倍。

為了說明目的，分接連接件tap2/tap3在兩個金屬層中僅包括兩個金屬互連件，可以理解的是，分接連接件tap2/tap3可在k個金屬層中包括j個金屬互連件，其中，j、k是大于或者等于1的整數(shù)。在一些實(shí)施例中，j等于k。在一些實(shí)施例中，j大于k。

在一些實(shí)施例中，單元布局200作為標(biāo)準(zhǔn)單元布局存儲在單元布局中。包括圖5中示出的單元塊cb2連同分接連接件tap1至tap2的單元布局210存儲在除圖4中示出的單元布局200之外的單元布局庫中。單元布局210被視為對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局(即，圖4中示出的單元布局200)的替代單元布局。

圖2至圖5中的上述實(shí)施例已經(jīng)公開了包括分接連接件的單元布局。在一些實(shí)例中，分接連接件包括堆疊在單元塊內(nèi)的一個或多個與時鐘相關(guān)的引腳上的加寬金屬互連件。加寬金屬互連件減少了旁路信號(例如，時鐘信號)的電流密度，因此減少了沒有通過drc的風(fēng)險。實(shí)施例中的單元布局降低了在較低層處布線圖案的復(fù)雜性，并且也減少了其他接線對與時鐘相關(guān)的引腳的sem影響。

現(xiàn)在參考圖6和圖7。圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元布局310的頂視圖。圖7是示出了沿著圖6中示出的截線b-b截取得到的單元布局310的截面圖。圖6中公開的單元布局310表示了對應(yīng)于圖1中示出的單元布局100(標(biāo)準(zhǔn)單元布局)的替代單元布局的另一實(shí)例。

如圖6中示出的，單元布局310包括單元塊cb3和分接連接件tap4。單元塊cb3包括與時鐘相關(guān)的引腳pin1和其它引腳pin2至pin4。與時鐘相關(guān)的引腳pin1和其它引腳pin2至pin4設(shè)置在單元布局310中的第n金屬層。在一些實(shí)施例中，n等于1，因此與時鐘相關(guān)的引腳pin1設(shè)置在第一金屬層(m1)處。在其它的一些實(shí)施例中，n是大于或者等于0的整數(shù)。

如圖6和圖7中示出的，分接連接件tap4設(shè)置在第(n+1)金屬層(第二金屬層，m2)和第(n+2)金屬層(第三金屬層，m3)。分接連接件tap4堆疊在單元塊cb3的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的上方。分接連接件tap4電連接至與時鐘相關(guān)的引腳pin1并且形成單元塊cb3的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的等效分接點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，分接連接件tap4可以電連接至除了與時鐘相關(guān)的引腳的引腳。

為了說明目的，分接連接件tap4在兩個金屬層中僅包括兩個金屬互連件，可以理解的是，分接連接件tap4可在k個金屬層中包括j個金屬互連件，其中，j、k是大于或者等于1的整數(shù)。在一些實(shí)施例中，j等于k。在一些實(shí)施例中，j大于k。

分接連接件tap4包括多個第一金屬互連件和多個第二金屬互連件。在圖6中和圖7中示出的實(shí)施例中，在分接連接件tap4中有三個第一金屬互連件int1a至int1c和兩個第二金屬互連件int2a至int2b。為了說明，第一金屬互連件int1a至int1c和兩個第二金屬互連件int2a至int2b形成3×2互連件網(wǎng)格。圖6和圖7僅示出了三個第一金屬互連件int1a至int1c和兩個第二金屬互連件int2a至int2b，但是出于說明的目的給定它們。不同數(shù)量的第一/第二金屬互連件都在本發(fā)明所保護(hù)的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，互連件網(wǎng)格是a×b網(wǎng)格。a和b均是大于或者等于1的正整數(shù)。

第一金屬互連件int1a至int1c設(shè)置在第二金屬層(m2)處。第一金屬互連件int1a至int1c互相平行。第一金屬互連件int1a至int1c中的至少一個堆疊在與時鐘相關(guān)的引腳pin1的上方并且通過連接通孔via1電連接至與時鐘相關(guān)的引腳pin1

第二金屬互連件int2a至int2b設(shè)置在第三金屬層(m3)處。第二金屬互連件int2a至int2b互相平行。第二金屬互連件int2a至int2b堆疊在第一金屬互連件int1a至int1c的上方。第二金屬互連件int2a至int2b被設(shè)置為垂直于第一金屬互連件int1a至int1c，使得第一金屬互連件int1a至int1c和第二金屬互連件int2a至int2b形成3×2網(wǎng)格。第二金屬互連件int2a至int2b通過連接通孔via2電連接至第一金屬互連件int1a至int1c。第二金屬互連件int2至int2b形成單元塊cb3的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的等效分接點(diǎn)。

圖6和圖7中的上述實(shí)施例已經(jīng)公開了包括分接連接件的單元布局。在一些實(shí)施例中，分接連接件包括堆疊在單元塊中的一個或多個與時鐘相關(guān)的引腳上的金屬互連件網(wǎng)格。金屬互連件網(wǎng)格減少了旁路信號(例如，時鐘信號)的電流密度，因此降低了沒有通過drc的風(fēng)險。單元布局中本來位于較低金屬層處的與時鐘相關(guān)的引腳通過分接連接件預(yù)堆疊至更高的金屬層，從而降低了單元布局中較下層處布線圖案的復(fù)雜度。通過加寬金屬互連件或金屬互連件網(wǎng)格形成分接連接件，使得旁路電流不會擁堵在沿著布線圖案的狹窄路徑中。因此，時鐘信號通過分接連接件傳輸至與時鐘相關(guān)的引腳，而不是通過狹窄路徑傳輸。結(jié)果，避免了來自周圍其他接線的sem影響。

此外，當(dāng)單元塊cb3包括不只一個與時鐘相關(guān)的引腳(圖中未示出)時，對其它與時鐘相關(guān)的引腳施用附加的金屬互連件網(wǎng)格(例如，分接連接件tap4)。這些細(xì)節(jié)可以參考圖5中公開的實(shí)施例，其中，單元塊210包括多個與鐘相關(guān)的引腳和多個分接連接件。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第一金屬互連件int1a至int1c的每個的寬度wd3都長于m2層上的最小跡線的寬度，并且根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第二金屬互連件int2a至int2b的每個的寬度wd4都長于m3層上的最小跡線的寬度。

在一些實(shí)施例中，寬度wd3是寬度wd4的q倍。在一些實(shí)施例中，q是例如從0.7至1.5的正值。在其它一些實(shí)施例中，q是例如從0.85至0.9的正值。

在一些實(shí)施例中，第一金屬互連件int1a至int1c的每個的寬度wd3相似于第二金屬互連件int2a至int2b的每個的寬度wd4。

在其它的一些實(shí)施例中，第一金屬互連件int1a至int1c的每個的寬度wd3不同于第二金屬互連件int2a至int2b的每個的寬度wd4。

現(xiàn)在參考圖8。圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元布局410的頂視圖。在圖8中公開的單元布局410表示對應(yīng)于圖1中示出的單元布局100(標(biāo)準(zhǔn)單元布局)的替代單元布局的另一實(shí)施例。

單元布局410包括單元塊cb4和分接連接件tap5。單元塊cb4包括與時鐘相關(guān)的引腳pin1和其它引腳pin2至pin4。與時鐘相關(guān)的引腳pin1和其它引腳pin2至pin4設(shè)置在單元布局410中的第n金屬層。在一些實(shí)施例中，n等于1，因此與時鐘相關(guān)的引腳pin1設(shè)置在第一金屬層(m1)處。在一些實(shí)施例中，n是大于或者等于0的整數(shù)。

出于說明目的，分接連接件tap5僅包括在兩個金屬層中的兩個金屬互連件，可以理解的是，分接連接件tap5可以包括k個金屬層中的j個金屬互連件，其中，j、k是正整數(shù)并且大于或者等于1。在一些實(shí)施例中，j等于k。在一些實(shí)施例中，j大于k。

分接連接件tap5是圖5和圖6中示出的實(shí)施例的結(jié)合。分接連接件tap5包括第一金屬互連件int1和多個第二金屬互連件int2a至int2b。第一金屬互連件int1設(shè)置在第二金屬層(m2)處并且堆疊在與時鐘相關(guān)的引腳pin1的上方。第一金屬互連件int1電連接至與時鐘相關(guān)的引腳pin1。

第二金屬互連件int2a至int2b設(shè)置在第三金屬層(m3)處。第二金屬互連件int2a至int2b互相平行。第二金屬互連件int2a至int2b堆疊在第一金屬互連件int1上方并且被設(shè)置為垂直于第一金屬互連件int1。第二金屬互連件int2a至int2b電連接至第一金屬互連件int1。第二金屬互連件int2至int2b形成單元塊cb4的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第一金屬互連件的寬度wd5是第二金屬層上的最小跡線的寬度的1至3倍，并且根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第二金屬互連件int2a至int2b的每個的寬度wd6長于m3層上的最小跡線的寬度。

在一些實(shí)施例中，第一金屬互連件int1的寬度wd5不同于第二金屬互連件int2a至int2b的每個的寬度wd6。

在一些實(shí)施例中，寬度wd5是寬度wd6的r倍。在一些實(shí)施例中，r是例如從1.5至5的正值。在其它的一些實(shí)施例中，r是例如從1.7至2.7的正值。

參考圖9。圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的單元布局510的頂視圖。圖9中公開的單元布局510表示對應(yīng)于圖1中示出的單元布局100(標(biāo)準(zhǔn)單元布局)的替代單元布局的不同實(shí)施例。

單元布局510包括單元塊cb5和分接連接件tap6。單元塊cb5包括與時鐘相關(guān)的引腳pin1和其它引腳pin2至pin4。與時鐘相關(guān)的引腳pin1和其它引腳pin2至pin4設(shè)置在單元布局510中的第n金屬層。在一些實(shí)施例中，n等于1，因此與時鐘相關(guān)的引腳pin1設(shè)置在第一金屬層(m1)處。在一些實(shí)施例中，n是大于或者等于0的整數(shù)。

為了說明目的，分接連接件tap5僅包括在兩個金屬層中的兩個金屬互連件，可以理解的是，分接連接件tap5可以包括k個金屬層中的j個金屬互連件，其中，j、k是整數(shù)并且大于或者等于1。在一些實(shí)施例中，j等于k。在一些實(shí)施例中，j大于k。

分接連接件tap6是在圖5和圖6中示出的實(shí)施例的結(jié)合。分接連接件tap6包括多個第一金屬互連件int1a至int1c和第二金屬互連件int2。第一金屬互連件int1a至int1c設(shè)置在第二金屬層處。第一金屬互連件int1a至int1c互相平行。第一金屬互連件int1a至int1c中的至少一個堆疊在與時鐘相關(guān)的引腳pin1的上方并且電連接至與時鐘相關(guān)的引腳pin1。

第二金屬互連件int2設(shè)置在第三金屬層m3處并且堆疊在第一金屬互連件int1a至int1c的上方。第二金屬互連件int2電連接至第一金屬互連件int1a至int1c，并且第二金屬互連件int2形成單元塊cb5中的與時鐘相關(guān)的引腳pin1的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第一金屬互連件int1a至int1c的每個的寬度wd7長于第二金屬層上的最小跡線的寬度，并且根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，第二金屬互連件int2的寬度wd8是第三金屬層上的最小跡線的寬度的3倍。

在一些實(shí)施例中，第一金屬互連件int1a至int1c的每個的寬度wd7不同于第二金屬互連件int2的寬度wd8。

在一些實(shí)施例中，寬度wd7是寬度wd8的t倍。在一些實(shí)施例中，t是例如從0.3至0.7的正值。在其他一些實(shí)施例中，t是例如從0.33至0.55的正值。

在上述實(shí)施例中，圖3中示出的在第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2之間的連接通孔via2整體形成。參考圖10a和圖10b。圖10a是示出了第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2之間的連接通孔的其它實(shí)施例的頂視圖。圖10b是示出了在第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2之間的連接通孔的又一實(shí)施例的頂視圖。

如圖10a中示出的，在第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2之間的連接通孔via2包括1×2的通孔陣列。1×2的通孔陣列通過在第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2之間的兩個獨(dú)立的通孔形成。當(dāng)?shù)诙饘倩ミB件int2的寬度wd2被指定為第一金屬互連件int1的寬度wd1的0.6至0.67倍時，1×2的通孔陣列適合來減少sem噪音。

如圖10b中示出的，在第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2之間的連接通孔via2包括2×2的通孔陣列。2×2的通孔陣列通過在第一金屬互連件int1和第二金屬互連件int2之間的四個獨(dú)立的通孔形成。當(dāng)?shù)诙饘倩ミB件int2的寬度wd2被指定為長于第一金屬互連件int1的寬度wd1時，2×2的通孔陣列適合來減少sem噪音。

參考圖11，其是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲在非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上的單元布局庫600的示意圖。單元布局庫600與用于限定布局設(shè)計(jì)的單元布局相關(guān)，處理器利用布局設(shè)計(jì)來制造半導(dǎo)體器件的至少一個方面。單元布局庫600包括標(biāo)準(zhǔn)單元布局cl1至cl2以及替代單元布局cl1a至cl1c和cl2a至cl2c。

每個標(biāo)準(zhǔn)單元布局(例如，在圖1中的單元布局100和在圖4中單元布局200)都包括具有與時鐘相關(guān)的引腳的單元塊。

每個替代單元布局cl1a至cl2c都對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局cl1至cl2的一個。在實(shí)施例中，替代單元布局cl1a至cl1c對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局cl1。替代單元布局cl2a至cl2c對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局cl2。

每個替代單元布局cl1a至cl2c都包括對應(yīng)的單元塊和分接連接件。對應(yīng)的單元塊等效于標(biāo)準(zhǔn)單元布局的單元塊。為了說明，圖2中的單元布局100、圖6中的單元布局310、圖8中的單元布局410以及圖9中的單元布局510是對應(yīng)于圖1中的單元布局100的替代單元布局。圖5中的單元布局210是對應(yīng)于圖4中的單元布局200的替代單元布局。

分接連接件堆疊在單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的上方。分接連接件形成對應(yīng)單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。分接連接件的細(xì)節(jié)在上述實(shí)施例中已提及，因此在此不再重復(fù)。

針對合成工藝中采用的標(biāo)準(zhǔn)單元布局沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁(sem)模擬測試，替代單元布局用于在合成工藝中替代標(biāo)準(zhǔn)單元布局。為了說明，如果圖1中的單元布局100在合成過程中采用并且沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁(sem)模擬測試，使用選自圖2中的單元布局110、圖6中的單元布局310、圖8中的單元布局410和圖9中的單元布局510中的一個替代單元布局以替代圖1中的單元布局100。然后，具有替代單元布局的布局規(guī)劃再次參與至合成工藝中。由于替代單元具有預(yù)堆疊在與時鐘相關(guān)的引腳上的分接連接件，具有替代單元布局的布局規(guī)劃通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁(sem)模擬測試具的機(jī)會更大。在一些實(shí)施例中，分接連接件預(yù)堆疊在單元布局中的與時鐘無關(guān)的引腳上。

在一些實(shí)施例中，一個替代單元布局內(nèi)的分接連接件是預(yù)堆疊在對應(yīng)的單元塊(參考圖2中的單元布局110)的與時鐘相關(guān)的引腳之上的加寬金屬互連件。根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，每個加寬金屬互連件的寬度是對應(yīng)金屬層上的最小跡線的寬度的1至3倍。

在一些實(shí)施例中，一個替代單元布局內(nèi)的分接連接件是預(yù)堆疊在對應(yīng)的單元塊(參考圖6中的單元布局310、圖8中的單元布局410或者圖9中的單元布局510)的與時鐘相關(guān)的引腳之上的互連件網(wǎng)格?；ミB件網(wǎng)格包括多個設(shè)置在兩個不同金屬層上的金屬互連件。金屬連接件彼此電連接。

參考圖12，其示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的合成方法700的流程圖。合成方法700適于根據(jù)單元布局庫來合成半導(dǎo)體器件。單元布局庫包括標(biāo)準(zhǔn)單元布局和對應(yīng)的替代單元布局(參考圖10中的單元布局庫600)。

執(zhí)行合成方法700的操作s701，以在初始時根據(jù)單元布局庫中的標(biāo)準(zhǔn)單元布局來規(guī)劃半導(dǎo)體器件。

執(zhí)行合成方法700的操作s702，以形成對于標(biāo)準(zhǔn)單元布局的布線圖案。在一些實(shí)施例中，布線圖案包括時鐘布線和信號布線，

執(zhí)行操作s703，以對布線圖案執(zhí)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(和/或信號電磁模擬實(shí)驗(yàn)，sem實(shí)驗(yàn))，以檢測是否在布局規(guī)劃中存在電流擁堵區(qū)域(或者是否在布局規(guī)劃中存在狹窄布線)。

執(zhí)行操作s704，以確定是否標(biāo)準(zhǔn)單元布局的至少一個通過drc和/或sem實(shí)驗(yàn)。在一些實(shí)施例中，在操作s703中，針對布局規(guī)劃，執(zhí)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查和sem測試的一個，并且執(zhí)行操作s704以確定布局規(guī)劃是否通過檢查/檢測。在其它實(shí)施例中，在操作s703中，針對布局規(guī)劃，執(zhí)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查和sem測試兩者，并且執(zhí)行操作s704以確定是否布局規(guī)劃通過它們兩者或者沒有通過它們中的一個。

如果標(biāo)準(zhǔn)單元布局通過drc，則執(zhí)行操作s705，以根據(jù)布局規(guī)劃直接合成半導(dǎo)體器件。

如果標(biāo)準(zhǔn)單元布局中的至少一個沒有通過drc(和/或信號電磁模擬實(shí)驗(yàn))，執(zhí)行操作s711至s713。執(zhí)行操作711，以明確標(biāo)準(zhǔn)單元布局中的至少哪一個沒有通過drc(或者sem實(shí)驗(yàn))。執(zhí)行操作712，通過用單元布局庫中的替代單元布局來替代沒有通過drc(或者sem)的標(biāo)準(zhǔn)單元布局來調(diào)整布局規(guī)劃。隨后，執(zhí)行操作s713，以形成對于標(biāo)準(zhǔn)單元布局的布線圖案并且形成調(diào)整后的布局規(guī)劃中的替代單元布局。然后，根據(jù)調(diào)整后的布局規(guī)劃，執(zhí)行操作s705以合成半導(dǎo)體器件。

圖11和圖12中的上述實(shí)施例已經(jīng)公開了單元布局庫600和合成方法700。針對標(biāo)準(zhǔn)單元布局沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁(sem)模擬測試，替代單元布局用于替代標(biāo)準(zhǔn)單元布局。在一些實(shí)施例中，替代單元布局的每個都包括分接連接件。分接連接件可以減少旁路信號(例如，時鐘信號)的電流密度，因此降低了沒有通過drc的風(fēng)險。實(shí)施例中的單元布局降低了較下層處的布線圖案的復(fù)雜度，并且也降低了其他接線對與時鐘相關(guān)的引腳的sem影響。

在一些實(shí)施例中，公開了一種單元布局，包括單元塊和分接連接件。單元塊包括與時鐘相關(guān)的引腳。與時鐘相關(guān)的引腳設(shè)置在單元布局中的第n金屬層。分接連接件設(shè)置在第n金屬層上方的至少一個金屬層并且堆疊在單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的上方。分接連接件電連接至與時鐘相關(guān)的引腳并且形成單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，n是大于或者等于0的整數(shù)。

在一些實(shí)施例中，所述分接連接件包括：第一金屬互連件，設(shè)置在第(n+1)金屬層處并且堆疊在所述與時鐘相關(guān)的引腳的上方，所述第一金屬互連件電連接至所述與時鐘相關(guān)的引腳；以及第二金屬互連件，設(shè)置在第(n+2)金屬層處并且堆疊在所述第一金屬互連件的上方，所述第二金屬互連件電連接至所述第一金屬互連件，并且所述第二金屬互連件形成所述單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，所述第一金屬互連件的第一寬度是所述第(n+1)金屬層上的最小跡線的寬度的1至3倍，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，所述第二金屬互連件的第二寬度是所述第(n+2)金屬層上的最小跡線的寬度的1至3倍，并且所述第二寬度是所述第一寬度的0.5至3倍。

在一些實(shí)施例中，所述分接連接件包括：多個第一金屬互連件，設(shè)置在第(n+1)金屬層處，所述多個第一金屬互連件彼此平行，所述多個第一金屬互連件的至少一個堆疊在所述與時鐘相關(guān)的引腳的上方并且電連接至所述與時鐘相關(guān)的引腳；以及多個第二金屬互連件，設(shè)置在第(n+2)金屬層處，所述多個第二金屬互連件彼此平行，所述多個第二金屬互連件堆疊在所述多個第一金屬互連件的上方并且垂直于所述多個第一金屬互連件，所述多個第二金屬互連件電連接至所述多個第一金屬互連件，并且所述多個第二金屬互連件形成所述單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，所述分接連接件包括：第一金屬互連件，設(shè)置在第(n+1)金屬層處并且堆疊在所述與時鐘相關(guān)的引腳上方，所述第一金屬互連件電連接至所述與時鐘相關(guān)的引腳；以及多個第二金屬互連件，設(shè)置在第(n+2)金屬層處，所述多個第二金屬互連件彼此平行，所述多個第二金屬互連件堆疊在所述第一金屬互連件的上方并且垂直于所述第一金屬互連件，所述多個第二金屬互連件電連接至所述第一金屬互連件，并且所述多個第二金屬互連件形成所述單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，所述第一金屬互連件的寬度是在所述第(n+1)金屬層上的最小跡線的寬度的1至3倍。

在一些實(shí)施例中，所述分接連接件包括：多個第一金屬互連件，設(shè)置在第(n+1)金屬層處，所述多個第一金屬互連件彼此平行，所述多個第一金屬互連件的至少一個堆疊在所述與時鐘相關(guān)的引腳的上方并且電連接至所述與時鐘相關(guān)的引腳；以及第二金屬互連件，設(shè)置在第(n+2)金屬層處并且堆疊在所述多個第一金屬互連件的上方，所述第二金屬互連件電連接至所述多個第一金屬互連件，并且所述第二金屬互連件形成所述單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，所述第二金屬互連件的寬度是在所述第(n+2)金屬層上的最小跡線的寬度的1至3倍。

在一些實(shí)施例中，所述單元塊存儲在單元布局庫中并且被視為標(biāo)準(zhǔn)單元布局，所述單元塊和所述分接連接件存儲在所述單元布局庫中并且被視為所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局的替代單元布局。

在一些實(shí)施例中，所述引腳是所述單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳，針對合成工藝中采用的所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁(sem)模擬測試，所述替代單元布局用于在所述合成工藝中替代所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局。

也公開了在非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上存儲的單元布局庫。單元布局庫與用于限定布局設(shè)計(jì)的單元布局相關(guān)，處理器利用布局設(shè)計(jì)來制造半導(dǎo)體器件的至少一個方面。單元布局庫包括標(biāo)準(zhǔn)單元布局和至少一個對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局的替代單元布局。標(biāo)準(zhǔn)單元布局包括具有與時鐘相關(guān)的引腳的單元塊。至少一個替代單元布局對應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)單元布局。至少一個替代單元布局的每個包括第二單元塊和分接連接件。第二單元塊等效于標(biāo)準(zhǔn)單元布局的第一單元塊。分接連接件堆疊在第二單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的上方。分接連接件形成第二單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，所述第一單元塊的所述引腳和所述第二單元塊的所述引腳是與時鐘相關(guān)的引腳，并且所述替代單元布局用于替代沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號的電磁(sem)模擬測試的所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局。

在一些實(shí)施例中，在一個替代單元布局內(nèi)的所述分接連接件包括預(yù)堆疊在所述第二單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳上方的加寬金屬互連件。

在一些實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則，每個加寬金屬互連件的寬度是對應(yīng)金屬層上的最小跡線的寬度的1至3倍。

在一些實(shí)施例中，在一個替代單元布局內(nèi)的所述分接連接件包括預(yù)堆疊在所述第二單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳上方的互連件網(wǎng)格。

在一些實(shí)施例中，所述互連件網(wǎng)格包括設(shè)置在兩個不同的金屬層上的多個金屬互連件，所述多個金屬互連件彼此電連接。

還公開了一種合成方法，包括如下操作。根據(jù)單元布局庫中的標(biāo)準(zhǔn)單元布局來規(guī)劃半導(dǎo)體器件。形成對于標(biāo)準(zhǔn)單元布局的布線圖案。對布線圖案執(zhí)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或信號電磁模擬測試。明確標(biāo)準(zhǔn)單元布局的至少哪一個沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查或信號電磁模擬測試。用單元布局庫中的替代單元布局來替代沒有通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢查或信號電磁模擬測試的所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局。

在一些實(shí)施例中，所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局中的每個均包括具有與時鐘相關(guān)的引腳的第一單元塊，并且所述替代單元布局的每個均包括第二單元塊和分接連接件，所述第二單元塊等效于所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局的所述第一單元塊，所述分接連接件堆疊在所述第二單元塊的與時鐘相關(guān)的引腳的上方，所述分接連接件形成所述第二單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳的等效分接點(diǎn)。

在一些實(shí)施例中，針對所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局沒有通過所述設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(drc)或所述信號電磁(sem)模擬測試，所述替代單元布局用于替代所述標(biāo)準(zhǔn)單元布局。

在一些實(shí)施例中，在一個替代單元布局內(nèi)的所述分接連接件是預(yù)堆疊在所述第二單元塊的所述與時鐘相關(guān)的引腳上方的加寬互連件或者互連件網(wǎng)格。

以上論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其他的處理和結(jié)構(gòu)以用于達(dá)到與本發(fā)明所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替代以及改變。