本發(fā)明涉及晶片的加工方法，將晶片分割成各個芯片并形成在芯片的背面上粘貼daf(dieattachfilm：粘片膜)的帶有daf的芯片。

背景技術(shù)：

在芯片接合中，借助一種被稱為daf的粘接帶將各個芯片粘接在基板等上(例如，參照專利文獻1)。近年來，開發(fā)出借助經(jīng)紫外線硬化的粘合層而使劃片帶與daf一體化的帶。該帶的daf側(cè)的一個面粘貼在晶片的背面上而作為晶片的分割時的劃片帶來使用。并且在通過劃片將晶片分割成各個芯片之后，通過紫外線照射來使粘合層硬化從而使daf從劃片帶分離，并在各個芯片的背面僅粘接有daf的狀態(tài)下進行拾取。

專利文獻1：日本特開2014-007332號公報

但是，當(dāng)在芯片的背面存在損傷或碎屑時，在芯片的背面與daf之間殘留有氣泡而產(chǎn)生daf的粘接不良。因此，在通常的芯片接合中，在對粘接有daf的芯片進行拾取而安裝在基板等上之后，對芯片是否正常粘接進行確認。但是，由于在將芯片安裝在基板等上之后確認芯片的粘接狀態(tài)，所以當(dāng)確認出daf的粘接不良時，存在芯片相對于基板等的安裝作業(yè)和芯片被浪費的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于該點而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能夠消除存在粘片膜的粘接不良的芯片的安裝作業(yè)而提高作業(yè)效率。

根據(jù)本發(fā)明，提供晶片的加工方法，該晶片在由交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域內(nèi)分別形成有器件，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：帶粘貼工序，將劃片帶粘貼在晶片的背面上，該劃片帶具有粘片膜和因紫外線的照射而硬化的糊層；存儲工序，在實施了該帶粘貼工序之后，根據(jù)從劃片帶側(cè)對晶片進行拍攝而得的拍攝圖像，對粘片膜與晶片之間處于未粘接狀態(tài)的粘接不良部位的位置進行存儲；分割工序，在實施了該存儲工序之后，將晶片沿著該分割預(yù)定線分割成各個芯片并且對粘片膜進行分割；紫外線照射工序，在實施了該分割工序之后，對劃片帶照射紫外線而使該糊層硬化，使粘合力降低；以及拾取工序，在該紫外線照射工序之后，根據(jù)在該存儲工序中存儲的位置，使粘片膜粘接良好的芯片在該糊層與粘片膜的邊界處分離而對該粘片膜粘接良好的芯片與粘片膜一起進行拾取。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，將具有粘片膜和糊層的劃片帶粘貼在晶片的背面上，并根據(jù)劃片帶側(cè)的晶片的拍攝圖像對粘片膜與晶片之間為未粘接的粘接不良部位的位置進行存儲。然后，在晶片的分割后僅使粘片膜的粘接為良好的芯片在粘片膜與糊層的邊界處分離而對粘接有粘片膜的芯片進行拾取。由于存在粘片膜的粘接不良的芯片不會安裝在基板等上，所以能夠不使芯片的安裝作業(yè)和芯片浪費而提高作業(yè)效率。

本發(fā)明的晶片的其他的加工方法中，該晶片在由交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域內(nèi)分別形成有器件，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：晶片分割工序，將晶片沿著該分割預(yù)定線分割成各個芯片；帶粘貼工序，在實施了該晶片分割工序之后，將擴展帶粘貼在被分割的晶片的背面上，該擴展帶具有粘片膜和因紫外線的照射而硬化的糊層；存儲工序，在實施了該帶粘貼工序之后，根據(jù)從擴展帶側(cè)對分割后的晶片進行拍攝而得的拍攝圖像，將芯片之間的分割線去除，并且對粘片膜與晶片之間處于未粘接狀態(tài)的粘接不良部位的位置進行存儲；粘片膜分割工序，在實施了該存儲工序之后，按照各個芯片對粘片膜進行分割；紫外線照射工序，在實施了該粘片膜分割工序之后，對擴展帶照射紫外線而使該糊層硬化，使粘合力降低；以及拾取工序，在該紫外線照射工序之后，根據(jù)在該存儲工序中存儲的位置，使粘片膜粘接良好的芯片在該糊層與粘片膜的邊界處分離而對該粘片膜粘接良好的芯片與粘片膜一起進行拾取。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，將具有粘片膜和糊層的擴展帶粘貼在分割后的晶片的背面上，并根據(jù)擴展帶側(cè)的晶片的拍攝圖像將芯片之間的分割線去除，并且對粘片膜與晶片之間為未粘接的粘接不良部位的位置進行存儲。因此，不會將分割線誤認為粘接不良部位，能夠僅對粘接不良部位的位置進行存儲。并且，在粘片膜被分割之后僅使粘片膜的粘接為良好的芯片在粘片膜與糊層的邊界處分離而對粘接有粘片膜的芯片進行拾取。由于存在粘片膜的粘接不良的芯片不會安裝在基板等上，所以能夠不使芯片的安裝作業(yè)和芯片浪費而提高作業(yè)效率。

通過本發(fā)明，根據(jù)粘片膜的粘接不良部位的位置而僅對粘片膜的粘接為良好的芯片進行拾取，由此，能夠消除存在粘片膜的粘接不良的芯片的安裝而提高作業(yè)效率。

附圖說明

圖1的(a)是第1實施方式的粘貼有劃片帶的晶片的立體圖，圖1的(b)是其剖視圖。

圖2是示出第1實施方式的磨削工序的一例的局部側(cè)視剖視圖。

圖3是示出第1實施方式的帶粘貼工序的一例的剖視圖。

圖4是示出第1實施方式的存儲工序的一例的剖視圖。

圖5的(a)、(b)、(c)是示出第1實施方式的粘接不良部位的檢測方法的一例的圖。

圖6是示出第1實施方式的保護帶剝離工序的一例的剖視圖。

圖7是示出第1實施方式的分割工序的一例的剖視圖。

圖8是示出第1實施方式的紫外線照射工序的一例的剖視圖。

圖9是示出第1實施方式的拾取工序的一例的剖視圖。

圖10是示出第2實施方式的分割起點形成工序的一例的剖視圖。

圖11是示出第2實施方式的晶片分割工序的一例的局部剖視側(cè)視圖。

圖12是示出第2實施方式的帶粘貼工序的一例的剖視圖。

圖13是示出第2實施方式的存儲工序的一例的剖視圖。

圖14是示出第2實施方式的保護帶剝離工序的一例的剖視圖。

圖15是示出第2實施方式的daf分割工序的一例的剖視圖。

圖16是示出第2實施方式的紫外線照射工序的一例的剖視圖。

圖17是示出第2實施方式的拾取工序的一例的剖視圖。

標(biāo)號說明

10：劃片帶；11：基材帶；12：糊層；13：daf；15：器件；17：保護帶；38：存儲部；70：擴展帶；71：基材帶；72：糊層；73：daf；75：分割線；c：芯片；w：晶片。

具體實施方式

參照附圖對第1實施方式的帶有daf的劃片帶進行說明。圖1的(a)是示出粘貼有劃片帶的晶片的立體圖，圖1的(b)是示出粘貼有劃片帶的晶片的剖視示意圖。

如圖1的(a)和圖1的(b)所示，晶片w形成為大致圓板狀，以借助劃片帶10被環(huán)狀框架14支承的狀態(tài)進行搬送。在晶片w的正面呈格子狀地形成有分割預(yù)定線，在被分割預(yù)定線劃分的各區(qū)域內(nèi)形成有器件15。并且，在晶片w的外周緣形成有表示結(jié)晶方位的槽口16。另外，晶片w例如可以是在半導(dǎo)體基板上形成有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片，也可以是在無機材料基板上形成有光器件的光器件晶片。

劃片帶10具有劃片用的帶和芯片接合用的粘接劑的功能，其構(gòu)成為在基材帶11上隔著糊層12層疊daf13。糊層12是因紫外線的照射而硬化的紫外線硬化樹脂，通過樹脂的硬化來使daf13容易地從基材帶11分離。daf13以粘貼在晶片w的分割后的芯片c(參照圖8)上的狀態(tài)從糊層12分離，并作為芯片c的芯片接合(安裝)時的粘接劑而發(fā)揮功能。這樣，由于劃片帶與daf一體形成，所以省略了daf相對于晶片w的粘貼作業(yè)。

當(dāng)劃片帶10的daf13側(cè)粘貼在晶片w的背面時，由于晶片w的背面的損傷或碎屑等而在daf13的粘貼面與晶片w的背面之間殘留有不少氣泡b。因此，在對晶片w的分割后的芯片c(參照圖8)進行膠接時，存在因芯片c與daf13之間的氣泡b而產(chǎn)生粘接不良的問題。因此，在本實施方式中，在芯片c的膠接前對晶片w與daf13的未粘接部位進行檢查(參照圖4)。由此，不會使用產(chǎn)生了粘接不良的芯片c，消除了膠接不良而提高了作業(yè)效率。

以下，對第1實施方式的晶片的加工方法進行說明。圖2是示出磨削工序的一例的剖視圖，圖3是示出帶粘貼工序的一例的剖視圖，圖4是示出存儲工序的一例的剖視圖，圖5是示出粘接不良部位的檢測方法的一例的剖視圖，圖6是示出保護帶剝離工序的一例的剖視圖，圖7是示出分割工序的一例的剖視圖，圖8是示出紫外線照射工序的一例的剖視圖，圖9是示出拾取工序的一例的剖視圖。

如圖2所示，首先實施磨削工序。在磨削工序中，在晶片w的正面上粘貼有器件保護的保護帶17，晶片w的保護帶17側(cè)保持在磨削裝置的卡盤工作臺21上。磨削單元22一邊旋轉(zhuǎn)一邊接近卡盤工作臺21，通過使磨削磨輪23與晶片w的背面旋轉(zhuǎn)接觸而對晶片w的背面進行磨削。在磨削加工中通過高度計(未圖示)對晶片w的厚度進行實時測量，并對磨削量進行調(diào)整以使高度計的測量結(jié)果接近目標(biāo)的完工厚度。

另外，保護帶17通過紫外線硬化樹脂而粘貼在晶片w的正面上，當(dāng)晶片w被磨削至完工厚度而完成磨削加工時，對保護帶17照射紫外線。這樣，在將劃片帶10粘貼在晶片w上之前，使保護帶17的糊層硬化而使保護帶17容易從晶片w剝離。并且，在本實施方式中，僅對磨削工序進行了說明，但也可以在磨削工序之后實施研磨工序。并且，關(guān)于磨削工序，也可以對晶片w實施粗磨削和精磨削。

如圖3所示，在磨削工序之后實施帶粘貼工序。在帶粘貼工序中，將晶片w的保護帶17側(cè)載置在帶粘貼裝置的中央工作臺31上，并將環(huán)狀框架14載置在圍繞中央工作臺31的外周工作臺32上。然后，通過帶輥33將劃片帶10粘貼在晶片w的背面和環(huán)狀框架14的背面上。另外，關(guān)于帶粘貼工序，如果劃片帶10能夠粘貼在晶片w上，則粘貼方法并沒有限定。例如，也可以通過操作人員來手動實施帶粘貼工序。

如圖4所示，在帶粘貼工序之后實施存儲工序。在存儲工序中，使圖像傳感器36接近帶粘貼裝置的中央工作臺31上的晶片w并通過圖像傳感器36從劃片帶10側(cè)對晶片w進行拍攝。從圖像傳感器36向檢測部37輸出晶片w的拍攝圖像，并通過檢測部37對daf13與晶片w之間的未粘接的粘接不良部位(氣泡b)的位置進行檢測。然后，從檢測部37向存儲部38輸出粘接不良部位的位置，并將daf13的粘接不良部位的位置存儲在存儲部38中。由此，判斷出在晶片w的分割后的芯片c(參照圖8)上是否存在粘接不良部位。

如圖5的(a)所示，關(guān)于daf13(參照圖4)的粘接不良部位，因氣泡b進入daf13與晶片w之間而在晶片w的拍攝圖像上較白地顯示。此時，在以晶片w的槽口16為原點位置的坐標(biāo)系中，對規(guī)定的輝度以上的像素進行查找而檢測出變白的粘接不良部位的像素的坐標(biāo)位置。并且，將示出坐標(biāo)系的各像素屬于晶片w的分割后的哪個芯片c(參照圖8)的對應(yīng)關(guān)系預(yù)先存儲在存儲部38(參照圖4)中。因此，將表示daf13的粘接不良部位的各像素與晶片w的分割后的芯片c相關(guān)聯(lián)地存儲在存儲部38中。

另外，如圖5的(b)所示，在存儲工序中，也可以根據(jù)氣泡b的大小來判斷是否為粘接不良部位。例如，當(dāng)在1個芯片內(nèi)規(guī)定的像素數(shù)以上的像素為白色的情況下判斷為粘接不良部位，當(dāng)在1個芯片內(nèi)低于規(guī)定的像素數(shù)的像素為白色的情況下視為不存在粘接不良的影響。并且，如圖5的(c)所示，也可以在存儲工序中根據(jù)氣泡b的產(chǎn)生位置來判斷是否為粘接不良部位。例如，在1個芯片內(nèi)的中央?yún)^(qū)域a1的像素為白色的情況下判斷為粘接不良部位，在1個芯片內(nèi)的外周區(qū)域a2的像素為白色的情況下視為在芯片c的安裝時氣泡b被擠壓到外側(cè)而不存在粘接不良的影響。

另外，在晶片w的拍攝中，作為圖像傳感器36，也可以使用將拍攝元件縱橫排列的區(qū)域傳感器而從晶片w的上方對晶片w整個面進行拍攝。并且，作為圖像傳感器36，也可以使用將拍攝元件排列成1列且長度為晶片的直徑以上的線傳感器，使線傳感器與晶片w相對地掃描而對晶片w整個面進行拍攝。并且，晶片w的拍攝并不僅限于使用圖像傳感器36的結(jié)構(gòu)，只要使用能夠?qū)瑆的整個面進行拍攝的拍攝裝置即可。

例如，在晶片w的拍攝中，也可以使用具有投光部和受光部的光傳感器(光反射器)。在該情況下，從投光部向晶片w的正面投射測量光，并利用受光部接受來自晶片w的正面的反射光。受光部所接受的經(jīng)晶片w和氣泡b反射的反射光的受光量不同。例如與晶片w相比，受光部所接受的經(jīng)氣泡b反射的反射光的受光量變大，因此使光傳感器對晶片w進行掃描而將產(chǎn)生了反射光的差的受光位置存儲在存儲部38中。在使用了光傳感器的方法中，雖然還另外需要掃描構(gòu)件，但能夠通過將光傳感器的受光部所接受的受光量數(shù)據(jù)化成電壓值，而與使用拍攝圖像相比更快速地進行處理。

如圖6所示，在存儲工序之后實施保護帶剝離工序。在保護帶剝離工序中，將劃片帶10側(cè)保持在帶剝離裝置的卡盤工作臺41上，使保護帶17朝向上方。然后，在保護帶17的外緣側(cè)的一部分上粘貼剝離帶42而借助剝離帶42將保護帶17從晶片w剝離。此時，如上述那樣由于僅保護帶17的糊層(未圖示)事先因硬化而粘合力降低，所以晶片w不會從劃片帶10剝離，僅保護帶17從晶片w剝離。

如圖7所示，在存儲工序之后實施分割工序。在分割工序中，隔著劃片帶10將晶片w保持在切削裝置的卡盤工作臺46上。并且，將切削刀具47定位在晶片w的分割預(yù)定線上，并使切削刀具47的高度下降至能夠?qū)澠瑤?0的daf13進行分割的深度。然后，使卡盤工作臺46相對于高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具47相對移動，由此，通過切削刀具47將晶片w沿著分割預(yù)定線分割成各個芯片c并且對daf13進行分割。

由此，在劃片帶10上晶片w被分割成帶有daf13的各個芯片c。另外，關(guān)于分割工序，只要能夠?qū)af13與晶片w一起沿著分割預(yù)定線進行分割即可。例如，關(guān)于分割加工，也可以通過激光加工在晶片w內(nèi)沿著分割預(yù)定線形成被稱為改質(zhì)層的分割起點，并通過擴展等對分割起點施加外力從而分割成各個芯片c。并且，關(guān)于分割加工，也可以通過燒蝕加工在晶片w上沿著分割預(yù)定線形成加工槽從而分割成各個芯片c。

另外，改質(zhì)層是指因激光光線的照射而使晶片w的內(nèi)部的密度、折射率、機械強度或其他的物理特性變成與周圍不同的狀態(tài)、與周圍相比強度降低的區(qū)域。改質(zhì)層例如是熔融處理區(qū)域、裂紋區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域，也可以是混合了這些的區(qū)域。并且，燒蝕是指如下的現(xiàn)象：當(dāng)激光束的照射強度為規(guī)定的加工閾值以上時，在固體正面上轉(zhuǎn)換成電子、熱、光科學(xué)和力學(xué)能量，其結(jié)果是，爆炸性地釋放出中性原子、分子、正負離子、自由基、簇、電子和光，使固體正面被蝕刻。

如圖8所示，在分割工序之后實施紫外線照射工序。在紫外線照射工序中，隔著劃片帶10將晶片w支承在玻璃等能夠透過紫外線的支承工作臺51上。然后，從設(shè)置于支承工作臺51的下方的紫外線照射燈52對劃片帶10照射紫外線。劃片帶10的基材帶11與daf13之間的糊層12因硬化而粘合力降低。由此，與daf13對基材帶11的粘合力相比，daf13對芯片c的粘合力變高，而容易將芯片c與daf13一起從劃片帶10剝離。

如圖9所示，在紫外線照射工序之后實施拾取工序。在拾取工序中，將拾取裝置的吸附噴嘴56定位在劃片帶10上的各個芯片c的上方。此時，根據(jù)存儲在存儲部38(參照圖4)中的位置，檢測出除了daf13的粘接不良部位(氣泡b)的芯片c之外的daf粘接良好的芯片c，并將吸附噴嘴56定位在daf粘接良好的芯片c的正上方。然后，僅使daf粘接良好的芯片c在糊層12與daf13的邊界處分離，并通過吸附噴嘴56將芯片c與daf13一起拾取。

如以上那樣，根據(jù)第1實施方式的晶片w的加工方法，將具有daf13和糊層12的劃片帶10粘貼在晶片w的背面上，并根據(jù)劃片帶10側(cè)的晶片w的拍攝圖像對daf13與晶片w之間為未粘接的粘接不良部位的位置進行存儲。然后，在晶片w的分割后僅使daf13的粘接為良好的芯片c在daf13與糊層12的邊界處分離而對粘接有daf13的芯片c進行拾取。由于存在daf13的粘接不良的芯片c不會安裝在基板等上，所以不會使芯片c的安裝作業(yè)和芯片c浪費而提高作業(yè)效率。

另外，在第1實施方式中，采用了在晶片w的分割前對daf13的粘接不良部位進行檢測的結(jié)構(gòu)，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。如第2實施方式所示，也可以采用在晶片w的分割后對daf13的粘接不良部位進行檢測的結(jié)構(gòu)。在該情況下，雖然將帶著daf73的擴展帶70粘貼在晶片w的分割后的芯片c上而對daf73與芯片c的粘接不良部位進行檢查(參照圖13)，但不僅是氣泡b而且表示芯片c之間的間隙的分割線75也在晶片w的拍攝圖像上較白地顯示。因此，在第2實施方式中，為了不將分割線75誤認為粘接不良部位，將表示分割線75的像素從拍攝圖像去除，由此，僅對表示粘接不良部位的氣泡b進行檢測。

以下，對第2實施方式的晶片w的加工方法進行說明。另外，在以下的說明中，例示了sdbg(stealthdicingbeforegrinding：先隱形劃片后減薄)來進行說明，但對于dbg(dicingbeforegrinding：先劃片后減薄)，也能夠以同樣的方法對daf的粘接不良部位進行檢測。圖10是示出分割起點形成工序的一例的圖，圖11是示出晶片分割工序的一例的圖，圖12是示出帶粘貼工序的一例的圖，圖13是示出存儲工序的一例的圖，圖14是示出保護帶剝離工序的一例的圖，圖15是示出daf分割工序的一例的圖，圖16是示出紫外線照射工序的一例的圖，圖17是示出拾取工序的一例的圖。另外，在第2實施方式中，盡量省略與第1實施方式同樣的結(jié)構(gòu)來進行說明。

如圖10所示，首先實施分割起點形成工序。在分割起點形成工序中，隔著保護帶17將晶片w保持在激光加工裝置的卡盤工作臺61上。并且，將加工頭62的射出口定位在晶片w的分割預(yù)定線上，并通過加工頭62從晶片w的背面?zhèn)日丈浼す夤饩€。激光光線是相對于晶片w具有透過性的波長，并將其調(diào)整為會聚于晶片w的內(nèi)部。然后，使加工頭62相對于晶片w相對移動，由此，在晶片w的內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定線的改質(zhì)層19來作為分割起點。另外，也可以從晶片的正面?zhèn)日丈浼す夤饩€。

如圖11所示，在分割起點形成工序之后實施晶片分割工序。在晶片分割工序中，隔著保護帶17將晶片w保持在磨削裝置的卡盤工作臺21上。磨削單元22一邊旋轉(zhuǎn)一邊接近卡盤工作臺21，通過使磨削磨輪23與晶片w的背面旋轉(zhuǎn)接觸而對晶片w的背面進行磨削。通過該磨削動作從磨削磨輪23對改質(zhì)層19較強地作用磨削負荷，以改質(zhì)層19為分割起點將晶片w分割成各個芯片c。然后，對晶片w進行磨削直到磨削加工中的高度計的測量結(jié)果為完工厚度為止。

另外，與第1實施方式同樣，保護帶17通過紫外線硬化樹脂而粘貼在晶片w的正面上，當(dāng)磨削加工完成時，對保護帶17照射紫外線。這樣，在將擴展帶70(參照圖12)粘貼在晶片w之前，使保護帶17的糊層硬化而容易使保護帶17從晶片w剝離。

如圖12所示，在晶片分割工序之后實施帶粘貼工序。在帶粘貼工序中，將晶片w的保護帶17側(cè)載置在帶粘貼裝置的中央工作臺31上，并將環(huán)狀框架14載置在圍繞中央工作臺31的外周工作臺32上。然后，通過帶輥33將擴展帶70粘貼在晶片w的背面和環(huán)狀框架14的背面上。另外，關(guān)于帶粘貼工序，如果擴展帶70能夠粘貼在晶片w上，則粘貼方法并沒有限定。例如，也可以通過操作人員來手動實施帶粘貼工序。

這樣，在第2實施方式的晶片w的加工方法中，代替在第1實施方式中使用的劃片帶10(參照圖1的(b))而使用擴展帶70。擴展帶70具有擴展用的帶和芯片接合用的粘接劑的功能，其構(gòu)成為在具有伸展性的基材帶71上隔著糊層72層疊daf73。糊層72是因紫外線的照射而硬化的紫外線硬化樹脂，通過樹脂的硬化而容易使daf73從基材帶71分離。由于擴展帶與daf一體形成，所以省略了daf相對于晶片w的粘貼作業(yè)。

如圖13所示，在帶粘貼工序之后實施存儲工序。在存儲工序中，使圖像傳感器36接近帶粘貼裝置的中央工作臺31上的晶片w，并通過圖像傳感器36從擴展帶70側(cè)對晶片w進行拍攝。從圖像傳感器36向檢測部37輸出晶片w的拍攝圖像，并根據(jù)拍攝圖像通過檢測部37來檢測出daf73與晶片w之間為未粘接的粘接不良部位(氣泡b)的位置。此時，如上述那樣daf73的粘接不良部位在晶片w的拍攝圖像上較白地顯示，但由于表示芯片c之間的間隙的分割線75也是間隙(空間)，所以在晶片w的拍攝圖像上較白地顯示。

因此，在檢測部37中，在將分割線75從拍攝圖像去除以便不會將分割線75誤認為氣泡b之后，根據(jù)拍攝圖像上的以白色像素顯示的氣泡b對daf73的粘接不良部位進行檢測。然后，從檢測部37向存儲部38輸出粘接不良部位的位置，并將daf73的粘接不良部位的位置存儲在存儲部38中。由此，判斷出在晶片w的分割后的芯片c上是否具有粘接不良部位。另外，與第1實施方式同樣，可以根據(jù)氣泡b的大小來判斷是否為粘接不良部位(參照圖5的(b))，也可以根據(jù)氣泡b的產(chǎn)生位置來判斷是否為粘接不良部位(參照圖5的(c))。

另外，作為將分割線75從拍攝圖像去除的方法，也可以根據(jù)預(yù)先設(shè)定在加工裝置中的晶片大小和轉(zhuǎn)位量來計算出分割線75的位置而將分割線75從拍攝圖像去除。由于通過計算處理將分割線75去除，所以該方法較容易。并且，使用表示晶片的結(jié)晶方位的定向平面或槽口對x方向、y方向進行特定。

并且，作為將分割線75從拍攝圖像去除的方法，也可以對拍攝圖像進行濾波處理而抽出分割線75，從而將分割線75從拍攝圖像去除。例如，能夠使用微分濾波器或拉普拉斯濾波器來使分割線75與氣泡b的邊界(邊緣)顯著突出，從而將直線的邊界作為分割線75而從拍攝圖像去除。因此，芯片c并不僅限于矩形，即使是三角形、五邊形、六邊形等多邊形也能夠?qū)⒎指罹€75合適地去除。

并且，作為將分割線75從拍攝圖像去除的方法，也可以根據(jù)輝度來抽出分割線75，從而將分割線75從拍攝圖像去除。在該情況下，使拍攝圖像的x、y方向的輝度的變化圖表化，并將輝度為預(yù)先設(shè)定的閾值以上的部位判斷為分割線75和氣泡b。進而，將閾值以上的輝度周期性地(大致等間隔)配置的部位判斷為分割線75，將閾值以上的輝度隨機配置的部位判斷為氣泡b。雖然需要在x方向和y方向上對輝度的變化進行檢測，但由于僅對輝度進行確認，所以能夠使處理高速化。

另外，在晶片w的拍攝中，作為圖像傳感器36，也可以使用將拍攝元件縱橫排列的區(qū)域傳感器而從晶片w的上方對晶片w整面進行拍攝。并且，作為圖像傳感器36，也可以使用將拍攝元件排列成1列且長度為晶片的直徑以上的線傳感器而使線傳感器與晶片w相對地掃描從而對晶片w整面進行拍攝。并且，晶片w的拍攝并不僅限于使用圖像傳感器36的結(jié)構(gòu)，只要使用能夠?qū)瑆的整面進行拍攝的拍攝裝置即可。

例如，在晶片w的拍攝中，也可以使用具有投光部和受光部的光傳感器(光反射器)。在該情況下，從投光部向晶片w的正面投射測量光，并利用受光部接受來自晶片w的正面的反射光。受光部所接受的經(jīng)晶片w和氣泡b反射的反射光的受光量不同。例如由于與晶片w相比受光部所接受的經(jīng)氣泡b反射的反射光的受光量變大，所以使光傳感器對晶片w進行掃描而將由反射光的差所產(chǎn)生的受光位置存儲在存儲部38中。在使用了光傳感器的方法中，雖然還需要掃描構(gòu)件，但能夠通過將光傳感器的受光部所接受的受光量數(shù)據(jù)化成電壓值而與使用拍攝圖像相比更快速地進行處理。

如圖14所示，在存儲工序之后實施保護帶剝離工序。在保護帶剝離工序中，將擴展帶70側(cè)保持在帶剝離裝置的卡盤工作臺41上，使保護帶17朝向上方。然后，在保護帶17的外緣側(cè)的一部分上粘貼剝離帶42而借助剝離帶42將保護帶17從晶片w剝離。此時，由于僅保護帶17的糊層(未圖示)事先因硬化而粘合力降低，所以晶片w不會從擴展帶70剝離，僅保護帶17從晶片w剝離。

如圖15所示，在保護帶剝離工序之后實施daf分割工序。在daf分割工序中，將環(huán)狀框架14保持在擴展裝置的環(huán)狀工作臺81上，并將擴張鼓82的上端定位在晶片w與環(huán)狀框架14之間。然后，使環(huán)狀框架14與環(huán)狀工作臺81一起下降，由此，擴張鼓82相對于環(huán)狀工作臺81相對地頂起，擴展帶70在放射方向上擴張。此時，daf73的粘貼在芯片c上的部位的擴張被抑制，僅daf73的沒有粘貼在芯片c上的部位被擴張，在芯片c之間對daf73進行分割。

如圖16所示，在daf分割工序之后實施紫外線照射工序。在紫外線照射工序中，隔著擴展帶70將晶片w支承在玻璃等透過紫外線的支承工作臺51上。然后，從設(shè)置于支承工作臺51的下方的紫外線照射燈52對擴展帶70照射紫外線。擴展帶70的基材帶71與daf73之間的糊層72因硬化而粘合力降低。由此，與daf73對基材帶71的粘合力相比，daf73對芯片c的粘合力變高而容易將芯片c與daf73一起從擴展帶70剝離。

如圖17所示，在紫外線照射工序之后實施拾取工序。在拾取工序中，將拾取裝置的吸附噴嘴56定位在擴展帶70上的各個芯片c的上方。此時，根據(jù)存儲在存儲部38(參照圖13)中的位置，檢測出除了daf73的粘接不良部位(氣泡b)的芯片c之外的daf粘接良好芯片c，并將吸附噴嘴56定位在daf粘接良好的芯片c的正上方。然后，僅使daf粘接良好的芯片c在糊層72與daf73的邊界處分離，并通過吸附噴嘴56將芯片c與daf73一起拾取。

如以上那樣，根據(jù)第2實施方式的晶片w的加工方法，將具有daf73和糊層72的擴展帶70粘貼在分割后的晶片w的背面上，并將芯片c之間的分割線75從擴展帶70側(cè)的晶片w的拍攝圖像去除，并且對daf73與晶片w之間為未粘接的粘接不良部位的位置進行存儲。因此，不會將分割線75誤認為粘接不良部位，能夠僅對粘接不良部位的位置進行存儲。然后，在daf73被分割之后僅使daf73的粘接為良好的芯片c在daf73與糊層72的邊界處分離而對粘接有daf73的芯片c進行拾取。由于存在daf73的粘接不良的芯片c不會搭載在基板等，所以能夠不使芯片c的安裝作業(yè)和芯片c浪費而提高作業(yè)效率。

另外，本發(fā)明并不僅限于上述實施方式，能夠進行各種變更而實施。在上述實施方式中，對于附圖中圖示的大小或形狀等，并不僅限于此，能夠在發(fā)揮本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)適當(dāng)變更。另外，只要在不脫離本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)便能夠適當(dāng)變更而實施。

例如，在上述第1、第2實施方式中，可以通過分別獨立的裝置來實施各工序，也可以通過同一裝置來實施。并且，在拾取工序中，只要能夠僅對daf粘接良好的芯片進行拾取，則各工序的實施順序能夠適當(dāng)變更。

如以上說明的那樣，本發(fā)明具有消除了存在daf的粘接不良的芯片的安裝而提高作業(yè)效率的效果，特別對通過刀具劃片、sdbg、dbg等來分割晶片的晶片的加工方法有用。