1.一種集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于,所述封裝件包括用電系統(tǒng)裸芯和位于所述用電系統(tǒng)裸芯下方的供電系統(tǒng)裸芯,所述封裝方法包括以下步驟:
提供一載體;
在所述載體上形成再布線層;
在所述再布線層上形成柱狀金屬引線;
分別將供電系統(tǒng)裸芯的有源模塊和無源模塊焊接在所述再布線層上,所述再布線層實現(xiàn)有源模塊和無源模塊之間電連接,并提供多條對接所述用電系統(tǒng)裸芯的供電軌道;
將所述有源模塊和無源模塊以及所述柱狀金屬引線在所述再布線層上封裝成型,并研磨掉覆蓋所述有源模塊、無源模塊和柱狀金屬引線的多余封裝成型材料;
形成連接所述柱狀金屬引線的底座焊料凸塊,并去除所述載體;
通過多個焊接凸塊將用電系統(tǒng)裸芯焊接在所述再布線層上,實現(xiàn)用電系統(tǒng)裸芯與多條所述供電軌道的對接,然后通過底部填充將所述用電系統(tǒng)裸芯封裝固定在所述再布線層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述供電系統(tǒng)裸芯為高壓供電系統(tǒng)裸芯,將外部電源的高電壓轉(zhuǎn)換成所述用電系統(tǒng)裸芯中需要的多個不同的低電壓,并提供多條對接所述用電系統(tǒng)裸芯的低壓供電軌道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述有源模塊包括控制器和降壓轉(zhuǎn)換器,所述無源模塊包括電容、電感和電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述有源模塊與所述無源模塊橫向排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述再布線層包括:金屬連線、通孔以及設(shè)于所述金屬連線和通孔周圍的介電層,所述金屬連線通過所述通孔實現(xiàn)與所述有源模塊、無源模塊和柱狀金屬引線的電連接以及多層金屬連線之間的層間連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述再布線層上設(shè)有凸塊下金屬層,所述有源模塊、無源模塊、柱狀金屬引線以及用電系統(tǒng)裸芯通過所述凸塊下金屬層與所述再布線層電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述柱狀金屬引線為金屬針或金屬柱。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述柱狀金屬引線采用鍵合或電鍍的方法在所述再布線層上形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:所述封裝成型的方法為壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓或旋涂。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成供電系統(tǒng)封裝件的封裝方法,其特征在于:將所述用電系統(tǒng)裸芯焊接在所述再布線層上的多個焊接凸塊為微凸塊。