相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年1月5日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請no.10-2016-0001002的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開以引用方式全文并入本文中。

本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例涉及封裝襯底，并且更具體地說，涉及包括執(zhí)行了表面處理工藝的嵌入式鋁焊盤的封裝襯底、制造該封裝襯底的方法，以及包括該封裝襯底的封裝器件。

背景技術(shù)：

隨著電子元件的密度增大，已開發(fā)了對印刷電路板(pcb)的表面進(jìn)行處理的各種技術(shù)。例如，使用金屬鍍覆技術(shù)來處理pcb的表面。金屬鍍覆技術(shù)可包括化學(xué)沉積技術(shù)、金屬濺射技術(shù)、電鍍技術(shù)和無電鍍金屬鍍覆技術(shù)。為了應(yīng)對對于薄鍍覆、高密度的pcb的需求，將pcb的表面進(jìn)行鍍覆或無電鍍處理，以簡化制造pcb的工藝并減輕或去除來自pcb的噪聲。

此外，隨著電子元件的密度增大，已執(zhí)行了針對減小pcb的厚度的研究。可在無芯pcb上形成絕緣層和圖案以制造薄pcb，并且可將薄pcb應(yīng)用于小電子元件。此外，已執(zhí)行了針對減小pcb中的間距的研究?？赏ㄟ^縮小間距來減小pcb的總面積。因此，正在對諸如掩蔽工藝、半加添加藝(sap)和改良半添加工藝(msap)的各種工藝進(jìn)行研究。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例可提供包括插入絕緣層中的嵌入式鋁焊盤的封裝襯底。

本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例還可提供用于制造包括不突出至封裝襯底以外的鋁焊盤的封裝襯底的方法。

根據(jù)示例實施例，一種封裝襯底可包括：絕緣層，其具有頂表面和與所述頂表面相對的底表面；絕緣層中的至少一個第一銅圖案，所述至少一個第一銅圖案鄰近于絕緣層的頂表面；絕緣層的底表面上的至少一個第二銅圖案；以及所述至少一個第一銅圖案上的至少一個嵌入式鋁焊盤，所述至少一個嵌入式鋁焊盤位于絕緣層中，以使得所述至少一個嵌入式鋁焊盤的頂表面通過絕緣層暴露出來。

根據(jù)示例實施例，一種封裝襯底可包括：絕緣層，其具有頂表面和與所述頂表面相對的底表面；設(shè)置在絕緣層中的至少一個第一銅圖案，所述至少一個第一銅圖案鄰近于絕緣層的頂表面；設(shè)置在絕緣層中的至少一個第二銅圖案，所述至少一個第二銅圖案鄰近于絕緣層的底表面；第一銅圖案上的至少一個第一嵌入式鋁焊盤，所述至少一個第一嵌入式鋁焊盤位于絕緣層中，所述至少一個第一嵌入式鋁焊盤的頂表面通過絕緣層暴露出來；以及第二銅圖案上的至少一個第二嵌入式鋁焊盤，所述至少一個第二嵌入式鋁焊盤位于絕緣層中，所述至少一個第二嵌入式鋁焊盤的底表面通過絕緣層暴露出來。

根據(jù)示例實施例，一種封裝器件可包括：包括至少一個嵌入式鋁焊盤的封裝襯底以及布置在所述封裝襯底上并且通過鍵合線連接至所述封裝襯底的半導(dǎo)體芯片，所述封裝襯底包括：具有頂表面和與所述頂表面相對的底表面的絕緣層；絕緣層中的至少一個第一銅圖案，所述第一銅圖案鄰近于絕緣層的頂表面；以及絕緣層的底表面上的至少一個第二銅圖案，所述至少一個嵌入式鋁焊盤位于第一銅圖案上，所述至少一個嵌入式鋁焊盤位于絕緣層中，并且所述至少一個嵌入式鋁焊盤的頂表面通過絕緣層暴露出來。

根據(jù)示例實施例，一種封裝襯底可包括：包括過孔孔洞的絕緣層；填充過孔孔洞的導(dǎo)電過孔；絕緣層中的多個第一金屬圖案，所述多個第一金屬圖案鄰近于絕緣層的頂表面，所述多個第一金屬圖案主要包括銅；絕緣層中的多個第二金屬圖案，所述多個第二金屬圖案鄰近于絕緣層的底表面，所述多個第二金屬圖案主要包括銅；以及位于所述多個第一金屬圖案中的至少一個上的至少一個第一嵌入式金屬焊盤，所述至少一個第一嵌入式金屬焊盤位于絕緣層中，以使得所述至少一個第一嵌入式金屬焊盤的頂表面通過絕緣層暴露出來，所述至少一個第一嵌入式金屬焊盤主要包括鋁。

附圖說明

基于附圖和隨附的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思將變得更加清楚。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的剖視圖。

圖2a至圖2j是示出用于制造圖1的封裝襯底的方法的剖視圖。

圖3和圖4是圖1的區(qū)‘iii’的放大剖視圖。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的剖視圖。

圖6a至圖6f是示出用于制造圖5的封裝襯底的方法的剖視圖。

圖7和圖8是圖5的區(qū)‘vii’的放大剖視圖。

圖9和圖10是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的剖視圖。

圖11是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的封裝器件的剖視圖。

具體實施方式

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的剖視圖。

參照圖1，封裝襯底1可包括絕緣層100、互連圖案200、至少一個嵌入式鋁焊盤300以及保護(hù)層400和450。

絕緣層100可具有頂表面100a和與頂表面100a相對的底表面100b。絕緣層100可包括第一絕緣層110和第二絕緣層120。第一絕緣層110和第二絕緣層120可為預(yù)浸片(prepreg)。第一絕緣層110可布置在第二絕緣層120上。

互連圖案200可布置在絕緣層100中?；ミB圖案200可包括第一銅圖案210、第二銅圖案220、第三銅圖案230、第一過孔240和第二過孔250。第一銅圖案210可布置在第一絕緣層110中，并且可鄰近于絕緣層100的頂表面100a。第二銅圖案220可布置在第二絕緣層120上(例如，布置在絕緣層100的底表面100b上)。第二銅圖案220可具有底表面220a和側(cè)壁220b。第三銅圖案230可布置在第二絕緣層120中，并且可布置在第一銅圖案210與第二銅圖案220之間。第一過孔240可將至少一個第一銅圖案210連接至至少一個第三銅圖案230。第二過孔250可將至少一個第二銅圖案220連接至至少一個第三銅圖案230。例如，第一過孔240和第二過孔250可包括銅(cu)。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于互連圖案200的特定排列方式。

嵌入式鋁焊盤300可布置在第一銅圖案210上，并且可與第一銅圖案210接觸。嵌入式鋁焊盤300可在第一絕緣層110的兩個邊緣部分中的每一個中設(shè)置為多個。布置在第一絕緣層110的一個邊緣部分中的多個嵌入式鋁焊盤300可彼此間隔開，并且布置在第一絕緣層300的另一邊緣部分中的多個嵌入式鋁焊盤300可彼此間隔開。嵌入式鋁焊盤300可插入第一絕緣層110中，并且可不突出至第一絕緣層110以外。嵌入式鋁焊盤300可具有通過絕緣層100暴露出來的頂表面300a。在一些示例實施例中，嵌入式鋁焊盤300的頂表面300a可與絕緣層100的頂表面100a布置在相同水平。

保護(hù)層400和450可包括布置在絕緣層100的頂表面100a上的第一保護(hù)層400和布置在絕緣層100的底表面100b上的第二保護(hù)層450。第一保護(hù)層400可具有暴露出布置在第一絕緣層110的兩個邊緣部分中的嵌入式鋁焊盤300的開口420。如上所述，第二保護(hù)層450可布置在絕緣層100的底表面100b上。第二保護(hù)層450可覆蓋第二銅圖案220的側(cè)壁220b，并且可暴露出第二銅圖案220的底表面220a。第一保護(hù)層400可保護(hù)第一銅圖案210，并且可減輕或防止在彼此鄰近的第一銅圖案210之間發(fā)生橋接現(xiàn)象。第二保護(hù)層450可保護(hù)第二銅圖案220，并且可減輕或防止在彼此鄰近的第二銅圖案220之間發(fā)生橋接現(xiàn)象。第一保護(hù)層400和第二保護(hù)層450中的每一個可為絕緣涂層。例如，絕緣涂層可包括環(huán)氧樹脂。

涂層500可覆蓋第二銅圖案220的底表面220a，并且可覆蓋第二保護(hù)層450的一部分。涂層500可減輕或者防止第二銅圖案220氧化。例如，涂層500可包括有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物包括氯化物或氟化物之一。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例，嵌入式鋁焊盤300可不突出至第一絕緣層110以外，而是可布置在第一絕緣層110中。通常，封裝襯底可具有向外突出的焊盤。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的嵌入式鋁焊盤300之間的距離可大于一般的焊盤之間的距離。因此，嵌入式鋁焊盤300可不彼此接觸，并在封裝襯底1的引線鍵合工藝中可提高可靠性。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例，可利用鋁(al)作為焊盤來執(zhí)行表面拋光工藝。鋁(al)可具有期望的電導(dǎo)率，并且會較便宜。因此，可用鋁(al)來替換無電鍍鎳/浸金(enig)工藝中的金(au)。因此，可顯著降低封裝襯底1的制造成本。

圖2a至圖2j是示出制造圖1的封裝襯底的方法的剖視圖。

參照圖2a，可設(shè)置承載襯底10?？稍诔休d襯底10的兩個表面(例如，頂表面和底表面)中的每一個上按次序堆疊銅箔11和脫模層12?？稍诔休d襯底10的脫模層12上設(shè)置鋁種層380?？稍诿撃?2與鋁種層380之間布置諸如銅的薄阻擋金屬，以減輕imc形成和選擇性蝕刻。承載襯底10可具有其中可堆疊有多個絕緣材料層的結(jié)構(gòu)。絕緣材料層中的每一個可包括樹脂或玻璃纖維。脫模層12可包括合金或有機(jī)化合物?？赏ㄟ^例如沉積工藝或者鍍覆工藝形成鋁種層380?？稍阡X種層380上沉積或鍍覆較薄的種cu以改進(jìn)鍍覆。

參照圖2b，可在鋁種層380中的每一個上設(shè)置暴露出鋁種層380的一個或多個部分的掩模圖案20。將相對于承載襯底10對稱地在承載襯底10的兩個表面(例如，頂表面和底表面)上執(zhí)行后續(xù)處理。

參照圖2c，可利用鋁種層380上的掩模圖案20形成一個或多個第一銅圖案210。可在位于承載襯底10的所述兩個表面中的每一個上的鋁種層380上形成第一銅圖案210?？赏ㄟ^鍍覆工藝形成第一銅圖案210。

參照圖2d，可利用第一銅圖案210作為蝕刻掩模對鋁種層380進(jìn)行蝕刻以形成初始鋁焊盤330。在蝕刻工藝中使用的蝕刻溶液可包括不與銅(cu)反應(yīng)但與鋁(al)反應(yīng)的材料。例如，蝕刻溶液可包括：包括氫氧化鈉(naoh)的堿性蝕刻溶液，或者有機(jī)酸與磷酸(h3po4)和硫酸(h2so4)混合的酸性蝕刻溶液。通過蝕刻工藝形成的初始鋁焊盤330的寬度可與第一銅圖案210的寬度相似。銅箔11和脫模層12也可通過蝕刻工藝被圖案化。盡管銅箔11由銅形成，但是因為銅箔11具有非常薄的厚度，所以也可通過蝕刻工藝去除銅箔11的一部分。

參照圖2e，可形成第一絕緣層110以覆蓋第一銅圖案210和初始鋁焊盤330。如圖2e所示，第一絕緣層110可形成在承載襯底10的兩個表面中的每一個上。第一絕緣層110可在第一絕緣層110的一個表面上與脫模層12接觸，并且金屬層30可設(shè)置在第一絕緣層110的另一表面上。第一絕緣層110可為預(yù)浸片。

參照圖2f，第一過孔孔洞245可形成為暴露出第一銅圖案210。第一過孔孔洞245可穿過布置在金屬層30與第一銅圖案210之間的第一絕緣層110的一部分。此外，第一過孔孔洞245也可穿過與第一銅圖案210重疊的金屬層30?？赏ㄟ^激光鉆孔工藝形成第一過孔孔洞245。

參照圖2g，可執(zhí)行鍍覆工藝以形成第一過孔240和第三初始銅圖案235。第一過孔240可填充第一過孔孔洞245。第三初始銅圖案235可形成在第一絕緣層110上?？捎孟嗤慕饘俨牧襄兏驳谝贿^孔240和第三初始銅圖案235。例如，金屬材料可為銅(cu)。

參照圖2h，可蝕刻第三初始銅圖案235以形成第三銅圖案230。在蝕刻工藝中使用的蝕刻溶液可包括氫氧化銨和過氧化氫的混合溶液或者過氧化氫和硫酸的混合溶液。多個第三銅圖案230可在第一絕緣層110上彼此間隔開。

參照圖2i，可形成第二絕緣層120、第二銅圖案220和第二過孔250。此外，第二絕緣層120可覆蓋第三銅圖案230，并且可與第一絕緣層110接觸。第二絕緣層120可為預(yù)浸片。與圖2g相似，暴露出第三銅圖案230的第二過孔孔洞255可形成為穿過第二絕緣層120的一部分?？赏ㄟ^激光鉆孔工藝形成第二過孔孔洞255?？蓤?zhí)行鍍覆工藝以形成填充布置在第二絕緣層120上的第二過孔孔洞255的第二過孔250以及第二銅圖案220。第二過孔250可將第二銅圖案220連接至第三銅圖案230。第一銅圖案210、第二銅圖案220、第三銅圖案230、第一過孔240和第二過孔250可由相同金屬材料形成。例如，金屬材料可為銅(cu)。第二銅圖案220可形成為多個，并且所述多個第二銅圖案220可在第二絕緣層120上彼此間隔開。

參照圖2j，可去除承載襯底10、銅箔11和脫模層12?？稍诮^緣層100(其包括第一絕緣層110和第二絕緣層120)的頂表面100a上形成第一保護(hù)層400，并且可在絕緣層100的底表面100b上形成第二保護(hù)層450。因為脫模層12容易與初始鋁焊盤330分離，所以可容易地去除承載襯底10、銅箔11和脫模層12。

第一保護(hù)層400可形成為覆蓋絕緣層100的頂表面100a。第一保護(hù)層400可具有開口420，其暴露出布置在第一絕緣層110的邊緣處的初始鋁焊盤330的頂表面300a?？蓪⑼ㄟ^開口420和第一絕緣層110暴露出來的初始鋁焊盤330定義為嵌入式鋁焊盤300?？刹蝗コ坏谝槐Ｗo(hù)層400覆蓋的未暴露的初始鋁焊盤330。因為未暴露的初始鋁焊盤330的厚度比第一銅圖案210的厚度小得多，所以即使未去除未暴露的初始鋁焊盤330也不會影響封裝襯底1的電氣特性。例如，初始鋁焊盤330的厚度可在從0.1μm至1μm的范圍內(nèi)。此外，因為第一保護(hù)層400容易粘合至初始鋁焊盤330，所以第一保護(hù)層400可通過初始鋁焊盤330容易地固定在第一絕緣層110上。

第二保護(hù)層450可暴露出第二銅圖案220的底表面220a，并且可覆蓋第二銅圖案220的側(cè)壁220b和絕緣層100的底表面100b?？稍诘诙~圖案220的底表面220a上形成涂層500。例如，涂層500可包括有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物包括氯化物或氟化物之一。此外，可通過該有機(jī)化合物與第二銅圖案200的一部分之間的取代反應(yīng)形成涂層500，或者可通過利用該有機(jī)化合物的涂布工藝形成涂層500?？尚纬赏繉?00以制造封裝襯底1。

根據(jù)當(dāng)前示例實施例，可將鋁(al)用作用于形成第一銅圖案210的鍍覆工藝的種層。用作該種層的鋁(al)可不被去除，而是可在后續(xù)工藝中用作封裝襯底1的焊盤。因此，可簡化制造封裝襯底1的工藝。此外，因為不需要第一銅圖案210的額外表面處理工藝，所以封裝襯底1的制造成本可降低。

圖3和圖4是圖1的區(qū)‘iii’的放大剖視圖。下文中，為了易于和方便解釋，將省略或簡單提及對與上述相同的技術(shù)特征的描述。

參照圖1和圖3，各個嵌入式鋁焊盤300可分別布置在第一銅圖案210上。嵌入式鋁焊盤300可在第一絕緣層110的兩個邊緣部分中的每一個中設(shè)置為多個。第一銅圖案210和嵌入式鋁焊盤300可具有相同寬度w0。第一銅圖案210可彼此間隔開第一距離d1。嵌入式鋁焊盤300可彼此間隔開第二距離d2。第一距離d1可等于第二距離d2。

因為嵌入式鋁焊盤300插入第一絕緣層110中，所以封裝襯底1可制造為使得嵌入式鋁焊盤300之間的第二距離d2均勻。此外，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的嵌入式鋁焊盤300之間的距離可大于從普通封裝襯底中的絕緣層突出的焊盤之間的距離。因此，可提高將半導(dǎo)體芯片鍵合至封裝襯底1的處理的可靠性。

參照圖1和圖4，可在嵌入式鋁焊盤300中的每一個上設(shè)置氧化鋁層310，并且可在嵌入式鋁焊盤300中的每一個與對應(yīng)的一個第一銅圖案210之間布置阻擋層320。因為嵌入式鋁焊盤300與空氣接觸，所以可自然地形成氧化鋁層310。氧化鋁層310可減輕或者防止嵌入式鋁焊盤300的額外氧化和顏色改變。氧化鋁層310可具有暴露于第一絕緣層110以外的頂表面310a，并且氧化鋁層310的頂表面310a可與絕緣層100的頂表面100a布置在相同水平。例如，氧化鋁層310可由氧化鋁(al2o3)形成。阻擋層320可減輕或防止銅(cu)從第一銅圖案210擴(kuò)散至嵌入式鋁焊盤300中。如果銅(cu)擴(kuò)散至嵌入式鋁焊盤300中，則嵌入式鋁焊盤300的電導(dǎo)率會降低。根據(jù)當(dāng)前示例實施例，可通過阻擋層320保持嵌入式鋁焊盤300的電導(dǎo)率。例如，阻擋層320可包括鎳(ni)、鈦(ti)、鉭(ta)、氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、金(au)、銀(ag)或者鎢(w)中的至少一個。在一些示例實施例中，阻擋層320可包括鎳(ni)。

第一銅圖案210可彼此間隔開第一距離d1。嵌入式鋁焊盤300可彼此間隔開第二距離d2，氧化鋁層310可彼此間隔開第二距離d2，并且阻擋層320可彼此間隔開第二距離d2。第一距離d1可等于第二距離d2。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的剖視圖。下文中，為了易于和方便解釋，將省略或簡單提及對與圖1的示例實施例中的相同的元件的描述。

參照圖5，封裝襯底1可包括絕緣層100、互連圖案200、嵌入式鋁焊盤300以及保護(hù)層400和450。

絕緣層100可包括第一絕緣層110和第二絕緣層120。第一絕緣層110可具有在從絕緣層100的頂表面100a朝著絕緣層100的底表面100b的方向上凹進(jìn)的凹進(jìn)區(qū)150。凹進(jìn)區(qū)150可設(shè)置為多個。

互連圖案200可布置在絕緣層100中?；ミB圖案200可包括第一銅圖案210、第二銅圖案220、第三銅圖案230、第一過孔240和第二過孔250。

嵌入式鋁焊盤300可布置在第一銅圖案210上。嵌入式鋁焊盤300的寬度可小于第一銅圖案210的寬度。相似地，凹進(jìn)區(qū)150的寬度可小于第一銅圖案210的寬度。

保護(hù)層400和450可包括布置在絕緣層100的頂表面100a上的第一保護(hù)層400和布置在絕緣層100的底表面100b上的第二保護(hù)層450。第一保護(hù)層400可包括從絕緣層100的頂表面100a朝著絕緣層100的底表面100b向下突出以與被第一保護(hù)層400覆蓋的第一銅圖案210接觸的至少一個突起410。換句話說，突起410可布置在凹進(jìn)區(qū)150中。突起410的寬度可小于第一銅圖案210的寬度。第一保護(hù)層400可具有暴露出布置在第一絕緣層110的兩個邊緣部分中的嵌入式鋁焊盤300的開口420。如上所述，第二保護(hù)層450可布置在絕緣層100的底表面100b上。第二保護(hù)層450可覆蓋第二銅圖案220的側(cè)壁220b，并且可暴露出第二銅圖案220的底表面220a。第一保護(hù)層400可保護(hù)第一銅圖案210，并且可減輕或防止在鄰近的第一銅圖案210之間發(fā)生橋接現(xiàn)象。第二保護(hù)層450可保護(hù)第二銅圖案220，并且可減輕或防止在鄰近的第二銅圖案220之間發(fā)生橋接現(xiàn)象。第一保護(hù)層400和第二保護(hù)層450中的每一個可為絕緣涂層。例如，絕緣涂層可包括環(huán)氧樹脂。

圖6a至圖6f是示出用于制造圖5的封裝襯底的方法的剖視圖。在當(dāng)前示例實施例中，為了易于和方便解釋，將省略或簡單提及對與圖2a至圖2j的示例實施例中的相同的元件或技術(shù)特征的描述。

參照圖6a，銅箔11、脫模層12和鋁種層380可設(shè)置在承載襯底10的兩個表面中的每一個上?？赏ㄟ^鍍覆工藝在鋁種層380中的每一個上形成第一銅圖案210。

參照圖6b，可通過蝕刻工藝形成初始鋁焊盤330。在蝕刻工藝中使用的蝕刻溶液可不與銅(cu)反應(yīng)但可與鋁(al)反應(yīng)。然而，因為銅箔11具有非常薄的厚度，所以可通過蝕刻工藝去除銅箔11的一部分?？赏ㄟ^蝕刻工藝蝕刻初始鋁焊盤330，以使得初始鋁焊盤330的寬度小于第一銅圖案210的寬度。

參照圖6c，第一絕緣層110可形成為覆蓋第一銅圖案210和初始鋁焊盤330?？蓪Φ谝唤^緣層110鉆孔以形成暴露出第一銅圖案210的一部分的第一過孔孔洞245。

參照圖6d，可執(zhí)行鍍覆工藝以形成填充第一過孔孔洞245的第一過孔240和布置在第一絕緣層110上的第三銅圖案230。

參照圖6e，可形成第二絕緣層120、第二銅圖案220和第二過孔250。然后，可去除與第一絕緣層110和初始鋁焊盤330接觸的承載襯底10、銅箔11和脫模層12，并且可去除初始鋁焊盤330中的一個或一些?？赏ㄟ^蝕刻工藝去除初始鋁焊盤330中的一個或一些。在去除初始鋁焊盤330中的一個或一些的蝕刻工藝中使用的蝕刻溶液可包括：例如，氫氧化銨和過氧化氫的混合溶液或者過氧化氫和硫酸的混合溶液。通過去除初始鋁焊盤330中的一個或一些形成的空間可定義為凹進(jìn)區(qū)150。凹進(jìn)區(qū)150可在從絕緣層100的頂表面100a朝著絕緣層100的底表面100b的方向上凹進(jìn)或凹陷。

參照圖6f，可在絕緣層100的頂表面100a上形成第一保護(hù)層400，并且可在絕緣層100的底表面100b上形成第二保護(hù)層450。第一保護(hù)層400可形成為覆蓋絕緣層100的頂表面100a和凹進(jìn)區(qū)150。第一保護(hù)層400可具有暴露出未被去除的至少一個初始鋁焊盤330的開口420。通過開口420暴露的初始鋁焊盤330可定義為嵌入式鋁焊盤300。嵌入式鋁焊盤300可在第一絕緣層110的兩個邊緣部分中的每一個中設(shè)置為多個。第一保護(hù)層400可形成為覆蓋絕緣層100的頂表面100a，并且第二保護(hù)層450可形成為覆蓋絕緣層100的底表面100b。第一保護(hù)層400可具有至少一個突起410，并且該突起410可填充凹進(jìn)區(qū)150。

圖7和圖8是圖5的區(qū)‘vii’的放大剖視圖。

參照圖5和圖7，第一銅圖案210可具有第一寬度w1，嵌入式鋁焊盤300可具有第二寬度w2。第一銅圖案210可具有比嵌入式鋁焊盤300更大的寬度。換句話說，第一寬度w1可大于第二寬度w2。

嵌入式鋁焊盤300可在第一絕緣層100的兩個邊緣部分中的每一個中設(shè)置為多個。所述多個嵌入式鋁焊盤300可分別布置在多個第一銅圖案210上。第一銅圖案210可彼此間隔開第一距離d1，并且嵌入式鋁焊盤300可彼此間隔開第三距離d3。第三距離d3可大于第一距離d1。

參照圖5和圖8，氧化鋁層310可設(shè)置在嵌入式鋁焊盤300中的每一個上，并且阻擋層320可布置在第一銅圖案210中的每一個與對應(yīng)的一個嵌入式鋁焊盤300之間。氧化鋁層310可具有暴露于第一絕緣層110之外的頂表面310a，并且氧化鋁層310的頂表面310a可與絕緣層100的頂表面100a布置在相同水平。例如，氧化鋁層310可包括氧化鋁(al2o3)，并且阻擋層320可包括鎳(ni)、鈦(ti)、鉭(ta)、氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、金(au)、銀(ag)或鎢(w)中的至少一個。在一些示例實施例中，阻擋層320可包括鎳(ni)。

第一銅圖案210可彼此間隔開第一距離d1。嵌入式鋁焊盤300可彼此間隔開第三距離d3，氧化鋁層310可彼此間隔開第三距離d3，并且阻擋層320可彼此間隔開第三距離d3。第三距離d3可大于第一距離d1。

圖9和圖10是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的剖視圖。下文中，為了易于和方便解釋，將省略或簡單提及對與圖1的示例實施例中的相同的元件的描述。

參照圖9，絕緣層100可具有頂表面100a和與頂表面100a相對的底表面100b。朝著底表面100b凹進(jìn)或凹陷的第一凹進(jìn)區(qū)150可設(shè)置在絕緣層100的頂表面100a，朝著頂表面100a凹進(jìn)或凹陷的第二凹進(jìn)區(qū)160可設(shè)置在絕緣層100的底表面100b。

互連圖案200可包括鄰近于絕緣層100的頂表面100a的第一銅圖案210和鄰近于絕緣層100的底表面100b的第二銅圖案220。過孔260可將至少一個第一銅圖案210連接至至少一個第二銅圖案220。

第一嵌入式鋁焊盤300可布置在第一銅圖案210上，第二嵌入式鋁焊盤350可布置在第二銅圖案220上。第一嵌入式鋁焊盤300和第二嵌入式鋁焊盤350可布置在絕緣層100中。第一嵌入式鋁焊盤300可具有暴露于絕緣層100之外的頂表面300a，并且第二嵌入式鋁焊盤350可具有暴露于絕緣層100之外的底表面350a。第一嵌入式鋁焊盤300的頂表面可與絕緣層100的頂表面100a布置在相同水平，并且第二嵌入式鋁焊盤350的底表面350a可與絕緣層100的底表面100b布置在相同水平。換句話說，第一嵌入式鋁焊盤300和第二嵌入式鋁焊盤350可不突出至絕緣層100以外。

布置在絕緣層100的頂表面100a上的第一保護(hù)層400可具有在從絕緣層100的頂表面100a朝著絕緣層100的底表面100b的方向上突出的第一突起410，并且可具有暴露出至少一個第一嵌入式鋁焊盤300的第一開口420。布置在絕緣層100的底表面100b上的第二保護(hù)層450可具有在從絕緣層100的底表面100b朝著絕緣層100的頂表面100a的方向上突出的第二突起460，并且可具有暴露出至少一個第二嵌入式鋁焊盤350的第二開口480。第一突起410可填充第一凹進(jìn)區(qū)150，第二突起460可填充第二凹進(jìn)區(qū)160。

參照圖10，嵌入式鋁焊盤300可不同地布置。在一些示例實施例中，嵌入式鋁焊盤300可設(shè)置在絕緣層100的兩個邊緣部分中，并且在絕緣層100的兩個邊緣部分中的每一個中可設(shè)置一個嵌入式鋁焊盤300。嵌入式鋁焊盤300的排列方式可根據(jù)安裝在封裝襯底1上的半導(dǎo)體芯片(未示出)不同地修改。

圖9和圖10的封裝襯底1可通過與參照圖2a至圖2j描述的制造方法相似的方法制造。

圖11是示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例的封裝襯底的封裝器件的剖視圖。下文中，為了易于和方便解釋，將省略或簡單提及對與圖1的示例實施例中的相同的元件的描述。

參照圖11，半導(dǎo)體封裝件(或者封裝器件)1000可包括封裝襯底1、半導(dǎo)體芯片500和模制層700。

半導(dǎo)體芯片500可布置在封裝襯底1上。半導(dǎo)體芯片500可布置在封裝襯底1的第一保護(hù)層400上。半導(dǎo)體芯片500可為邏輯芯片、存儲器芯片或者它們的組合。粘合劑層550可設(shè)置在半導(dǎo)體芯片500與封裝襯底1之間。

鍵合線600可將封裝襯底1電連接至半導(dǎo)體芯片500。例如，鍵合線600可由銅(cu)或金(au)形成。鍵合線600可將半導(dǎo)體芯片500電連接至封裝襯底1的嵌入式鋁焊盤300。鋁(al)可具有優(yōu)秀電導(dǎo)率，并且會具有氧化特性。鍵合線600可通過針腳式鍵合工藝穿過氧化鋁層310，以直接連接至嵌入式鋁焊盤300。

模制層700可覆蓋半導(dǎo)體芯片500。模制層700可包括諸如環(huán)氧模制化合物(emc)的絕緣聚合物材料。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例，封裝襯底的焊盤可由低價的鋁形成，從而降低封裝襯底的制造成本。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例，利用鋁對其進(jìn)行表面處理的封裝襯底可通過鍵合線鍵合至半導(dǎo)體芯片。鍵合線可穿過形成在嵌入式鋁焊盤上的氧化層以將嵌入式鋁焊盤電連接至半導(dǎo)體芯片。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例，鋁焊盤可不突出至封裝襯底以外，并因此，可減小封裝襯底的厚度。此外，多個嵌入式鋁焊盤可插入絕緣層中，以使得鄰近的嵌入式鋁焊盤之間的距離增大。因此，可提高引線鍵合工藝的可靠性。

雖然已經(jīng)參照一些示例實施例描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可做出各種變化和修改。因此，應(yīng)該理解，以上示例實施例非限制性而是示意性的。因此，本發(fā)明構(gòu)思的范圍應(yīng)該通過對所附權(quán)利要求及其等同物的最寬允許解釋來確定，而不應(yīng)受到以上描述的約束或限制。