本公開(kāi)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)：

目前，在顯示裝置領(lǐng)域，薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，簡(jiǎn)稱(chēng)tft-lcd)因其具有體積小、功耗低等特點(diǎn)，獲得了廣泛的應(yīng)用。透射式液晶顯示器和反射式液晶顯示器是常見(jiàn)的兩種類(lèi)型，其中，反射式液晶顯示器可對(duì)進(jìn)入其內(nèi)部的光線(xiàn)進(jìn)行反射，以此作為顯示圖像所需的光源實(shí)現(xiàn)顯示功能，從而可省去專(zhuān)門(mén)的背光源，有利于降低功耗?，F(xiàn)有的反射式液晶顯示器通常包括陣列基板，陣列基板包括襯底基板、薄膜晶體管、外圍電路和多個(gè)過(guò)孔等，且在顯示區(qū)域還覆蓋有用于反光的反射層。

現(xiàn)有陣列基板的反射層通常會(huì)覆蓋過(guò)孔露出的金屬，例如漏極金屬等，但現(xiàn)有現(xiàn)有陣列基板容易出現(xiàn)過(guò)孔處接觸不良。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的目的在于提供一種顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制造方法，進(jìn)而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個(gè)或者多個(gè)問(wèn)題。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種陣列基板的制造方法，包括：

形成薄膜晶體管和外圍電路；

形成至少覆蓋所述薄膜晶體管以及所述外圍電路的鈍化層；

形成貫穿所述鈍化層且暴露部分所述薄膜晶體管的漏極的第一過(guò)孔，以及貫穿所述鈍化層且暴露部分所述外圍電路的第二過(guò)孔；

在所述鈍化層上形成包括第一導(dǎo)電層的圖形，所述第一導(dǎo)電層覆蓋所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；

在所述第一導(dǎo)電層上形成包括反射金屬層的圖形和包括第二導(dǎo)電層的圖形，所述第二導(dǎo)電層覆蓋所述第二過(guò)孔。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，形成所述包括第一導(dǎo)電層的圖形、所述包括第二導(dǎo)電層的圖形和所述包括反射金屬層的圖形包括：

在所述鈍化層上形成第一導(dǎo)電膜；

在所述第一導(dǎo)電膜上形成反射金屬膜；

對(duì)所述反射金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括反射金屬層的圖形；

形成至少覆蓋所述反射金屬層和所述第一導(dǎo)電膜的第二導(dǎo)電膜；

對(duì)所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以保留被所述反射金屬層覆蓋的所述第一導(dǎo)電膜，以及覆蓋所述第二過(guò)孔的所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，對(duì)所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝包括：

對(duì)所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，去除未覆蓋所述第二過(guò)孔的所述第二導(dǎo)電膜；

對(duì)所述第一導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，去除未被所述反射金屬層覆蓋且未覆蓋所述第二過(guò)孔的所述第一導(dǎo)電膜。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層穿過(guò)所述第一過(guò)孔與所述薄膜晶體管的漏極連接，所述第一導(dǎo)電層穿過(guò)所述第二過(guò)孔與所述外圍電路的公共焊盤(pán)連接。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的材質(zhì)相同。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層均為透明導(dǎo)電材料。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管，設(shè)于所述襯底基板上；

外圍電路，設(shè)于所述襯底基板上；

鈍化層，至少覆蓋所述薄膜晶體管和所述外圍電路；

第一過(guò)孔，貫穿所述鈍化層并暴露部分所述薄膜晶體管的漏極；

第二過(guò)孔，貫穿所述鈍化層并暴露部分所述外圍電路；

第一導(dǎo)電圖案，設(shè)于所述鈍化層上并覆蓋所述第一過(guò)孔；

第二導(dǎo)電圖案，設(shè)于所述鈍化層上并覆蓋所述第二過(guò)孔，且所述第二導(dǎo)電圖案的厚度大于所述第一導(dǎo)電圖案的厚度；

反射金屬層圖案，覆蓋于所述第一導(dǎo)電圖案上。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案的材質(zhì)相同。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案均為透明導(dǎo)電材料。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電圖案穿過(guò)所述第一過(guò)孔與所述薄膜晶體管的漏極連接，所述第二導(dǎo)電圖案穿過(guò)所述第二過(guò)孔與所述外圍電路的公共焊盤(pán)連接。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種顯示裝置，包括上述任意一項(xiàng)所述的陣列基板。

本公開(kāi)的陣列基板的制造方法，在形成反射金屬層時(shí)，可通過(guò)第一導(dǎo)電層對(duì)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔露出的金屬進(jìn)行保護(hù)，防止出現(xiàn)對(duì)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔露出的金屬的刻蝕；同時(shí)，由于在第一導(dǎo)電層上還形成了第二導(dǎo)電層，且第二導(dǎo)電層在第一導(dǎo)電層的基礎(chǔ)上進(jìn)一步覆蓋第二過(guò)孔，使得即使第二過(guò)孔的爬坡處的第一導(dǎo)電層被刻蝕，也可通過(guò)第二導(dǎo)電層保證第二過(guò)孔的接觸良好。由此，可防止因形成反射金屬層而造成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的接觸不良，有利于提高良品率。

本公開(kāi)的陣列基板及顯示裝置，可采用上述的陣列基板的制造方法制造，可通過(guò)第一導(dǎo)電圖案對(duì)第一過(guò)孔進(jìn)行保護(hù)，防止在形成反射金屬層圖案時(shí)對(duì)第一過(guò)孔露出的金屬的刻蝕；通過(guò)第二導(dǎo)電圖案對(duì)第二過(guò)孔進(jìn)行保護(hù)，防止在形成反射金屬層圖案時(shí)對(duì)第二過(guò)孔露出的金屬及第二過(guò)孔的爬坡處的刻蝕。由此，可防止因形成反射金屬層圖案而造成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的接觸不良，有利于提高良品率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開(kāi)。

附圖說(shuō)明

此處的附圖被并入說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，示出了符合本公開(kāi)的實(shí)施例，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本公開(kāi)的原理。顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本公開(kāi)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本公開(kāi)陣列基板的制造方法的流程圖。

圖2為本公開(kāi)陣列基板的制造方法中形成包括第一導(dǎo)電層的圖形、包括第二導(dǎo)電層的圖形和包括反射金屬層的圖形的流程圖。

圖3為圖1中步驟s110對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為圖1中步驟s120對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為圖1中步驟s130對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為圖2中步驟s161對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為圖2中步驟s162對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為圖2中步驟s163對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為圖2中步驟s164對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10為圖2中步驟s165對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖一。

圖11為圖2中步驟s165對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖二。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開(kāi)將更加全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本公開(kāi)的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，可以實(shí)踐本公開(kāi)的技術(shù)方案而省略所述特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細(xì)示出或描述公知技術(shù)方案以避免喧賓奪主而使得本公開(kāi)的各方面變得模糊。

雖然本說(shuō)明書(shū)中使用相對(duì)性的用語(yǔ)，例如“上”、“下”來(lái)描述圖標(biāo)的一個(gè)組件對(duì)于另一組件的相對(duì)關(guān)系，但是這些術(shù)語(yǔ)用于本說(shuō)明書(shū)中僅出于方便，例如根據(jù)附圖中所述的示例的方向。能理解的是，如果將圖標(biāo)的裝置翻轉(zhuǎn)使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會(huì)成為在“下”的組件。當(dāng)某結(jié)構(gòu)在其它結(jié)構(gòu)“上”時(shí)，有可能是指某結(jié)構(gòu)一體形成于其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)“直接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)通過(guò)另一結(jié)構(gòu)“間接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上。

用語(yǔ)“一個(gè)”、“一”、“該”和“所述”用以表示存在一個(gè)或多個(gè)要素/組成部分/等；用語(yǔ)“包括”和“具有”用以表示開(kāi)放式的包括在內(nèi)的意思并且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等；用語(yǔ)“第一”和“第二”等僅作為標(biāo)記使用，不是對(duì)其對(duì)象的數(shù)量限制。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有陣列基板的反射層通常會(huì)覆蓋過(guò)孔露出的金屬，例如漏極金屬等，在對(duì)反射層進(jìn)行刻蝕以形成反射層圖案時(shí)，容易使過(guò)孔露出的金屬被刻蝕，導(dǎo)致利用過(guò)孔導(dǎo)電連接的兩層結(jié)構(gòu)難以正常導(dǎo)電，即出現(xiàn)過(guò)孔接觸不良；同時(shí)，即便是在過(guò)孔漏出的金屬上覆蓋導(dǎo)電保護(hù)層，但對(duì)反射層的刻蝕還可能導(dǎo)致過(guò)孔爬坡處的導(dǎo)電保護(hù)層被刻蝕，同樣使得利用過(guò)孔連接的兩層結(jié)構(gòu)難以正常導(dǎo)電，因此，同樣造成了過(guò)孔接觸不良。

基于上述問(wèn)題，本公開(kāi)的示例實(shí)施方式中首先提供了一種陣列基板的制造方法，如圖1，本實(shí)施方式的陣列基板的制造方法可以包括以下步驟：

步驟s110、形成薄膜晶體管和外圍電路；

步驟s120、形成至少覆蓋所述薄膜晶體管以及所述外圍電路的鈍化層；

步驟s130、形成貫穿所述鈍化層且暴露部分所述薄膜晶體管的漏極的第一過(guò)孔，以及貫穿所述鈍化層且暴露部分所述外圍電路的第二過(guò)孔；

步驟s140、在所述鈍化層上形成包括第一導(dǎo)電層的圖形，所述第一導(dǎo)電層覆蓋所述第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；

步驟s150、在所述第一導(dǎo)電層上形成包括反射金屬層的圖形和包括第二導(dǎo)電層的圖形，所述第二導(dǎo)電層覆蓋所述第二過(guò)孔。

本實(shí)施方式的陣列基板的制造方法，在形成反射金屬層時(shí)，可通過(guò)第一導(dǎo)電層對(duì)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔露出的金屬進(jìn)行保護(hù)，防止出現(xiàn)對(duì)第一過(guò)孔和第二過(guò)孔露出的金屬的刻蝕；同時(shí)，由于在第一導(dǎo)電層上還形成了第二導(dǎo)電層，且第二導(dǎo)電層在第一導(dǎo)電層的基礎(chǔ)上進(jìn)一步覆蓋第二過(guò)孔，使得即使第二過(guò)孔的爬坡處的第一導(dǎo)電層被刻蝕，也可通過(guò)第二導(dǎo)電層保證第二過(guò)孔的接觸良好。由此，可防止因形成反射金屬層而造成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的接觸不良，有利于提高良品率。

下面，如圖3～圖11，將對(duì)本示例實(shí)施方式中的陣列基板的制造方法的各步驟進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明。

在步驟s110中，如圖3，形成薄膜晶體管和外圍電路。在襯底基板1的顯示區(qū)形成薄膜晶體管、非顯示區(qū)形成外圍電路。

在本實(shí)施方式中，可采用一襯底基板1，該襯底基板1可具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)；薄膜晶體管可以包括柵極2、柵極絕緣層3、有源層4、源極5和漏極6等；外圍電路可以包括用于與驅(qū)動(dòng)電路板連接的公共焊盤(pán)7等；柵極2和公共焊盤(pán)7可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成并位于同一層，同時(shí)，也可一并形成公共電極等；該構(gòu)圖工藝可以是包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟的經(jīng)典的掩膜工藝，也可以是采用離地剝離技術(shù)的掩膜工藝，還可以是打印、印刷等其它工藝，只要能形成柵極2和公共焊盤(pán)7即可，在此不再詳述。

在步驟s120中，如圖4，形成至少覆蓋所述薄膜晶體管以及所述外圍電路的鈍化層8。

在本實(shí)施方式中，可在形成有薄膜晶體管和外圍電路的襯底基板1上形成鈍化層8，通過(guò)該鈍化層8覆蓋薄膜晶體管的源極5、漏極6和外圍電路并進(jìn)行保護(hù)；其中，該鈍化層8可為絕緣材質(zhì)；形成鈍化層8的方式可以是沉積、涂敷、濺射等，但不以此為限。

在步驟s130中，如圖5，形成貫穿所述鈍化層8且暴露部分所述薄膜晶體管的漏極的第一過(guò)孔9，以及貫穿所述鈍化層8且暴露部分所述外圍電路的第二過(guò)孔10。

在本實(shí)施方式中，第一過(guò)孔9可以是位于上述顯示區(qū)且暴露部分薄膜晶體管的漏極6的過(guò)孔，第一過(guò)孔9可貫穿上述鈍化層8以露出漏極6；第二過(guò)孔10可以是位于上述非顯示區(qū)且暴露外圍電路的公共焊盤(pán)7的過(guò)孔，第二過(guò)孔10可貫穿鈍化層8和柵極絕緣層3以露出公共焊盤(pán)7。形成上述第一過(guò)孔9和第二過(guò)孔10的工藝可參考本領(lǐng)域中形成過(guò)孔的通常做法，在此不再贅述。以上僅為對(duì)第一過(guò)孔9和第二過(guò)孔10的示例性說(shuō)明，并不構(gòu)成對(duì)第一過(guò)孔9和第二過(guò)孔10的限定，第一過(guò)孔9和第二過(guò)孔10也可以是其它過(guò)孔。

在步驟s140中，如圖6～圖8，在所述鈍化層8上形成包括第一導(dǎo)電層11的圖形，所述第一導(dǎo)電層11覆蓋所述第一過(guò)孔9和第二過(guò)孔10。

在本實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電層11可穿過(guò)第一過(guò)孔9與薄膜晶體管的漏極6連接，即第一導(dǎo)電層11可貼合第一過(guò)孔9的內(nèi)壁并覆蓋第一過(guò)孔9露出的漏極6；同時(shí)，第一導(dǎo)電層11還可穿過(guò)第二過(guò)孔10與外圍電路的公共焊盤(pán)7連接，即第一導(dǎo)電層11還可貼合第二過(guò)孔10的內(nèi)壁并覆蓋第二過(guò)孔10露出的公共焊盤(pán)7；第一導(dǎo)電層11可以是透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫，當(dāng)然，第一導(dǎo)電層11也可以采用其它導(dǎo)電材料，在此不再一一列舉。

在步驟s150中，如圖6～如圖8，在所述第一導(dǎo)電層11上形成包括反射金屬層12的圖形和包括第二導(dǎo)電層13的圖形，所述第二導(dǎo)電層13覆蓋所述第二過(guò)孔10。

在本實(shí)施方式中，反射金屬層12可直接覆蓋在第一導(dǎo)電層11上，并可位于上述的顯示區(qū)，以在顯示區(qū)內(nèi)對(duì)光線(xiàn)進(jìn)行反射；反射金屬層12的材料可以采用高反射率的金屬或合金材料，例如鋁、銀、鉬鋁合金或鋁釹合金等。當(dāng)然，反射金屬層12的材料并不限定于以上列舉的材料，其還可以采用其它材料，在此不再一一列舉。反射金屬層12可與像素電極的圖案相同，從而可將反射金屬層12作為像素電極，也就是說(shuō)，反射金屬層12可覆蓋第一過(guò)孔9并通過(guò)第一導(dǎo)電層11與薄膜晶體管的導(dǎo)電連接。

第二導(dǎo)電層13可覆蓋反射金屬層12以及第一導(dǎo)電層11上未被反射金屬層12覆蓋的區(qū)域，且第二導(dǎo)電層13可通過(guò)第一導(dǎo)電層11與上述公共焊盤(pán)7連接。當(dāng)然，第二導(dǎo)電層13還可以覆蓋其它區(qū)域，在此不作特殊限定。第二導(dǎo)電層13可采用與第一導(dǎo)電層11相同的透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫，有利于簡(jiǎn)化制造工藝，當(dāng)然，第二導(dǎo)電層13也可以采用其它材料，在此不作特殊限定。

在本實(shí)施方式中，如圖2，上述的包括第一導(dǎo)電層11的圖形、包括第二導(dǎo)電層13的圖形和包括反射金屬層12的圖形可通過(guò)以下步驟形成：

步驟s161、如圖6，在所述鈍化層8上形成第一導(dǎo)電膜110。

在本實(shí)施方式中，形成第一導(dǎo)電膜110可采用沉積、涂敷、濺射等多種方式；第一導(dǎo)電膜110的材質(zhì)可為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料或其它材料。

步驟s162、如圖7，在所述第一導(dǎo)電膜上形成反射金屬膜120。

在本實(shí)施方式中，反射金屬膜120可覆蓋于第一導(dǎo)電膜110上；形成反射金屬膜120可采用沉積、涂敷、濺射等多種方式；反射金屬膜120的材質(zhì)可為上文所述的高反射率的金屬或合金材料，在此不再詳述。

步驟s163、如圖8，對(duì)所述反射金屬膜120進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括反射金屬層12的圖形。

在本實(shí)施方式中，步驟s163中的構(gòu)圖工藝可以是本領(lǐng)域經(jīng)典的掩膜工藝，其可以包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟，當(dāng)然也可以是利用離地剝離技術(shù)的掩膜工藝，在此不做特殊限定，只要能去除反射金屬膜120的特定區(qū)域，以形成反射金屬層12即可。

步驟s164、如圖9，形成至少覆蓋所述反射金屬層12和所述第一導(dǎo)電膜110的第二導(dǎo)電膜130。

在本實(shí)施方式中，形成第二導(dǎo)電膜130的方式可參考形成第一導(dǎo)電膜110的方式，也可以采用沉積、涂敷、濺射等多種方式，第二導(dǎo)電膜130的材質(zhì)可采用與第一導(dǎo)電膜110相同的氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料，或者，也可以采用其它材料。

步驟s165，如圖10和圖11，對(duì)所述第一導(dǎo)電膜110和所述第二導(dǎo)電膜130進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以保留被所述反射金屬層12覆蓋的所述第一導(dǎo)電膜110，以及覆蓋所述第二過(guò)孔10的所述第一導(dǎo)電膜110和所述第二導(dǎo)電膜130，得到第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13。

在本實(shí)施方式中，對(duì)所述第一導(dǎo)電膜110和所述第二導(dǎo)電膜130進(jìn)行構(gòu)圖工藝可以包括以下步驟：

如圖10，對(duì)所述第二導(dǎo)電膜130進(jìn)行構(gòu)圖工藝，去除未覆蓋所述第二過(guò)孔10的所述第二導(dǎo)電膜130，得到第二導(dǎo)電層13；以及

如圖11，對(duì)所述第一導(dǎo)電膜110進(jìn)行光刻工藝，去除未被所述反射金屬層12覆蓋且未覆蓋所述第二過(guò)孔10的所述第一導(dǎo)電膜110，得到第一導(dǎo)電層11。其中：

在去除未覆蓋第二過(guò)孔10的第二導(dǎo)電膜130后，在顯示區(qū)內(nèi)，至少可露出被第二導(dǎo)電膜130覆蓋的反射金屬層12；在非顯示區(qū)內(nèi)，僅保留第二導(dǎo)電膜130上覆蓋第二過(guò)孔10的區(qū)域；若第二過(guò)孔10的爬坡處的第一導(dǎo)電膜110因形成反射金屬層12而被刻蝕時(shí)，第二導(dǎo)電膜130對(duì)第二過(guò)孔10的覆蓋可保證第二過(guò)孔10的接觸良好。

上述步驟s165中的構(gòu)圖工藝可以是本領(lǐng)域慣用的經(jīng)典的掩膜工藝，其可以包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟，當(dāng)然也可以是利用離地剝離技術(shù)的掩膜工藝，在此不做特殊限定，只要能去除第二導(dǎo)電膜130上未覆蓋第二過(guò)孔10的區(qū)域，以形成第二導(dǎo)電膜130即可；以及去除第一導(dǎo)電膜110上未被反射金屬層12覆蓋且未覆蓋第二過(guò)孔10的區(qū)域即可。特別地，若第一導(dǎo)電膜110和第二導(dǎo)電膜130采用相同材質(zhì)，則在采用上述經(jīng)典的掩膜工藝時(shí)，可使用同一種刻蝕液，有利于簡(jiǎn)化工藝，提高工作效率。

需要說(shuō)明的是，以上僅為形成第一導(dǎo)電層11的圖形、第二導(dǎo)電層13的圖形和反射金屬層12的方式的示例性說(shuō)明，在本公開(kāi)的其它實(shí)施方式中，還可以采用打印、印刷等其它工藝形成上述的第一導(dǎo)電層11的圖形、第二導(dǎo)電層13和反射金屬層12，舉例而言，可通過(guò)打印工藝在鈍化層8上先形成第一導(dǎo)電層11，再在第一導(dǎo)電層11上分別打印形成反射金屬層12和第二導(dǎo)電層13；在此不對(duì)做特殊限定，只要能用來(lái)形成第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層13和反射金屬層12即可。

需要說(shuō)明的是，盡管在附圖中以特定順序描述了本公開(kāi)中方法的各個(gè)步驟，但是，這并非要求或者暗示必須按照該特定順序來(lái)執(zhí)行這些步驟，或是必須執(zhí)行全部所示的步驟才能實(shí)現(xiàn)期望的結(jié)果。附加的或備選的，可以省略某些步驟，將多個(gè)步驟合并為一個(gè)步驟執(zhí)行，以及/或者將一個(gè)步驟分解為多個(gè)步驟執(zhí)行等。

本公開(kāi)示例實(shí)施方式還提供一種陣列基板，該陣列基板可具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，如圖11，本實(shí)施方式的陣列基板可以包括襯底基板1、薄膜晶體管、外圍電路、鈍化層8、第一過(guò)孔9、第二過(guò)孔10、第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案和反射金屬層圖案。

在本實(shí)施方式中，襯底基板1可以具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，襯底基板1的顯示區(qū)可與陣列基板用于顯示圖像的區(qū)域?qū)?yīng)，襯底基板1的非顯示區(qū)可與陣列基板非用于顯示圖像的區(qū)域?qū)?yīng)；其中，所述非顯示區(qū)可位于所述顯示區(qū)的外圍。

在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管可設(shè)于所述顯示區(qū)，該薄膜晶體管可以包括柵極2、柵極絕緣層3、有源層4、源極5和漏極6等，薄膜晶體管的詳細(xì)構(gòu)成可參考現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管，在此不再贅述。

在本實(shí)施方式中，外圍電路可設(shè)于所述非顯示區(qū)，所述外圍電路可包括用于與驅(qū)動(dòng)電路板連接的公共焊盤(pán)7，還可以包括其它結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。

需要說(shuō)明的是，上述柵極2和公共焊盤(pán)7可同層設(shè)置，可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成在襯底基板1上，但不應(yīng)理解為上述柵極2和公共焊盤(pán)7只能同層設(shè)置，還可以采用其它設(shè)置方式。

在本實(shí)施方式中，鈍化層8可覆蓋上述薄膜晶體管和外圍電路，且鈍化層8可以采用絕緣材料以便對(duì)薄膜晶體管和外圍電路進(jìn)行保護(hù)。

在本實(shí)施方式中，第一過(guò)孔9可以是連接薄膜晶體管的漏極6的過(guò)孔，其可位于顯示區(qū)內(nèi)并貫穿上述鈍化層8，以露出薄膜晶體管的漏極6；當(dāng)然，第一過(guò)孔9并不限于上述露出漏極6的過(guò)孔，其也可以是顯示區(qū)內(nèi)的其它過(guò)孔，在此不做特殊限定。

在本實(shí)施方式中，第二過(guò)孔10可以是連接外圍電路的公共焊盤(pán)7的過(guò)孔，其可位于非顯示區(qū)內(nèi)并貫穿鈍化層8，并可進(jìn)一步貫穿柵極絕緣層3，以露出上述公共焊盤(pán)7；當(dāng)然，第二過(guò)孔10并不限于上述露出公共焊盤(pán)7的過(guò)孔，其也可以是非顯示區(qū)內(nèi)的其它過(guò)孔，在此不做特殊限定。

在本實(shí)施方式中，上述第一導(dǎo)電圖案的形成可參考上述陣列基板的制造方法的實(shí)施方式；第一導(dǎo)電圖案可以是上述第一導(dǎo)電膜110在顯示區(qū)的鈍化層8保留的區(qū)域。

在本實(shí)施方式中，上述第二導(dǎo)電圖案的形成可參考上述陣列基板的制造方法的實(shí)施方式；第二導(dǎo)電圖案可以是上述第一導(dǎo)電膜110和第二導(dǎo)電膜130的在非顯示區(qū)保留的區(qū)域，且該第二導(dǎo)電圖案可覆蓋第二過(guò)孔10并與第二過(guò)孔10露出的公共焊盤(pán)7或其它金屬連接；也就是說(shuō)，第二導(dǎo)電圖案可包括第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13互相重合的區(qū)域；第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13可采用相同的透明導(dǎo)電材質(zhì)，例如氧化銦錫等，且若第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13材質(zhì)相同，則第二導(dǎo)電圖案可為一體式結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，若第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13材質(zhì)不同，第二導(dǎo)電圖案可包括第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13，并不影響第二導(dǎo)電圖案的功能。

在本實(shí)施方式中，反射金屬層圖案可覆蓋于上述第一導(dǎo)電圖案上，并可與第一導(dǎo)電圖案重合且均可導(dǎo)電，使得反射金屬層圖案和第一導(dǎo)電圖案可作為像素電極，同時(shí)，反射金屬層圖案還可對(duì)光線(xiàn)進(jìn)行反射，從而為陣列基板的成像提供光源。

本公開(kāi)示例實(shí)施方式還提供一種顯示裝置，本實(shí)施方式的顯示裝置可以包括上述任一實(shí)施方式所述的陣列基板。

本公開(kāi)示例實(shí)施方式的陣列基板及顯示裝置，可采用上述的陣列基板的制造方法制造，通過(guò)第一導(dǎo)電圖案對(duì)第一過(guò)孔9進(jìn)行保護(hù)，防止在形成反射金屬層圖案時(shí)對(duì)第一過(guò)孔9露出的金屬的刻蝕；通過(guò)第二導(dǎo)電圖案對(duì)第二過(guò)孔10進(jìn)行保護(hù)，防止在形成反射金屬層圖案時(shí)對(duì)第二過(guò)孔10露出的金屬及第二過(guò)孔10的爬坡處的刻蝕。由此，可防止因形成反射金屬層圖案而造成第一過(guò)孔9和第二過(guò)孔10的接觸不良，有利于提高良品率。

本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說(shuō)明書(shū)及實(shí)踐這里公開(kāi)的發(fā)明后，將容易想到本公開(kāi)的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開(kāi)的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開(kāi)的一般性原理并包括本公開(kāi)未公開(kāi)的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說(shuō)明書(shū)和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開(kāi)的真正范圍和精神由所附的權(quán)利要求指出。