本發(fā)明是有關(guān)于一種轉(zhuǎn)置圖章，特別是一種藉由局部磁力提高轉(zhuǎn)印良率的轉(zhuǎn)置圖章與應(yīng)用其的轉(zhuǎn)移方法。

背景技術(shù)：

微型發(fā)光二極管陣列(microlight-emittingdiodearray)為將尺寸微小(小于100微米)的微型發(fā)光二極管以陣列方式排列設(shè)置于具有像素電路的陣列基板上。通過定址化驅(qū)動(dòng)技術(shù)，每個(gè)微型發(fā)光二極管可以定址控制、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮，因而可以作為點(diǎn)像素，于是，微型發(fā)光二極管陣列將能發(fā)揮顯示器的功能。

除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反應(yīng)時(shí)間快等特點(diǎn)，微型發(fā)光二極管陣列還具有節(jié)能、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)易、體積小、薄型等優(yōu)勢(shì)。比起同樣是自發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode)顯示器，微型發(fā)光二極管陣列有較佳的材料穩(wěn)定性、壽命長(zhǎng)、且無影像烙印等問題。為了改善微型發(fā)光二極管陣列的各項(xiàng)特性，相關(guān)領(lǐng)域莫不費(fèi)盡心思開發(fā)。如何能提供一種具有較佳特性的微型發(fā)光二極管陣列與其相關(guān)制造工藝，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前相關(guān)領(lǐng)域亟需改進(jìn)的目標(biāo)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)置圖章與應(yīng)用其的轉(zhuǎn)移方法，以增加轉(zhuǎn)移微元件的良率。

本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)置圖章，包含本體與多個(gè)磁性物質(zhì)。本體具有基底部與轉(zhuǎn)置頭。基底部包含表面，轉(zhuǎn)置頭沿著第一方向突出于基底部的表面，且轉(zhuǎn)置頭沿著第一方向具有相對(duì)的第一側(cè)面與第二側(cè)面。第一側(cè)面與第二側(cè)面連接基底部的表面。磁性物質(zhì)置于轉(zhuǎn)置頭中。磁性物質(zhì)鄰近第一側(cè)面的密度大于鄰近第二側(cè)面的密度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，磁性物質(zhì)于轉(zhuǎn)置頭中的密度沿著第二方向遞減，第二方向垂直于第一方向。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭沿第一方向具有對(duì)稱面。轉(zhuǎn)置頭包含對(duì)稱于對(duì)稱面的第一部分與第二部分，且位于第一部分的磁性物質(zhì)的密度大于位于第二部分的磁性物質(zhì)的密度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭包含上部分與下部分，上部分與下部分沿著第一方向排列。上部分置于下部分與基底部之間，且上部分于基底部的垂直投影面積大于下部分于基底部的垂直投影面積。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，磁性物質(zhì)置于轉(zhuǎn)置頭的下部分。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭的下部分沿著第二方向具有一寬度，且自第一側(cè)面為起點(diǎn)的25％前述寬度的區(qū)域內(nèi)的磁性物質(zhì)的密度大于自第二側(cè)面為起點(diǎn)的25％前述寬度的區(qū)域內(nèi)的磁性物質(zhì)的密度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，磁性物質(zhì)的材質(zhì)為四氧化三鐵、氧化錳鐵、氧化鈷鐵、鋁鎳鈷合金、鐵鉻鈷合金、鐵鉻錳合金、鐵鋁碳合金、稀土元素-鈷合金、稀土元素-鐵合金、鉑鈷合金、錳鋁碳合金、銅鎳鐵合金、鋁錳銀合金或其組合。

本發(fā)明另提供一種轉(zhuǎn)置圖章，包含本體與多個(gè)磁性物質(zhì)。本體具有基底部與轉(zhuǎn)置頭?；撞烤哂斜砻?，轉(zhuǎn)置頭沿著第一方向突出于基底部的表面，且轉(zhuǎn)置頭包含第一部分與第二部分，第一部分與第二部分相互連接。磁性物質(zhì)置于轉(zhuǎn)置頭中。磁性物質(zhì)于第一部分具有第一密度，磁性物質(zhì)于第二部分具有第二密度，且第一密度不等于第二密度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一密度大于該第二密度。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭的第一部分與轉(zhuǎn)置頭的第二部分分別設(shè)置于基底部的表面上。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一部分的尺寸與第二部分的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。

本發(fā)明另提供一種微元件的轉(zhuǎn)移方法，包含藉由轉(zhuǎn)置圖章提取至少一微元件。轉(zhuǎn)置圖章以轉(zhuǎn)置頭接觸至少一微元件，且多個(gè)磁性物質(zhì)設(shè)置于轉(zhuǎn)置頭中。藉由轉(zhuǎn)置圖章將至少一微元件放置于接收基板上。自接收基板下方提供與磁性物質(zhì)排斥的磁力至轉(zhuǎn)置圖章的磁性物質(zhì)，以分離轉(zhuǎn)置頭與至少一微元件。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭包含第一部分與第二部分，第一部分與第二部分沿著一方向排列。磁性物質(zhì)于第一部分的密度大于磁性物質(zhì)于第二部分的密度，且轉(zhuǎn)移方法還包含沿著該方向移動(dòng)磁力。

在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，提供磁力的步驟包含通電一電磁鐵以產(chǎn)生磁力。

上述各實(shí)施例的轉(zhuǎn)置圖章包含磁性物質(zhì)，且這些磁性物質(zhì)鄰近第一側(cè)面的密度大于鄰近第二側(cè)面的密度，因此在當(dāng)分離轉(zhuǎn)置頭與微元件時(shí)，只要于微元件下方施加與磁性物質(zhì)相斥的磁力，即可在轉(zhuǎn)置頭與微元件形成裂口，以減弱轉(zhuǎn)置頭與微元件之間的接著力，增加轉(zhuǎn)移微元件的良率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的轉(zhuǎn)置圖章的仰視圖。

圖2為沿圖1的線段2-2的剖面圖。

圖3為圖1的轉(zhuǎn)置圖章的局部立體圖。

圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的轉(zhuǎn)置圖章的剖面圖。

圖5至圖7為一種微元件的轉(zhuǎn)移方法于各階段的示意圖。

圖8為微元件、接收基板與第一導(dǎo)線的俯視圖。

圖9為沿圖8的線段9-9的剖面圖。

圖10為微元件、接收基板、第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線的俯視圖。

圖11為沿圖10的線段11-11的剖面圖。

符號(hào)說明：

100：轉(zhuǎn)置圖章402：信號(hào)線

110：本體410：主動(dòng)元件

112：基底部411：柵極

112a：第一表面413：源極

112b：第二表面415：漏極

114：轉(zhuǎn)置頭417：半導(dǎo)體層

115：第一側(cè)面420：導(dǎo)電層

116：第二側(cè)面430、455：貫穿結(jié)構(gòu)

122：第一部分440：粘合層

124：第二部分450：第一導(dǎo)線

132：上部分460：第二導(dǎo)線

134：下部分470：圖案化層

150：磁性物質(zhì)500：平臺(tái)

200：基板510：磁鐵

210：機(jī)械手臂2-2、7-7、9-9：線段

300：微元件d1：第一方向

302：裂口d2：第二方向

310：第一電極s：切割面

320：第二電極w：寬度

400：接收基板x：長(zhǎng)度

具體實(shí)施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示之。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時(shí)，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時(shí)，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的轉(zhuǎn)置圖章100的仰視圖，圖2為沿圖1的線段2-2的剖面圖，且圖3為圖1的轉(zhuǎn)置圖章100的局部立體圖。在本實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置圖章100包含本體110與多個(gè)磁性物質(zhì)150。本體110具有基底部112與轉(zhuǎn)置頭114?；撞?12具有相對(duì)的第一表面112a與第二表面112b。轉(zhuǎn)置頭114沿著第一方向d1(在此處可為基底部112的第一表面112a的法線方向)突出于基底部112的第一表面112a，亦即轉(zhuǎn)置頭114置于基底部112的第一表面112a上，且轉(zhuǎn)置頭114沿著第一方向d1具有相對(duì)的第一側(cè)面115與第二側(cè)面116。第一側(cè)面115與第二側(cè)面116連接第一表面112a。磁性物質(zhì)150置于轉(zhuǎn)置頭114中。磁性物質(zhì)150鄰近第一側(cè)面115的密度大于鄰近第二側(cè)面116的密度。也就是說，磁性物質(zhì)150鄰近第一側(cè)面115的磁力大于鄰近第二側(cè)面116的磁力。

本實(shí)施例的轉(zhuǎn)置圖章100藉由磁性物質(zhì)150可提高微元件的轉(zhuǎn)印良率。具體而言，在一些制造工藝過程中，微元件需從一基板轉(zhuǎn)移至另一基板，因此可使用轉(zhuǎn)置圖章100自一基板提取微元件，再將微元件置于另一基板上。轉(zhuǎn)置圖章100利用轉(zhuǎn)置頭114接觸微元件，使得微元件吸附于轉(zhuǎn)置頭114上，因此轉(zhuǎn)置圖章100便可提取微元件，再將微元件放置于另一基板上。然而若轉(zhuǎn)置頭114與微元件之間的接著力大于微元件與所放置的另一基板的吸附力，則微元件便無法順利地放置于另一基板上，而是仍被吸附于轉(zhuǎn)置頭114上。不過，在本實(shí)施例中，因轉(zhuǎn)置頭114中具有磁性物質(zhì)150，因此可額外施加磁力，使得轉(zhuǎn)置頭114產(chǎn)生微量的內(nèi)部形變以分離微元件。另外，因磁性物質(zhì)150鄰近第一側(cè)面115的密度大于鄰近第二側(cè)面116的密度，因此當(dāng)磁力作用于磁性物質(zhì)150上時(shí)，會(huì)在轉(zhuǎn)置頭114與微元件之間產(chǎn)生裂口，此裂口即為破裂起始點(diǎn)，能夠讓微元件容易自轉(zhuǎn)置頭114上剝離。

在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置圖章100的本體110包含一個(gè)基底部112與一個(gè)轉(zhuǎn)置頭114，轉(zhuǎn)置頭114自基底部112的第一表面112a突出。然而在另一些實(shí)施例中，本體110包含一個(gè)基底部112與多個(gè)轉(zhuǎn)置頭114，如圖1所示。這些轉(zhuǎn)置頭114排列于基底部112的第一表面112a上，可依照欲轉(zhuǎn)移的微元件的排列方式來決定轉(zhuǎn)置頭114的放置方式。舉例而言，若微元件呈矩陣排列，則轉(zhuǎn)置頭114亦呈矩陣排列，因此轉(zhuǎn)置頭114分別對(duì)應(yīng)微元件，使得轉(zhuǎn)置圖章100能夠提取每一微元件。

請(qǐng)一并參照?qǐng)D1與圖2。在本實(shí)施例中，每一轉(zhuǎn)置頭114皆為矩形凸塊為范例，因此有四個(gè)沿著第一方向d1延伸的側(cè)面，其中第一側(cè)面115相對(duì)于第二側(cè)面116。然而在其他的實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭114投影于基底部112的形狀，不限于矩形，也可為其它適合的形狀；此外，轉(zhuǎn)置頭114可為多邊形體，只要磁性物質(zhì)150在鄰近轉(zhuǎn)置頭114的相對(duì)兩側(cè)面具有不同的密度，即在本發(fā)明的范疇中。

在本實(shí)施例中，至少一轉(zhuǎn)置頭114包含第一部分122與第二部分124。第一部分122與第二部分124沿著第二方向d2排列且相互連接。第二方向d2垂直于第一方向d1。第一部分122與第二部分124分別置于基底部112的表面上。在本實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭114沿第一方向d1具有切割面s，亦即切割面s沿著第一方向d1延伸(如圖2所示)。切割面s將轉(zhuǎn)置頭114分為第一部分122與第二部分124。換言之，由圖2來看，切割面s沿著第一方向d1將轉(zhuǎn)置頭114分成左半部(亦即第一部分122)與右半部(亦即第二部分124)。第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。應(yīng)了解到，“實(shí)質(zhì)上”是用以修飾可些微變化的關(guān)系，但這種些微變化并不會(huì)改變其本質(zhì)。舉例來說，第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸實(shí)質(zhì)上相同，此一描述除了第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸確實(shí)相同外，在其他實(shí)施方式中，第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸也可以略為不同。在本文中，只要第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸相差在10％的范圍內(nèi)，即稱為實(shí)質(zhì)上相同。若第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸相差0％，則切割面s為第一部分122與第二部分124的對(duì)稱面，亦即第一部分122與第二部分124對(duì)稱于切割面s。

在本實(shí)施例中，位于第一部分122的磁性物質(zhì)150于第一部分122的密度不同于位于第二部分124的磁性物質(zhì)150于第二部分124的密度。例如，位于第一部分122的磁性物質(zhì)150于第一部分122的密度大于位于第二部分124的磁性物質(zhì)150于第二部分124的密度。亦即，磁性物質(zhì)150在轉(zhuǎn)置頭114的第一部分122中的數(shù)量大于磁性物質(zhì)150在轉(zhuǎn)置頭114的第二部分124中的數(shù)量。換言之，當(dāng)?shù)谝徊糠?22與第二部分124實(shí)質(zhì)上具有相同的體積之下，包含磁性物質(zhì)150的第一部分122的重量大于包含磁性物質(zhì)150的第二部分124的重量。也就是說，磁性物質(zhì)150于轉(zhuǎn)置頭114的第一部分122的磁力大于轉(zhuǎn)置頭114的第二部分124的磁力。在一些實(shí)施例中，磁性物質(zhì)150僅置于轉(zhuǎn)置頭114的第一部分122中，而不置于轉(zhuǎn)置頭114的第二部分124中。而在又一些實(shí)施例中，磁性物質(zhì)150于轉(zhuǎn)置頭114的密度沿著第二方向d2遞減，如圖4所示。在圖4中，磁性物質(zhì)150置于第一部分122與第二部分124中，但磁性物質(zhì)150在第一部分122中的數(shù)量大于磁性物質(zhì)150在第二部分124中的數(shù)量。磁性物質(zhì)150沿著第二方向d2分布的長(zhǎng)度x大于0.1微米。

請(qǐng)回到圖1至圖3。在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置頭114包含上部分132與下部分134，上部分132與下部分134沿著第一方向d1排列。上部分132置于下部分134與基底部112之間，且上部分132于基底部112的垂直投影面積大于下部分134于基底部112的垂直投影面積(如圖1所示)。在本實(shí)施例中，上部分132與下部分134皆為長(zhǎng)方體，然而在其他的實(shí)施例中，上部分132與下部分134可為多邊形柱狀體，本發(fā)明不以此為限。

在本實(shí)施例中，下部分134的下表面(或稱為外表面或者物體接觸面)為接觸微元件的面，而磁性物質(zhì)150置于轉(zhuǎn)置頭114的下部分134，因此當(dāng)磁力作用于磁性物質(zhì)150上時(shí)，下部分134可產(chǎn)生微量形變，將下部分134的下表面局部提起，以于轉(zhuǎn)置頭114與微元件之間形成裂口。在一些實(shí)施例中，下部分134沿著第二方向d2具有寬度w，且自第一側(cè)面115為起點(diǎn)的25％寬度w(即0.25w)的區(qū)域內(nèi)的磁性物質(zhì)150的密度(或數(shù)量)大于自第二側(cè)面116為起點(diǎn)的25％寬度w(即0.25w)的區(qū)域內(nèi)的磁性物質(zhì)150的密度(或數(shù)量)。

在一些實(shí)施例中，本體110的基底部112與轉(zhuǎn)置頭114為一體成型，例如可使用一模具以形成本體110。另外磁性物質(zhì)150可先置于模具中，因此當(dāng)本體110的材料置入模具中時(shí)，本體110即可包覆磁性物質(zhì)150。再者，因轉(zhuǎn)置頭114包含上部分132與下部分134，因此可讓轉(zhuǎn)置圖章100較容易自模具中分離。

在一些實(shí)施例中，本體110的材料可為聚合物，例如為聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,pdms)、聚酰亞胺(polyimide)、柔性環(huán)氧樹脂、苯乙烯(styrenic)、聚酰胺(polyamide)、天然或合成橡膠(rubber)、聚丁二烯(polybutadiene)、聚氨酯(polyurethanes)、聚氯平(polychloroprene)、硅膠(silicone)或其它合適的材料、或前述至少二者的組合。本體110的材料可具有低楊氏模量(young'smodulus)，以與待轉(zhuǎn)移的微元件之間具有共形接觸(conformalcontact)，其可增加轉(zhuǎn)置圖章100與待轉(zhuǎn)移的微元件之間的接著力，然而本發(fā)明不以此為限。

另外，磁性物質(zhì)150的材質(zhì)可為四氧化三鐵(fe3o4)、氧化錳鐵(mnfe2o4)、氧化鈷鐵(cofe2o4)、鋁鎳鈷合金(alni(co))、鐵鉻鈷合金(fecr(co))、鐵鉻錳合金(fecrmo)、鐵鋁碳合金(fealc)、鐵鈷(錳)(鎢)合金(feco(v)(w))、稀土元素-鈷合金(re-co)、稀土元素-鐵合金(re-fe)、鉑鈷合金(ptco)、錳鋁碳合金(mnalc)、銅鎳鐵合金(cunife)、鋁錳銀合金(almnag)、或其它合適的材料、或前述至少二者的組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D2。在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)置圖章100的本體110可固定于基板200上，例如以基底部112的第二表面112b接觸基板200?；?00的硬度可大于本體110的硬度，基板200的材質(zhì)例如可為石英玻璃、蘇打石灰(sodalime)玻璃、青板玻璃或白玻璃。基板200可提供轉(zhuǎn)置圖章100足夠的硬度，以防止轉(zhuǎn)置圖章100過度變形。

請(qǐng)一并參照?qǐng)D5至圖7，其為一種微元件的轉(zhuǎn)移方法于各階段的示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D5，藉由轉(zhuǎn)置圖章100提取微元件300，例如轉(zhuǎn)置圖章100可放置于機(jī)械手臂210上，再利用機(jī)械手臂210移動(dòng)轉(zhuǎn)置圖章100，以接觸并提取放置于一基板(未繪示)的微元件300。具體而言，轉(zhuǎn)置圖章100以其轉(zhuǎn)置頭114接觸微元件300，藉由轉(zhuǎn)置頭114與微元件300之間的接著力以提取微元件300。在本實(shí)施例中，微元件300可以是微型發(fā)光二極管(microled)為范例，其包含第一電極310與第二電極320。當(dāng)于第一電極310與第二電極320通以電流時(shí)，微型發(fā)光二極管便可發(fā)光。再者，本實(shí)施例的第一電極310與第二電極320是以水平排列于微元件的同一表面上為范例，但不限于此，亦可第一電極310與第二電極320是以垂直排列于微元件的不同平面上，且第一電極310與第二電極320相分隔，以避免微元件300短路。不過，微元件300也可為芯片、感應(yīng)元件或其他裝置。另外，轉(zhuǎn)置圖章100可包含多個(gè)轉(zhuǎn)置頭114，每一轉(zhuǎn)置頭114對(duì)應(yīng)一微元件300，因此轉(zhuǎn)置圖章100可一次提取多個(gè)微元件300。

接著請(qǐng)參照?qǐng)D6。藉由轉(zhuǎn)置圖章100將微元件300放置于接收基板400上。接收基板400可為陣列基板，其包含多個(gè)主動(dòng)元件410；或者接收基板400可為具有線路的驅(qū)動(dòng)電路，不過在本實(shí)施例以陣列基板為例。主動(dòng)元件410可為晶體管，例如為薄膜晶體管(thinfilmtransistor)。舉例而言，主動(dòng)元件410包含柵極411、源極413、漏極415與半導(dǎo)體層417。柵極411置于半導(dǎo)體層417之上，源極413與漏極415分別電連接半導(dǎo)體層417于范例，但不限于此。于其它實(shí)施例中，柵極411置于半導(dǎo)體層417之下，源極413與漏極415分別電連接半導(dǎo)體層417。另外，源極413可與信號(hào)線402(例如數(shù)據(jù)線)連接。接收基板400還包含多個(gè)導(dǎo)電層420，分別置于主動(dòng)元件410上，并例如藉由貫穿結(jié)構(gòu)430而電連接主動(dòng)元件410的漏極415。接收基板400還包含粘合層440，置于導(dǎo)電層420上，而微元件300可藉由粘合層440而固定于導(dǎo)電層420上。在一些實(shí)施例中，接收基板400可置于一平臺(tái)500上。另外，粘合層440的材質(zhì)可為光阻、硅膠、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電材料、或其它合適的材料、或其組合，本發(fā)明不以此為限。于其它實(shí)施例中，亦可選擇性不存在粘合層440。接收基板400另包含圖案化介電層470，置于導(dǎo)電層420周圍，亦即圖案化介電層470圍繞導(dǎo)電層420。在一些實(shí)施例中，圖案化層470的材質(zhì)可為無機(jī)介電材料或有機(jī)介電材料。

轉(zhuǎn)置圖章100將微元件300放置于粘合層440上，且置于導(dǎo)電層420上方。在一些實(shí)施例中，每一導(dǎo)電層420上方可放置一或多個(gè)微元件300，例如在圖6中，每一導(dǎo)電層420上放置兩個(gè)微元件300，然而本發(fā)明不以此為限。

接著請(qǐng)參照?qǐng)D7。在接收基板400下方產(chǎn)生與磁性物質(zhì)150相斥的磁力，以將轉(zhuǎn)置圖章100的轉(zhuǎn)置頭114推離微元件300。具體而言，可于接收基板400下方(例如在平臺(tái)500中)放置一磁性元件，例如：磁鐵510，其可例如為電磁鐵或永久磁鐵，在此以電磁鐵作說明。當(dāng)電磁鐵通電時(shí)即可產(chǎn)生磁力，此磁力與磁性物質(zhì)150相斥。更進(jìn)一步的，磁鐵510可沿著第二方向d2移動(dòng)，因此轉(zhuǎn)置頭114的第一部分122會(huì)較第二部分124先剝離微元件300，以產(chǎn)生一裂口302。當(dāng)裂口302產(chǎn)生后，轉(zhuǎn)置頭114與微元件300之間的接著力會(huì)減弱，因此轉(zhuǎn)置頭114可輕易地與微元件300分離。而在磁鐵510往第二方向d2移動(dòng)時(shí)，沿第二方向d2排列的轉(zhuǎn)置頭114會(huì)依序與對(duì)應(yīng)的微元件300分離，因此當(dāng)磁鐵510從轉(zhuǎn)置圖章100的一側(cè)移動(dòng)到另一側(cè)后，所有的轉(zhuǎn)置頭114皆可與微元件300分離。在一些實(shí)施例中，磁性物質(zhì)150沿著第二方向d2分布的長(zhǎng)度x(如圖2所示)大于0.1微米，因此產(chǎn)生的裂口302的深度大于0.1微米，如此一來可有效地減弱轉(zhuǎn)置頭114與微元件300之間的接著力。依照?qǐng)D3至圖5的步驟，即可將微元件300自一基板轉(zhuǎn)移至另一基板(在本實(shí)施例中為接收基板400)。

接著描述完成微元件300于接收基板400上的布線步驟。請(qǐng)一并參照?qǐng)D8與圖9，其中圖8為微元件300、接收基板400與第一導(dǎo)線450的俯視圖，而圖9為沿圖8的線段9-9的剖面圖。形成多個(gè)第一導(dǎo)線450于粘合層440上，以電連接微元件300的第一電極310與導(dǎo)電層420。舉例而言，可藉由貫穿結(jié)構(gòu)455而電連接第一導(dǎo)線450與導(dǎo)電層420。另外，在圖8中，每一第一導(dǎo)線450連接至兩個(gè)微元件300，亦即這兩個(gè)微元件300皆由同一主動(dòng)元件410所控制，但不以此為限。

接著請(qǐng)一并參照?qǐng)D10與圖11，其中圖10為微元件300、接收基板400、第一導(dǎo)線450與第二導(dǎo)線460的俯視圖，而圖11為沿圖10的線段11-11的剖面圖。形成多個(gè)第二導(dǎo)線460于粘合層440上，第二導(dǎo)線460電連接微元件300的第二電極320。在一實(shí)施例中，第二導(dǎo)線460電連接于一共通電極(未繪示)，以提供微元件300的第二電極320一定電位，且第一導(dǎo)線450與第二導(dǎo)線460相分隔，以避免微元件300短路。在一些實(shí)施例中，若第一電極310與第二導(dǎo)線460之間可能會(huì)互相接觸，則可形成一保護(hù)層(未繪示)于第一電極310與第二導(dǎo)線460之間，還可以隔絕第一電極310與第二導(dǎo)線460。如此一來，即可完成微元件300與接收基板400之間的布線制造工藝。再者，本實(shí)施例前述的接收基板400皆以平面為范例，來形成平面元件，但不限于此。于其它實(shí)施例中，接收基板400可具有弧面、球面等曲面上，來形成曲面元件，同樣地，轉(zhuǎn)移圖章100的基板200亦可選用柔性基板，以配合接收基板400的曲面來將微元件300轉(zhuǎn)移至接收基板400上。于再一實(shí)施例中，接收基板400亦可為不規(guī)則的表面。

綜合上述，因本發(fā)明各實(shí)施例的轉(zhuǎn)置圖章包含磁性物質(zhì)，且這些磁性物質(zhì)鄰近第一側(cè)面的密度大于鄰近第二側(cè)面的密度，因此在當(dāng)分離轉(zhuǎn)置頭與微元件時(shí)，只要于微元件下方施加與磁性物質(zhì)相斥的磁力，即可在轉(zhuǎn)置頭與微元件形成裂口，以減弱轉(zhuǎn)置頭與微元件之間的接著力，增加轉(zhuǎn)移微元件的良率。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。