本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

tft-lcd(薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)相對于傳統(tǒng)的液晶顯示器，以其高清晰度、真彩顯示效果等優(yōu)點，成為目前液晶顯示器的主流發(fā)展方向。

薄膜晶體管陣列基板包括顯示區(qū)域和包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，其中顯示區(qū)域中的薄膜晶體管區(qū)域常常需要設(shè)置貫穿鈍化層的過孔，利用透明的ito(氧化銦錫)作為頂部的像素電極，同時像素電極通過鈍化層的過孔搭接薄膜晶體管的漏極；周邊區(qū)域用于設(shè)置各種信號線(如柵極線或者數(shù)據(jù)線)，并形成與控制芯片或柔性印刷電路板連接的區(qū)域。具體地，周邊區(qū)域的導(dǎo)電層一般是與顯示區(qū)域的電極(公共電極或像素電極)同步形成的，其材料通常為ito，導(dǎo)電層通過貫穿鈍化層的過孔或者貫穿鈍化層與柵極絕緣層的過孔，將數(shù)據(jù)線或者柵極線與控制芯片或者柔性印刷電路板連接。

但是，目前存在至少如下兩個技術(shù)問題：

1、導(dǎo)電層通常為幾十納米厚度的像素電極，其通過幾百納米的鈍化層或者鈍化層與絕緣層的過孔連接到數(shù)據(jù)線或者柵極線上面，如果絕緣層過孔的坡度角控制不好或者發(fā)生undercut(底切)不良時，像素電極容易發(fā)生斷裂，造成異常顯示。

2、為了降低數(shù)據(jù)線或者柵極線的阻抗，目前在tft-lcd領(lǐng)域普遍采用含鋁成分的金屬作為數(shù)據(jù)線或者柵極線材料。然而，由于像素電極的致密性不好，在高溫高濕環(huán)境下，水氣會與數(shù)據(jù)線或者柵極線發(fā)生接觸，造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕(鋁容易與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕)，導(dǎo)致異常顯示。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，以解決容易發(fā)生異常顯示的問題。

基于上述目的，在本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

開設(shè)貫穿鈍化層的過孔；

在過孔中填充導(dǎo)電搭接層；

形成與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述開設(shè)貫穿鈍化層的過孔的步驟包括：

在顯示區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層、并且直至漏極的第一過孔；和/或，

在周邊區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層、并且直至數(shù)據(jù)線的第二過孔；和/或，

在周邊區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層和柵絕緣層、并且直至柵極線的第三過孔。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述在過孔中填充導(dǎo)電搭接層的步驟包括：

在鈍化層的表面形成導(dǎo)電樹脂；

對所述導(dǎo)電樹脂進行固化，形成導(dǎo)電搭接層；

采用化學(xué)機械研磨方法，去除鈍化層上除過孔以外的區(qū)域的導(dǎo)電搭接層。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述導(dǎo)電樹脂包括導(dǎo)電介質(zhì)和成膜樹脂。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述導(dǎo)電介質(zhì)選自導(dǎo)電金屬粒子、導(dǎo)電合金粒子、石墨烯中的至少一種；

所述成膜樹脂選自熱固性樹脂或者光固化樹脂。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述熱固性樹脂的熱固化溫度為100-110℃，熱固化時間為50-70秒。

所述鈍化層表面形成的導(dǎo)電樹脂的厚度為0.2-2.0微米。

在本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，貫穿鈍化層的過孔中填充有導(dǎo)電搭接層，所述導(dǎo)電搭接層與像素電極相連。

在本發(fā)明的一些實施例中，在顯示區(qū)域中，貫穿鈍化層的第一過孔中填充有第一導(dǎo)電搭接層，所述第一導(dǎo)電搭接層分別與漏極、像素電極相連；和/或，

在周邊區(qū)域中，貫穿鈍化層的第二過孔中填充有第二導(dǎo)電搭接層，所述第二導(dǎo)電搭接層分別與數(shù)據(jù)線、像素電極相連；和/或，

在周邊區(qū)域中，貫穿鈍化層和柵絕緣層的第三過孔中填充有第三導(dǎo)電搭接層，所述第三導(dǎo)電搭接層分別與柵極線、像素電極相連。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述導(dǎo)電搭接層填充滿所述過孔；

所述導(dǎo)電搭接層采用導(dǎo)電樹脂制備而成，所述導(dǎo)電樹脂包括導(dǎo)電介質(zhì)和成膜樹脂。

在本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述任意一個實施例中的陣列基板。

本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法通過在過孔中填充導(dǎo)電搭接層，再形成與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極，由此得到的陣列基板不僅可以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂，而且能防止由于水氣與數(shù)據(jù)線或者柵極線的接觸造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而提高陣列基板的良率。此外，本發(fā)明實施例提供的方法中所用材料來源易獲得，可以節(jié)省制作成本，使得導(dǎo)電搭接層的制作過程簡單、方便，從而加快生產(chǎn)節(jié)奏；也可以避免采用濺射方法制作金屬的導(dǎo)電搭接層。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一個實施例的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明一個實施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，

圖3為本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)線的過孔待形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例的柵極線的過孔待形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例在漏極上開設(shè)第一過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例的在數(shù)據(jù)線的過孔待形成區(qū)域開設(shè)第二過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例的在柵極線的過孔待形成區(qū)域開設(shè)第三過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明又一個實施例的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖9為本發(fā)明實施例的在第一過孔中填充導(dǎo)電樹脂并固化的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例的在第二過孔中填充導(dǎo)電樹脂并固化的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例的在第三過孔中填充導(dǎo)電樹脂并固化的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實施例的去除鈍化層上除第一過孔以外的區(qū)域的導(dǎo)電搭接層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實施例的去除鈍化層上除第二過孔以外的區(qū)域的導(dǎo)電搭接層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明實施例的去除鈍化層上除第三過孔以外的區(qū)域的導(dǎo)電搭接層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為本發(fā)明實施例的形成與第一過孔的導(dǎo)電搭接層相連的像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明實施例的形成與第二過孔的導(dǎo)電搭接層相連的像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為本發(fā)明實施例的形成與第三過孔的導(dǎo)電搭接層相連的像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18為本發(fā)明另一個實施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

除非另外定義，本發(fā)明使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，如圖1所示，包括以下步驟：

步驟11：開設(shè)貫穿鈍化層的過孔；

步驟12：在過孔中填充導(dǎo)電搭接層；

步驟13：形成與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極。

可見，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法通過在過孔中填充導(dǎo)電搭接層，再形成與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極，不僅可以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂，而且能防止由于水氣與數(shù)據(jù)線或者柵極線的接觸造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而提高陣列基板的良率。

下面對所述陣列基板的制作方法進行詳細描述，包括以下步驟：

步驟11：開設(shè)貫穿鈍化層的過孔。

陣列基板包括顯示區(qū)域和包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，為了實現(xiàn)電連接，需要在顯示區(qū)域和/或周邊區(qū)域設(shè)置貫穿鈍化層的過孔。作為本發(fā)明的一個實施例，所述開設(shè)貫穿鈍化層的過孔的步驟可以包括：在顯示區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層、并且直至漏極的第一過孔；和/或，在周邊區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層、并且直至數(shù)據(jù)線的第二過孔；和/或，在周邊區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層和柵絕緣層、并且直至柵極線的第三過孔。

具體地，如圖2所示，其為本發(fā)明一個實施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，在該實施例中，以底柵型薄膜晶體管為例，所述薄膜晶體管位于顯示區(qū)域中，所述薄膜晶體管包括：襯底基板1，形成在所述襯底基板1上的柵極21，形成在所述柵極21和襯底基板1上的柵絕緣層3，形成在所述柵絕緣層3上的有源層4，形成在所述有源層4上的源極51和漏極52，以及形成在所述源極51、漏極52和有源層4上的鈍化層6。作為本發(fā)明的又一個實施例，所述源極51和漏極52可以采用銅、鉬、鋁、鉬鈮合金或者鉬銅合金等。可選地，所述柵極21可以為銅等金屬，或者多層金屬疊層。所述柵絕緣層3可以是無機絕緣材料制成，例如sinx或者sio2，也可以是有機絕緣材料制成。所述有源層4的材質(zhì)通常為半導(dǎo)體，可以采用金屬氧化物制成，也可以采用氫化非晶硅(a-si:h)制成，也可以采用低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)制成，以提供導(dǎo)電溝道。優(yōu)選地，金屬氧化物可以為含有in、zn、ga和sn中的至少一種的金屬氧化物，例如所述金屬氧化物可選自銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦錫鋅氧化物(iszo)、氮氧鋅(znon)或/和銦錫氧化物(itzo)。

如圖3所示，其為本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)線的過孔待形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。在該區(qū)域中，襯底基板1上形成有柵絕緣層3，所述柵絕緣層3上形成有數(shù)據(jù)線53，所述數(shù)據(jù)線53和柵絕緣層3上形成有鈍化層6。如圖4所示，其為本發(fā)明實施例的柵極線的過孔待形成區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。在該區(qū)域中，襯底基板1上形成有柵極線22，所述柵極線3和襯底基板1上形成有柵絕緣層3，所述柵絕緣層3上形成有鈍化層6。

需要說明的是，所述數(shù)據(jù)線的過孔待形成區(qū)域和柵極線的過孔待形成區(qū)域均位于周邊區(qū)域。所述數(shù)據(jù)線53可以與源極51、漏極52同層設(shè)置，所述也可以柵極線22與柵極21同層設(shè)置。

這里應(yīng)該理解的是，在本發(fā)明中，“同層”指的是采用同一成膜工藝形成用于形成特定圖形的膜層，然后利用同一掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成的層結(jié)構(gòu)。根據(jù)特定圖形的不同，一次構(gòu)圖工藝可能包括多次曝光、顯影或刻蝕工藝，而形成的層結(jié)構(gòu)中的特定圖形可。需要指出的是，在本發(fā)明的實施例中，構(gòu)圖或構(gòu)圖工藝可只包括光刻工藝，或包括光刻工藝以及刻蝕步驟，或者可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝。光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程，利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形?？筛鶕?jù)本發(fā)明的實施例中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

作為本發(fā)明的又一個實施例，所述鈍化層6的材質(zhì)可以為氮化硅或者二氧化硅等，可以對鈍化層6進行平坦化處理，使陣列基板上的鈍化層6平坦化。然后，如圖5所示，在顯示區(qū)域中，在開設(shè)貫穿所述鈍化層6、并且直至漏極52的第一過孔71；如圖6所示，在周邊區(qū)域的數(shù)據(jù)線的過孔待形成區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層6、并且直至數(shù)據(jù)線53的第二過孔72。如圖7所示，在周邊區(qū)域的柵極線的過孔待形成區(qū)域中，開設(shè)貫穿鈍化層6和柵絕緣層3、并且直至柵極線22的第三過孔73。

作為本發(fā)明的一個實施例，可以采用光刻、刻蝕工藝，在陣列基板上的顯示區(qū)域中，制作出漏極52正上方的第一過孔71，所述第一過孔71貫穿所述鈍化層6、并且直至漏極52。在本發(fā)明的另一個實施例中，也可以采用光刻、刻蝕工藝，在陣列基板上的周邊區(qū)域中，制作出數(shù)據(jù)線53正上方的第二過孔72，所述第二過孔72設(shè)貫穿鈍化層6、并且直至數(shù)據(jù)線53。在本發(fā)明的又一個實施例中，也可以采用光刻、刻蝕工藝，在陣列基板上的周邊區(qū)域中，制作出柵極線22正上方的第三過孔73，所述第三過孔73設(shè)鈍化層6和柵絕緣層3、并且直至柵極線22。需要指出的是，所述第一過孔71、第二過孔72、第三過孔73可以同時開設(shè)，也可以分別開設(shè)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際工藝需要來選擇。

步驟12：在過孔中填充導(dǎo)電搭接層。

在該步驟中，僅在過孔(例如第一過孔71、第二過孔72和/或第三過孔73)中填充導(dǎo)電搭接層，以保證像素電極與導(dǎo)電搭接層的連接穩(wěn)定性和可靠性，同時也保證導(dǎo)電搭接層與鈍化層下方的部件(例如漏極52、柵極線22、數(shù)據(jù)線53等)的連接穩(wěn)定性和可靠性。優(yōu)選地，最好僅在過孔(例如第一過孔71、第二過孔72和/或第三過孔73)中填充滿導(dǎo)電搭接層，以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂。

作為本發(fā)明的又一個實施例，如圖8所示，所述在過孔中填充導(dǎo)電搭接層的步驟包括：

步驟121：在鈍化層的表面形成導(dǎo)電樹脂；

步驟122：對所述導(dǎo)電樹脂進行固化，形成導(dǎo)電搭接層；

步驟123：采用化學(xué)機械研磨方法，去除鈍化層上除過孔以外的區(qū)域的導(dǎo)電搭接層。

其中，所述過孔可以是第一過孔71、第二過孔72和/或第三過孔73。

在步驟121中，在鈍化層的表面形成一層足夠厚的導(dǎo)電樹脂，從而使過孔中填充導(dǎo)電樹脂。需要說明的是，如圖9-11所示，為了保證在過孔中填充導(dǎo)電樹脂，同時也為了便于在多個過孔中填充導(dǎo)電樹脂，不僅僅需要在過孔中填充導(dǎo)電樹脂81、82、83，也要在過孔以外的區(qū)域(鈍化層的上表面)填充導(dǎo)電樹脂84、85、86。

具體地，作為本發(fā)明的再一個實施例，可以采用涂覆的方法在鈍化層的表面形成導(dǎo)電樹脂，也可以采用濺射的方法在鈍化層的表面形成導(dǎo)電樹脂。在本發(fā)明的一些實施例中，在鈍化層中開設(shè)的過孔的深度一般為幾百納米左右，那么涂覆的導(dǎo)電樹脂的厚度可以為0.2-2.0微米，2微米左右、1.5微米左右、1.8微米左右或者2.5微米左右等，這樣就能輕易地填充過孔，因此可以節(jié)省成本，加快生產(chǎn)節(jié)奏。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述導(dǎo)電樹脂包括導(dǎo)電介質(zhì)和成膜樹脂，所述導(dǎo)電介質(zhì)可以像素電極、漏極、數(shù)據(jù)線、柵極線等形成電連接，所述成膜樹脂可以在步驟122中固化，從而固化在過孔中，以便于與像素電極、漏極、數(shù)據(jù)線、柵極線等形成可靠的電連接。在本發(fā)明的一些實施例中，所述導(dǎo)電介質(zhì)選自導(dǎo)電金屬粒子、導(dǎo)電合金粒子、石墨烯中的至少一種，這些導(dǎo)電介質(zhì)具有較高的電子遷移率。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電介質(zhì)為電阻率小于10×10^-8ω·m。石墨烯具有很多優(yōu)異的性能，如超高的理論比表面積(2630m²/g)、突出的導(dǎo)熱性(5000w/m·k)、高強(130gpa)、高模(1060gpa)、室溫下比硅高100倍的電子遷移率(15000cm²/(v·s))、電導(dǎo)率可達7200s/cm。因此，石墨烯具有突出的導(dǎo)電性能和異乎尋常的電子傳導(dǎo)能力，在導(dǎo)電樹脂中引入較少量的石墨烯就可以得到較高的導(dǎo)電性、低成本和具有永久導(dǎo)電性的導(dǎo)電高分子材料(導(dǎo)電樹脂)。

在本發(fā)明的再一個實施例中，所述成膜樹脂可以選自熱固性樹脂或者光固化樹脂，以便于導(dǎo)電膠固化成型，形成導(dǎo)電搭接層。若成膜樹脂為熱固性樹脂，那么在步驟122中，則采用高溫對導(dǎo)電樹脂進行熱固化，形成導(dǎo)電搭接層。溫度優(yōu)選100-110℃，熱固化時間優(yōu)選50-70秒。更為優(yōu)選地，熱固化時間為60秒。若成膜樹脂為光固化樹脂，那么在步驟122中，則采用光照對導(dǎo)電樹脂進行光固化，形成導(dǎo)電搭接層。

作為本發(fā)明的一個實施例，所述導(dǎo)電樹脂可以包括導(dǎo)電介質(zhì)和光刻膠，其中所述光刻膠包括成膜樹脂、光敏劑、溶劑與添加劑，所述光敏劑可以為芳香族酮類衍生物或安息香醚類衍生物。選擇含有導(dǎo)電介質(zhì)的光刻膠作為導(dǎo)電樹脂，這樣就不需要利用濺射的方法制作導(dǎo)電搭接層，而是直接通過先涂覆、后固化的方法即可，因此材料來源易獲得，可以節(jié)省制作成本，使得導(dǎo)電搭接層的制作過程簡單、方便，從而加快生產(chǎn)節(jié)奏；而且，也可以避免采用濺射方法制作金屬的導(dǎo)電搭接層。涂覆成膜后在一定溫度條件下(例如溫度優(yōu)選100-110℃，熱固化時間優(yōu)選50-70秒)，對導(dǎo)電光刻膠薄膜進行熱固化，以形成導(dǎo)電搭接層。

接著，如圖12-14所示，在步驟123中，采用化學(xué)機械研磨方法，去除鈍化層上除過孔以外的區(qū)域的導(dǎo)電搭接層84、85、86，從而僅在過孔中填充導(dǎo)電搭接層81、82、83，即第一導(dǎo)電搭接層81、第二導(dǎo)電搭接層82、第三導(dǎo)電搭接層83。在本發(fā)明中，采用化學(xué)機械研磨方法去除鈍化層上除過孔以外的區(qū)域的導(dǎo)電搭接層，可以在保證材料去除效率的同時，獲得較完美的表面，得到的表面平整度較高，損傷低，完整性好，不容易出現(xiàn)表面/亞表面損傷，研磨一致性好，而且表面精度較高，可以實現(xiàn)納米級到原子級的表面粗糙度。

需要說明的是，在步驟122中，標記81、82、83、84、85、86表示導(dǎo)電樹脂，在步驟123中，標記81、82、83、84、85、86表示導(dǎo)電搭接層(即固化后的導(dǎo)電樹脂)。

步驟13：形成與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極。

具體地，可以通過磁控濺射在鈍化層6的上表面制作導(dǎo)電材料膜層，并且經(jīng)過涂膠、曝光、顯影、刻蝕的方式制作出與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極?？蛇x地，所述導(dǎo)電材料膜層可以為透明導(dǎo)電膜層，例如氧化銦錫透明導(dǎo)電膜層。其中，所述導(dǎo)電搭接層為第一導(dǎo)電搭接層81、第二導(dǎo)電搭接層82和/或第三導(dǎo)電搭接層83。從而得到如圖15-17所示的陣列基板，在該陣列基板的顯示區(qū)域中，第一過孔中的第一導(dǎo)電搭接層81分別與漏極52、像素電極91相連；在該陣列基板的周邊區(qū)域中，第二過孔中的第二導(dǎo)電搭接層82分別與數(shù)據(jù)線53、像素電極92相連；在該陣列基板的周邊區(qū)域中，第三過孔中的第三導(dǎo)電搭接層83分別與柵極線22、像素電極93相連。

作為本發(fā)明的又一個實施例，與第一導(dǎo)電搭接層81相連的像素電極91、與第二導(dǎo)電搭接層82相連的像素電極92和/或與第三導(dǎo)電搭接層83相連的像素電極93可以同層設(shè)置，即像素電極91、92、93可以同時制作。

可見，通過本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法制作得到的陣列基板，在顯示區(qū)域和/或周邊區(qū)域的過孔中填充有導(dǎo)電搭接層，使得顯示區(qū)域和/或周邊區(qū)域可以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂，而且在周邊區(qū)域還能防止由于水氣與數(shù)據(jù)線或者柵極線的接觸造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而提高陣列基板的良率。

如圖18所示，其為本發(fā)明另一個實施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。在該實施例中，以頂柵型薄膜晶體管為例，所述薄膜晶體管位于顯示區(qū)域中，所述薄膜晶體管包括：包括襯底基板11、形成在襯底基板11上的遮光層17、形成在遮光層13上的緩沖層19、形成在緩沖層19上的有源層14、形成在有源層14上的柵絕緣層13、形成在柵絕緣層13上的柵極12，還包括形成在柵極12和有源層14上的絕緣層18、形成在絕緣層18上的源極151、漏極152，并且源極151、漏極152通過設(shè)置在絕緣層18上的過孔與有源層14連接，還包括形成在絕緣層15和源極151、漏極152上的鈍化層16。根據(jù)本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法，先開設(shè)貫穿鈍化層16的過孔；然后在過孔中填充第四導(dǎo)電搭接層87；再形成與所述第四導(dǎo)電搭接層87相連的像素電極94。其他步驟可與前文相同，在此不再贅述?？梢?，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法通過在過孔中填充導(dǎo)電搭接層，再形成與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極，不僅可以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂，而且能防止由于水氣與數(shù)據(jù)線或者柵極線的接觸造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而提高陣列基板的良率。

本發(fā)明還提供了一種陣列基板，貫穿鈍化層的過孔中填充有導(dǎo)電搭接層，所述導(dǎo)電搭接層與像素電極相連。本發(fā)明實施例提供的陣列基板通過在過孔中填充導(dǎo)電搭接層，不僅可以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂，而且能防止由于水氣與數(shù)據(jù)線或者柵極線的接觸造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而提高陣列基板的良率。

所述陣列基板包括顯示區(qū)域和包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，為了實現(xiàn)電連接，需要在顯示區(qū)域和/或周邊區(qū)域設(shè)置貫穿鈍化層的過孔。作為本發(fā)明的一個實施例，以底柵型薄膜晶體管為例，如圖15-17所示，在顯示區(qū)域中，貫穿鈍化層6的第一過孔中填充有第一導(dǎo)電搭接層81，所述第一導(dǎo)電搭接層81分別與漏極52、像素電極91相連；和/或，在周邊區(qū)域中，貫穿鈍化層6的第二過孔中填充有第二導(dǎo)電搭接層82，所述第二導(dǎo)電搭接層82分別與數(shù)據(jù)線53、像素電極92相連；和/或，在周邊區(qū)域中，貫穿鈍化層6和柵絕緣層3的第三過孔中填充有第三導(dǎo)電搭接層83，所述第三導(dǎo)電搭接層83分別與柵極線22、像素電極93相連。需要指出的是，所述陣列基板可以同時設(shè)有所述第一導(dǎo)電搭接層81、第二導(dǎo)電搭接層82、第三導(dǎo)電搭接層83，也可以僅設(shè)置其中的一種或者兩種，這并不限制本發(fā)明的實施，無論采用哪種方式，均能達到本發(fā)明的技術(shù)效果。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述導(dǎo)電搭接層采用導(dǎo)電樹脂制備而成?？蛇x地，所述導(dǎo)電搭接層可以是經(jīng)導(dǎo)電樹脂固化后而得到的。所述導(dǎo)電樹脂包括導(dǎo)電介質(zhì)和成膜樹脂，所述導(dǎo)電介質(zhì)可以像素電極、漏極、數(shù)據(jù)線、柵極線等形成電連接，所述成膜樹脂可以固化，從而固化在過孔中，以便于與像素電極、漏極、數(shù)據(jù)線、柵極線等形成可靠的電連接。在本發(fā)明的一些實施例中，所述導(dǎo)電介質(zhì)選自導(dǎo)電金屬粒子、導(dǎo)電合金粒子、石墨烯中的至少一種，這些導(dǎo)電介質(zhì)具有較高的電子遷移率。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電介質(zhì)為電阻率小于10×10^-8ω·m。石墨烯具有很多優(yōu)異的性能，如超高的理論比表面積(2630m²/g)、突出的導(dǎo)熱性(5000w/m·k)、高強(130gpa)、高模(1060gpa)、室溫下比硅高100倍的電子遷移率(15000cm²/(v·s))、電導(dǎo)率可達7200s/cm。因此，石墨烯具有突出的導(dǎo)電性能和異乎尋常的電子傳導(dǎo)能力，在導(dǎo)電樹脂中引入較少量的石墨烯就可以得到較高的導(dǎo)電性、低成本和具有永久導(dǎo)電性的導(dǎo)電高分子材料(導(dǎo)電樹脂)。

在本發(fā)明的再一個實施例中，所述成膜樹脂可以選自熱固性樹脂或者光固化樹脂，以便于導(dǎo)電樹脂固化成型，形成導(dǎo)電搭接層。

考慮到在制作薄膜晶體管中，光刻膠是常用的光固化膠，作為本發(fā)明的一個實施例，所述導(dǎo)電樹脂可以包括導(dǎo)電介質(zhì)和光刻膠，其中所述光刻膠包括成膜樹脂、光敏劑、溶劑與添加劑，所述可以為芳香族酮類衍生物或安息香醚類衍生物。選擇含有導(dǎo)電介質(zhì)的光刻膠作為導(dǎo)電樹脂，這樣就不需要利用濺射的方法制作導(dǎo)電搭接層，而是直接通過先涂覆、后固化的方法即可，因此材料來源易獲得，可以節(jié)省制作成本，使得導(dǎo)電搭接層的制作過程簡單、方便，從而加快生產(chǎn)節(jié)奏；而且，也可以避免采用濺射方法制作金屬的導(dǎo)電搭接層。涂覆成膜后在一定光照條件下，對導(dǎo)電光刻膠薄膜進行光固化，以形成導(dǎo)電搭接層。

在本發(fā)明的另一些實施例中，所述陣列基板的顯示區(qū)域中的薄膜晶體管也可以是如圖18所示的頂柵型薄膜晶體管，同樣地，在顯示區(qū)域中，貫穿鈍化層6的第一過孔中填充有第四導(dǎo)電搭接層87，所述第四導(dǎo)電搭接層87分別與漏極152、像素電極94相連，其他膜層結(jié)構(gòu)在此不再贅述。

本發(fā)明還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述任意一個實施例中的陣列基板。所述顯示面板不僅可以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂，而且能防止由于水氣與數(shù)據(jù)線或者柵極線的接觸造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而提高顯示面板的良率。

由此可見，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法通過在過孔中填充導(dǎo)電搭接層，再形成與導(dǎo)電搭接層相連的像素電極，由此得到的陣列基板不僅可以避免過孔由于坡度角或者undercut問題導(dǎo)致的像素電極斷裂，而且能防止由于水氣與數(shù)據(jù)線或者柵極線的接觸造成數(shù)據(jù)線或者柵極線與像素電極發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而提高陣列基板的良率。此外，本發(fā)明實施例提供的方法中所用材料來源易獲得，可以節(jié)省制作成本，使得導(dǎo)電搭接層的制作過程簡單、方便，從而加快生產(chǎn)節(jié)奏；也可以避免采用濺射方法制作金屬的導(dǎo)電搭接層。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：以上任何實施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本發(fā)明的范圍(包括權(quán)利要求)被限于這些例子；在本發(fā)明的思路下，以上實施例或者不同實施例中的技術(shù)特征之間也可以進行組合，并存在如上所述的本發(fā)明的不同方面的許多其它變化，為了簡明它們沒有在細節(jié)中提供。因此，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何省略、修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。