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薄膜封裝的制程方法及薄膜封裝OLED器件與流程

文檔序號:11925917閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種薄膜封裝的制程方法,包括:

在設(shè)置有OLED發(fā)光單元矩陣的柔性基底上形成覆蓋所述OLED發(fā)光單元矩陣中各OLED發(fā)光單元的保護層;

在所述保護層上形成光罩層,所述光罩層包括多個與所述OLED發(fā)光單元的數(shù)量相等的圖塊,所述圖塊的尺寸大于所述OLED發(fā)光單元的尺寸,每個圖塊對應(yīng)設(shè)置在覆蓋各OLED發(fā)光單元的保護層的上方,且完全覆蓋所述OLED發(fā)光單元的邊緣;

對未覆蓋有所述光罩層的保護層進行刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,利用噴墨打印機形成所述光罩層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述光罩層的厚度為4μm-6μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述保護層的厚度為1μm-2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在形成一層保護層與一層光罩層之后,還包括,在形成的光罩層的上方,重復(fù)執(zhí)行形成保護層的步驟以及形成光罩層的步驟,直至形成的各保護層與光罩層的總的厚度達到設(shè)定的薄膜封裝厚度時為止。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,利用PECVD設(shè)備的腔室清洗功能對未覆蓋有所述光罩層的保護層進行刻蝕。

7.一種薄膜封裝OLED器件,包括:

柔性基底;

OLED發(fā)光單元矩陣,設(shè)置在所述柔性基底上,且是由多個OLED發(fā)光單元排列而成的矩陣;

復(fù)合封裝膜,設(shè)置在與各OLED發(fā)光單元相對應(yīng)的位置,且完全覆蓋所述OLED發(fā)光單元,所述復(fù)合封裝膜包括至少一層保護層與至少一層光罩層,所述保護層與所述光罩層間隔層疊設(shè)置,且所述復(fù)合封裝膜的最下層為保護層,其最上層為光罩層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜封裝OLED器件,其特征在于,所述光罩層由噴墨打印機打印生成。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜封裝OLED器件,其特征在于,所述光罩層的厚度為4μm-6μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜封裝OLED器件,其特征在于,所述保護層的厚度為1μm-2μm。

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