本發(fā)明涉及半導體
技術領域：
，尤其是涉及一種含雙主體結構的有機電致發(fā)光器件。
背景技術：
：有機電致發(fā)光(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)器件技術既可以用來制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應用前景十分廣泛。OLED發(fā)光器件猶如三明治的結構，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成OLED發(fā)光器件。作為電流器件，當對OLED發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場作用有機層功能材料膜層中的正負電荷，正負電荷進一步在發(fā)光層中復合，即產(chǎn)生OLED電致發(fā)光。當前，OLED顯示技術已經(jīng)在智能手機，平板電腦等領域獲得應用，進一步還將向電視等大尺寸應用領域擴展，但是，和實際的產(chǎn)品應用要求相比，OLED器件的發(fā)光效率和使用壽命等性能還需要進一步提升。通過發(fā)光層中主客體摻雜可以有效地提高OLED器件的效率，這是由于大多數(shù)有機分子的三重態(tài)激子的輻射躍遷是禁阻的，對電致發(fā)光的貢獻很小，通過摻雜鉑、銥、鋨等有機金屬配合物可以使有機分子的三重態(tài)激子轉(zhuǎn)移到金屬配合物的三線態(tài)上，大大地提高了有機發(fā)光器件的效率。但是三重態(tài)激子在轉(zhuǎn)移過程中會產(chǎn)生三重態(tài)-三重態(tài)湮滅(TTA)從而造成能量損失，使得有機發(fā)光器件產(chǎn)生效率滾降。通過使用雙主體可以使三線態(tài)激子分散在兩個主體上，從而減少TTA，進而提高了有機發(fā)光器件的效率，有效地降低了效率滾降。技術實現(xiàn)要素：針對傳統(tǒng)主客體摻雜技術存在的問題，本發(fā)明提供了一種雙主體結構的有機發(fā)光器件，能夠有效提高有機發(fā)光器件的效率和壽命。本發(fā)明的技術方案如下：本申請人提供了一種有機發(fā)光器件，該器件包括空穴傳輸區(qū)域、電子傳輸區(qū)域和發(fā)光層，其特征在于，發(fā)光層包含由通式(1)表示的第一主體材料和通式(2)表示的第二主體材料：通式(1)中，R1、R2、R3分別獨立的表示為苯基、聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、菲羅啉基、苯并咪唑基、苯并惡唑基、吡啶并吲哚基、喹喔啉基或萘啶基中的一種；Ar1表示為苯基、聯(lián)苯基、萘基或吡啶基中的一種；表示為含氮六元雜環(huán)，n＝1、2或3；通式(2)中，A1，A2，A3和A4分別獨立的表示為苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、2,6-萘啶基、1,8-萘啶基、1,5-萘啶基、1,6-萘啶基、1,7-萘啶基、2,7-萘啶基、喹喔啉基、酞嗪基、喹咗啉基或噌啉基中的一種；X1表示氧原子、硫原子、C(R9)(R10)、Si(R9)(R10)、P(R9)、B(R9)、P(＝O)(R9)或者N-[(L3)a3-(R11)b11]；a1、a2和a3分別獨立的表示為1、2、3、4或者5；b4、b5、b6、b7、b8和b11分別獨立的表示為1、2、3或者4；L1、L2和L3分別獨立的表示為被取代或者未被取代的C3-C10的環(huán)烷基、取代或者未被取代的C1-C10的雜環(huán)烷基、取代或者未被取代的C6-C60的芳香基、取代或者未被取代的C1-C60的雜芳基、取代或者未被取代的二價非芳香族稠合多環(huán)基、取代或者未被取代的二價非芳香族稠合雜多環(huán)基中的任意一種；R4和R11分別獨立的表示為被取代或者未被取代的C3-C10的環(huán)烷基、取代或者未被取代的C1-C10的雜環(huán)烷基、取代或者未被取代的C6-C60的芳香基、取代或者未被取代的C1-C60的雜芳基、取代或者未被取代的二價非芳香族稠合多環(huán)基、取代或者未被取代的價非芳香族稠合雜多環(huán)基、-N(Q1)(Q2)、-Si(Q3)(Q4)(Q5)或者-B(Q6)(Q7)中的任意一種；其中，Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7分別獨立的表示為氫原子、C1-C60的烷基、C1-C60的烷氧基、C6-C60芳香基、C1-C60的雜芳基、一價非芳香族稠合多環(huán)基或者一價非芳香族稠合雜環(huán)基中的任意一種；R5、R6、R7、R8、R9和R10分別獨立的表示為氫原子、氘原子、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或者羧酸鹽、磺酸基或者磺酸鹽、磷酸基或者磷酸鹽、取代或者未被取代的C1-C60的烷基、取代或者未被取代的C2-C60的烯基、取代或者未被取代的C2-C60的炔基、取代或者未被取代的C1-C60的烷氧基、取代或者未被取代的C3-C10的環(huán)烷基、取代或者未被取代的C1-C10的雜環(huán)烷基、取代或者未被取代的C3-C60的環(huán)烯基、取代或者未被取代的C1-C60的雜環(huán)烯基、取代或者未被取代的C6-C60芳香基、取代或者未被取代的C6-C60芳氧基、取代或者未被取代的C6-C60的芳硫基、取代或者未被取代的C1-C60的雜芳基、取代或者未被取代的一價非芳香族稠合多環(huán)基、取代或者未被取代一價非芳香族稠合雜環(huán)基中的任意一種。優(yōu)選的，所述通式(1)中的表示為通式(3)、通式(4)、通式(5)、通式(6)或通式(7)表示結構：其中，R12、R13分別獨立的表示為苯基、聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、菲羅啉基、苯并咪唑基、苯并惡唑基、吡啶并吲哚基、喹喔啉基或萘啶基中的一種。優(yōu)選的，通式(1)表示的化合物中的表示為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述的第二主體材料由通式(8)表示：其中，通式(8)中的A1至A4、X1、L1、a1、R4和b4與如通式(2)中定義的。優(yōu)選的，所述的第二主體材料由通式(9)表示：其中，通式(9)中的A1、A4、X1、L1、a1、R4和b4如通式(2)中定義的。優(yōu)選的，所述通式(1)表示的化合物的具體結構式為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述通式(2)表示的化合物的具體結構式為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述的發(fā)光層還包括客體摻雜劑。優(yōu)選的，所述的客體摻雜劑由通式(10)表示：其中，M為金屬鉑即Pt、銥即Ir、鋨即Os或銅即Cu中的一種；X2、X3、X4和X5分別獨立的表示為氧、碳、或氮原子中的一種；A5、A6分別獨立的表示為芳香基團，A7為有機配體；n1＝0、1、2或3；n2＝1、2或3。優(yōu)選的，通式(10)表示的化合物的具體結構式為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述的空穴傳輸區(qū)域包括空穴注入層、空穴傳輸層、緩沖層和電子阻擋層中的一種或多種。優(yōu)選的，所述的空穴注入層材料為結構通式(11)、(12)或(13)中的一種：其中，通式(11)中，Er1-Er3分別獨立的表示為取代或未被取代的C6-C60芳基、取代或未被取代的C1-C60雜芳基中的一種；Er1-Er3可以相同或者不同；其中，通式(12)、通式(13)中，F(xiàn)r1-Fr6分別獨立的表示為氫原子、腈基、鹵素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、C1-C60直鏈或支鏈烷基取代的碳原子、取代或未被取代的C6-C60芳基、取代或未被取代的C1-C60雜芳基中的一種。優(yōu)選的，所述通式(11)、(12)和(13)表示的化合物的具體結構式為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述的空穴傳輸層材料為三芳基胺基團的化合物，結構式如通式(14)所示：其中，通式(14)中Ar2、Ar3和Ar4分別獨立的表示為取代或未被取代的C6-C60芳基、取代或未被取代C1-C60的雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，通式(14)表示的化合物的具體結構式為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述電子傳輸區(qū)域包括電子注入層、電子傳輸層和空穴阻擋層中的一種或多種。優(yōu)選的，所述電子注入層的材料為鋰、鋰鹽或銫鹽中的一種。更優(yōu)選的，所述鋰鹽為8-羥基喹啉鋰、氟化鋰、碳酸鋰或疊氮化鋰；所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫、氯化銫或疊氮化銫。優(yōu)選的，所述的電子傳輸層的材料為下列通式(15)、(16)、(17、(18)或(19)所示化合物中任意的一種：其中，通式(15)、(16)、(17)、(18)和(19)中Dr1-Dr10分別獨立的表示為氫原子、取代或未被取代的C6-C60芳基、取代或未被取代的C1-C60雜芳基中的任意一種。優(yōu)選的，通式(15)、(16)、(17)、(18)和(19)表示的化合物的具體結構式為：中的任意一種。優(yōu)選的，所述的有機發(fā)光器件包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層，所述的發(fā)光層包括第一主體、第二主體和客體摻雜劑。優(yōu)選的，所述第一主體和第二主體的質(zhì)量比在(1:99)～(99:1)之間；客體摻雜劑質(zhì)量與第一、第二主體總質(zhì)量的比在(0.5～20):100之間。更優(yōu)選的，所述的第一主體和第二主體的質(zhì)量比為1:5～5:1；客體摻雜劑質(zhì)量與第一、第二主體總質(zhì)量的比為0.1～1:1。本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明提供了一種雙主體結構的有機發(fā)光器件，有效的解決了傳統(tǒng)主客體摻雜技術存在的問題。傳統(tǒng)的技術通過摻雜鉑、銥、鋨等有機金屬配合物可以使有機分子的三重態(tài)激子轉(zhuǎn)移到金屬配合物的三線態(tài)上，大大地提高了有機發(fā)光器件的效率，但是三重態(tài)激子在轉(zhuǎn)移過程中會產(chǎn)生三重態(tài)-三重態(tài)湮滅(TTA)從而造成能量損失，使得有機發(fā)光器件產(chǎn)生效率滾降。通過使用本發(fā)明的雙主體結構可以使三線態(tài)激子分散在兩個主體上，從而減少TTA，進而提高了有機發(fā)光器件的效率，有效地降低了效率滾降。本發(fā)明的有機發(fā)光器件主體材料中的第一主體材料采用以芴和含氮六元雜環(huán)為骨架的分子，該分子具有較高的玻璃化溫度和分子熱穩(wěn)定性，合適的HOMO和LUMO能級，較高的Eg，能夠有效地提升有機發(fā)光器件的光電性能和壽命。本發(fā)明所述雙主體有機發(fā)光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。附圖說明圖1是本發(fā)明的一個實施例器件的結構示意圖。值得說明的是，圖1的結構只是為了方便實施例的理解，并不代表本發(fā)明的全部結構。其中，1為透明基板層，2為陽極層，3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為電子阻擋層，6為發(fā)光層，7為空穴阻擋/電子傳輸層，8為電子注入層，9為陰極反射電極層。具體實施方式圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機發(fā)光器件的結構示意圖。參照圖1，透明基板層1可以是具有良好機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平坦性、處理便利性和耐水性的玻璃基底或塑料基底。陽極層2可由具有高功函數(shù)的導體制得(具體來說4.0eV以上)，以幫助空穴注入。陽極可以是金屬、金屬氧化物及/或?qū)щ娋酆衔铮纾航饘冁?、鉑、釩、鉻、銅、鋅、金或合金、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩)、聚吡咯以及聚苯胺，但不限于此。陰極反射電極層9可由具有低功函數(shù)的導體制得(具體來說3.8eV以下)，以幫助電子注入。陰極可以是金屬、金屬氧化物及/或?qū)щ娋酆衔?，例如：鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、鋁、銀及其類似物；多層結構，如：LiF/Al、LiF/Ca、LiO2/Al、BaF2/Ca，但不限于此?？昭▊鬏攨^(qū)域可以包括空穴注入層3(HIL)、空穴傳輸層4(HTL)、緩沖層(附圖中未標出，但是本申請?zhí)峁┑挠袡C發(fā)光器件可以包括這一層)和電子阻擋層5(EBL)中的一種或多種；電子傳輸區(qū)域包括空穴阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)7和電子注入層8(EIL)中的一種或多種?？昭▊鬏攨^(qū)域可以具有由單一材料形成的單層結構、由多種不同材料形成的單層結構或者具有由多種不同材料形成的多層結構。例如，空穴傳輸區(qū)域可以是由不同材料形成的單層結構，或者可以具有空穴注入層/空穴傳輸層的結構、空穴注入層/空穴傳輸層/緩沖層的結構、空穴注入層/緩沖層的結構、空穴傳輸層/緩沖層的結構、空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結構或者空穴傳輸層/電子阻擋層的結構，但是空穴傳輸區(qū)域不限于此。電子傳輸區(qū)域可以包括空穴阻擋層(HBL)/電子傳輸層7(ETL)和電子注入層8(EIL)中的一種或多種。例如，電子傳輸區(qū)域可以具有電子傳輸層/電子注入層的結構、空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層的結構，但不限于此。發(fā)光層可以包含主體材料和客體摻雜劑。主體材料包含由通式(1)表示的第一主體和通式(2)表示的第二主體?？梢愿鶕?jù)下面所示的方法對通式(1)所述的化合物進行合成：其中，R1、R2、R3分別為苯基、聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、菲羅啉基、苯并咪唑基、苯并惡唑基、吡啶并吲哚基、喹喔啉基或萘啶基中的一種；所述制備方法以Br-Ar-Br為原料，通過格氏反應，制得格氏試劑，然后和9-芴酮反應，生成叔醇；隨后叔醇和H-R1通過傅-克反應，制得一溴代化合物，然后和通過C-C偶聯(lián)制得所述化合物。上述制備方法具體地包括以下步驟：1)Br-Ar-Br和鎂粉為原料，所述Br-Ar-Br和鎂粉摩爾比例為1:1，加入四氫呋喃，氮氣氛圍下，加熱至70℃，回流反應3-5小時，無鎂粉剩余，反應完全，生成格式試劑；上述的所述四氫呋喃的用量優(yōu)選為1gBr-Ar-Br加入3-6mL四氫呋喃；2)稱取9-芴酮溶于四氫呋喃中，所述9-芴酮和所述Br-Ar-Br摩爾比為1:1，然后滴加步驟1)制備的格式試劑，滴加結束后，加熱至60-70℃，回流反應10-25小時，生成大量白色的格式鹽沉淀，反應結束，然后滴加飽和NHCl4溶液，將所述格式鹽轉(zhuǎn)化為叔醇；再用乙醚萃取獲得萃取液，所述萃取液用無水硫酸鈉干燥，然后旋蒸脫溶劑至無餾分，獲得叔醇粗產(chǎn)物，所得叔醇粗產(chǎn)物用石油醚：二氯甲烷混合溶劑過中性硅膠柱，得到固體叔醇純化產(chǎn)物；優(yōu)選地上述的石油醚：二氯甲烷的體積比3:2；步驟2)中的所述四氫呋喃的用量優(yōu)選為每1g9-芴酮溶于4-8mL四氫呋喃；所述乙醚的用量為1g叔醇加入5-10mL乙醚中；3)按1:2當量稱取固體叔醇純化產(chǎn)物和R1-H，溶于二氯甲烷中，所述二氯甲烷的用量為1g固體叔醇純化產(chǎn)物溶于5-8mL二氯甲烷中，室溫條件下再滴加三氟化硼·乙醚絡合物，所述固體叔醇純化產(chǎn)物與三氟化硼·乙醚絡合物摩爾比例為1:1.5，反應30-60分鐘，然后加入乙醇和水淬滅反應，然后用二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥，旋蒸脫溶劑至餾分，石油醚過中性硅膠柱，乙醇：二氯甲烷混合溶劑重結晶，得一溴代化合物；優(yōu)選地，所述乙醇：二氯甲烷混合溶劑中乙醇和二氯甲烷體積比1:1；4)以一溴代化合物和硼酸化合物為原料，甲苯溶解，所述甲苯用量為1g一溴代化合物使用30-50mL甲苯，其中，所述一溴代化合物與硼酸化合物的摩爾比為1:(1.2～1.5)；5)向步驟4)最終的反應體系中加入Pd(PPh3)4和碳酸鈉；其中，優(yōu)選地，所述Pd(PPh3)4與一溴代化合物的摩爾比為(0.005～0.02):1，所述碳酸鈉與一溴代化合物的摩爾比為(1.5～3.0):1；6)在氮氣保護下，將步驟5)獲得的混合溶液于95～110℃，反應10～24小時，自然冷卻至室溫，并過濾反應溶液，濾液旋蒸至無溶劑，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物。本發(fā)明中發(fā)光層的第一主體和第二主體的質(zhì)量比在(1:99)～(99:1)之間，優(yōu)選(1:10)～(10:1)之間；客體摻雜劑質(zhì)量與主體總質(zhì)量的比在(0.5～20):100之間，優(yōu)選(0.1～1):10之間。作為本實施方式中的有機發(fā)光器件的各層形成方法可以采用真空蒸渡、旋涂、滴鑄、噴墨打印、激光打印或者LB膜方法。當通過真空蒸渡形成薄膜時，可以大約100℃至大約500℃范圍能的沉積溫度下、以大約至的范圍能沉積速率進行真空沉積。當通過旋涂形成薄膜時，可以以大約2000rpm至大約5000rpm的范圍內(nèi)的旋涂速率和20℃至200℃的范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行旋涂。本實施方式中有機發(fā)光器件，所述的各層薄膜的厚度沒有限制，一般而言，若膜過薄則容易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反，若過厚則需要高的施加電壓而效率變差，因此通常優(yōu)選0.1nm～1000nm的范圍。下面結合實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。實施例1原料A1的合成：合成路線如下：250mL的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入15.6g3,4'-二溴-1,1'-聯(lián)苯(0.05mol)和1.33gMg粉(0.055mol)，60mL四氫呋喃，加熱至70℃，回流反應4小時，無鎂粉剩余，反應完全，生成格式試劑；9.01g9-芴酮(0.05mol)溶于50ml四氫呋喃中，滴加上述格式試劑，60℃反應24小時，生成大量白色沉淀，最后加入飽和NHCl4將格式鹽轉(zhuǎn)化為醇；反應完畢后，乙醚萃取，干燥旋蒸，石油醚：二氯甲烷混合溶劑(3:2)硅膠柱純化，得到略帶黃色的固體叔醇(收率為91％)；使用DEI-MS來識別該化合物，分子式C25H17BrO，檢測值[M+1]+＝413.02，計算值412.05；按1:2當量取16.5g上述叔醇(0.04mol)和6.24g苯(0.08mol)溶于100mL二氯甲烷中，在室溫條件下滴加8mL三氟化硼·乙醚絡合物，反應30分鐘，加入20mL乙醇和20mL水淬滅反應，用二氯甲烷(20mL*3)萃取，干燥旋蒸，石油醚硅膠柱純化，用乙醇：二氯甲烷重結晶，收率為72％；使用DEI-MS來識別該化合物，分子式C31H21Br，檢測值[M+1]+＝473.04，計算值472.08。實施例2原料A2的合成：按實施例1中的原料A1的合成方法制備原料A2，不同點在于用1,4-二溴苯代替3,4'-二溴-1,1'-聯(lián)苯，第三步反應中用聯(lián)苯代替苯；使用DEI-MS來識別該化合物，分子式C31H21Br，檢測值[M+1]+＝473.06，計算值472.08。實施例3原料A3的合成：按實施例1中的原料A1的合成方法制備原料A3，不同點在于用1,4-二溴苯代替3,4'-二溴-1,1'-聯(lián)苯；使用DEI-MS來識別該化合物，分子式C25H17Br，檢測值[M+1]+＝397.11，計算值396.05。實施例4原料A4的合成：按實施例1中的原料A1的合成方法制備原料A4，不同點在于第三步反應中用聯(lián)苯代替苯；使用DEI-MS來識別該化合物，分子式C37H25Br，檢測值[M+1]+＝549.08，計算值548.11。實施例5原料A5的合成：按實施例1中的原料A1的合成方法制備原料A5，不同點在于用4,4'-二溴-1,1'-聯(lián)苯代替3,4'-二溴-1,1'-聯(lián)苯；使用DEI-MS來識別該化合物，分子式C31H21Br，檢測值[M+1]+＝473.15，計算值472.08。實施例6原料A6的合成：按實施例1中的原料A1的合成方法制備原料A2，不同點在于用1,4-二溴苯代替3,4'-二溴-1,1'-聯(lián)苯，第三步反應中用吡啶代替苯；使用DEI-MS來識別該化合物，分子式C24H16BrN，檢測值[M+1]+＝397.98，計算值397.05。實施例7化合物3的合成：250mL的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol原料A3，0.012mol原料B1，0.02mol碳酸鈉，1×10-4molPd(PPh3)4，150mL甲苯，加熱至105℃回流24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.4％，收率77.5％。元素分析結構(分子式C40H27N3)：理論值C,87.40；H,4.95；N,7.64；測試值：C,87.41；H,4.95；N,7.63。HPLC-MS：材料分子量為549.22，實測分子量549.45。實施例8化合物5的合成：250mL的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol原料A1，0.012mol原料B3，0.02mol碳酸鈉，1×10-4molPd(PPh3)4，150mL甲苯，加熱至105℃回流24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.3％，收率78.1％。元素分析結構(分子式C48H33N)：理論值C,92.42；H,5.33；N,2.25；測試值：C,92.40；H,5.34；N,2.26。HPLC-MS：材料分子量為623.26，實測分子量623.51。實施例9化合物7的合成：250mL的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol原料A2，0.012mol原料B3，0.02mol碳酸鈉，1×10-4molPd(PPh3)4，150mL甲苯，加熱至105℃回流24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.5％，收率74.3％。元素分析結構(分子式C48H33N)：理論值C,92.42；H,5.33；N,2.25；測試值：C,92.43；H,5.32；N,2.25。HPLC-MS：材料分子量為623.26，實測分子量623.53。實施例10化合物28的合成：250mL的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol原料A4，0.012mol原料C2，0.02mol碳酸鈉，1×10-4molPd(PPh3)4，150mL甲苯，加熱至105℃回流24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.1％，收率65.1％。元素分析結構(分子式C53H36N2)：理論值C,90.83；H,5.18；N,4.00；測試值：C,90.81；H,5.17；N,4.02。HPLC-MS：材料分子量為700.29，實測分子量700.55。實施例11化合物35的合成：250mL的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol原料A5，0.012mol原料C1，0.02mol碳酸鈉，1×10-4molPd(PPh3)4，150mL甲苯，加熱至105℃回流24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.4％，收率71.7％。元素分析結構(分子式C45H30N4)：理論值C,86.24；H,4.82；N,8.94；測試值：C,86.22；H,4.83；N,8.95。HPLC-MS：材料分子量為626.25，實測分子量626.52。實施例12化合物42的合成：按實施例10中化合物7的合成方法制備，不同點在于用原料C3代替原料B3；元素分析結構(分子式C47H32N2)：理論值C,90.35；H,5.16；N,4.48；測試值：C,90.36；H,5.17；N,4.47。HPLC-MS：材料分子量為624.26，實測分子量624.53。實施例13化合物53的合成：按實施例10中化合物7的合成方法制備，不同點在于用原料D1代替原料B3；元素分析結構(分子式C46H31N3)：理論值C,88.29；H,4.99；N,6.72；測試值：C,88.27；H,5.00；N,6.73。HPLC-MS：材料分子量為625.25，實測分子量625.59。實施例14化合物58的合成：250mL的四口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.01mol原料A6，0.012mol原料D1，0.02mol碳酸鈉，1×10-4molPd(PPh3)4，150mL甲苯，加熱至105℃回流24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻，過濾，濾液旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，純度99.4％，收率71.7％。元素分析結構(分子式C39H26N4)：理論值C,85.07；H,4.76；N,10.17；測試值：C,85.07；H,4.75；N,10.18。HPLC-MS：材料分子量為550.22，實測分子量550.47。以下，通過實施例15-30和器件比較例1-11詳細說明本發(fā)明的有機發(fā)光器件，各實施例所得器件的性能測試結果如表2所示。實施例15實施例使用ITO作為陽極，Al作為陰極，化合物DP-1作為客體材料，化合物HI-1作為空穴注入層材料，化合物HT-14作為空穴傳輸層和電子阻擋層材料，化合物ET-14作為電子傳輸層材料，LiF作為電子注入層材料。具體的制作步驟如下：a)清洗透明基板層1上的ITO陽極層2，分別用去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗各15分鐘，然后在等離子體清洗器中處理2分鐘；b)在ITO陽極層2上，通過真空蒸鍍方式蒸鍍空穴注入層材料HI-1，厚度為10nm，這層作為空穴注入層3；c)在空穴注入層3上，通過真空蒸鍍方式蒸鍍空穴傳輸材料HT-14，厚度為60nm，該層為空穴傳輸4；d)在空穴傳輸層4上，通過真空蒸鍍方式蒸鍍電子阻擋層材料HT-14，厚度為20nm，該層為電子阻擋層5；e)在電子阻擋層5之上蒸鍍發(fā)光層6，使用本發(fā)明化合物3和化合物73作為作為主體材料，DP-1作為摻雜材料，化合物3、73和DP-1的質(zhì)量比為5:5:1，厚度為30nm；f)在發(fā)光層6之上，通過真空蒸鍍方式蒸鍍電子傳輸材料ET-14，厚度為40nm，這層有機材料作為空穴阻擋/電子傳輸層7使用；g)在空穴阻擋/電子傳輸層7之上，真空蒸鍍電子注入層LiF，厚度為1nm，該層為電子注入層8；h)在電子注入層8之上，真空蒸鍍陰極Al(100nm)，該層為陰極反射電極層9。按照上述步驟完成電致發(fā)光器件的制作后，測量器件的IVL數(shù)據(jù)、光衰壽命和色坐標(CIE)，其結果見表2所示。相關材料的分子機構式如下所示：實施例16-30和比較例1-11實施例16-30和比較例1-11與實施例15的器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，不同之處在于：兩個主體不相同，和/或兩個主體的質(zhì)量比不相同。具體的數(shù)據(jù)參見表1。表1第一主體第二主體客體材料質(zhì)量比實施例16化合物3化合物73化合物DP-17:3:1實施例17化合物5化合物75化合物DP-15:5:1實施例18化合物5化合物75化合物DP-17:3:1實施例19化合物7化合物82化合物DP-15:5:1實施例20化合物7化合物82化合物DP-17:3:1實施例21化合物28化合物88化合物DP-15:5:1實施例22化合物28化合物88化合物DP-17:3:1實施例23化合物35化合物90化合物DP-15:5:1實施例24化合物35化合物90化合物DP-17:3:1實施例25化合物42化合物92化合物DP-15:5:1實施例26化合物42化合物92化合物DP-17:3:1實施例27化合物53化合物95化合物DP-15:5:1實施例28化合物53化合物95化合物DP-17:3:1實施例29化合物58化合物100化合物DP-15:5:1實施例30化合物58化合物100化合物DP-17:3:1比較例1化合物3-化合物DP-110:0:1比較例2-化合物73化合物DP-10:10:1比較例3化合物7-化合物DP-110:0:1比較例4-化合物75化合物DP-10:10:1比較例5化合物28-化合物DP-110:0:1比較例6-化合物88化合物DP-10:10:1比較例7化合物35-化合物DP-110:0:1比較例8-化合物92化合物DP-10:10:1比較例9化合物58-化合物DP-110:0:1比較例10化合物A化合物B化合物DP-15:5:1比較例11化合物A化合物B化合物DP-17:3:1表格中的化合物A和B結構如下所示：各實施例和比較例器件的效率和壽命數(shù)據(jù)見表2所示。表2由表2的器件數(shù)據(jù)結果可以看出，本發(fā)明的雙主體有機發(fā)光器件無論是在效率還是壽命均相對于單主體器件以及已知材料的OLED器件獲得較大的提升。為了比較不同器件在高電流密度下效率衰減的情況，定義效率衰減系數(shù)進行表示，它表示驅(qū)動電流為100mA/cm2時器件的最大效率μ100與器件的最大效率μm之差與最大效率之間的比值，值越大，說明器件的效率滾降越嚴重，反之，說明器件在高電流密度下快速衰降的問題得到了控制。對實施例15-30和比較例1-11分別進行效率衰減系數(shù)的測定，檢測結果如表3所示：表3從表3的數(shù)據(jù)來看，通過實施例和比較例的效率衰減系數(shù)對比我們可以看出，本發(fā)明的有機發(fā)光器件能夠有效地降低效率滾降。將實施例15～30和比較例1～11制備得到的OLED器件在120℃高溫驅(qū)動壽命測試，所得結果如表4所示。表4從表4的數(shù)據(jù)可以看到，本發(fā)明提供的OLED器件具有很好的高溫驅(qū)動壽命，而單主體器件和已知材料器件在高溫下的壽命下降明顯。可以理解的是，上述所描述的具體實例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限制。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。當前第1頁1 2 3