本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜封裝的制程方法及薄膜封裝OLED器件。

背景技術(shù)：

研究表明，空氣中的水汽和氧氣等成分對OLED的壽命影響很大，其原因主要基于以下幾方面考量：一方面，OLED器件工作時要從陰極注入電子，這要求陰極功函數(shù)越低越好，但是做陰極的金屬，如鋁，鎂，鈣等，一般比較活潑，易與滲透進(jìn)來的水汽發(fā)生反應(yīng)。另一方面，水汽還會與空穴傳輸層(ETL)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這些反應(yīng)都會引起OLED器件的失效。

因此，對OLED器件進(jìn)行有效封裝，使期間的各功能層與大氣中的水汽，氧氣等分隔開，就可以大大延長器件壽命。

另外，由于目前柔性O(shè)LED顯示設(shè)備的需求，柔性封裝技術(shù)逐漸受到追捧，對柔性O(shè)LED器件進(jìn)行有效封裝的需求也越來越迫切。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是需要提供一種對柔性O(shè)LED器件進(jìn)行有效封裝的方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請的實(shí)施例首先提供了一種薄膜封裝的制程方法，包括：在設(shè)置有OLED發(fā)光單元矩陣的柔性基底上形成覆蓋所述OLED發(fā)光單元矩陣中各OLED發(fā)光單元的保護(hù)層；在所述保護(hù)層上形成光罩層，所述光罩層包括多個與所述OLED發(fā)光單元的數(shù)量相等的圖塊，所述圖塊的尺寸大于所述OLED發(fā)光單元的尺寸，每個圖塊對應(yīng)設(shè)置在覆蓋各OLED發(fā)光單元的保護(hù)層的上方，且完全覆蓋所述OLED發(fā)光單元的邊緣；對未覆蓋有所述光罩層的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。

優(yōu)選地，利用噴墨打印機(jī)形成所述光罩層。

優(yōu)選地，所述光罩層的厚度為4μm-6μm。

優(yōu)選地，所述保護(hù)層的厚度為1μm-2μm。

優(yōu)選地，在形成一層保護(hù)層與一層光罩層之后，還包括，在形成的光罩層的上方，重復(fù)執(zhí)行形成保護(hù)層的步驟以及形成光罩層的步驟，直至形成的各保護(hù)層與光罩層的總的厚度達(dá)到設(shè)定的薄膜封裝厚度時為止。

優(yōu)選地，利用PECVD設(shè)備的腔室清洗功能對未覆蓋有所述光罩層的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。

本申請的實(shí)施例還提供了一種薄膜封裝OLED器件，包括：柔性基底；OLED發(fā)光單元矩陣，設(shè)置在所述柔性基底上，且是由多個OLED發(fā)光單元排列而成的矩陣；復(fù)合封裝膜，設(shè)置在與各OLED發(fā)光單元相對應(yīng)的位置，且完全覆蓋所述OLED發(fā)光單元，所述復(fù)合封裝膜包括至少一層保護(hù)層與至少一層光罩層，所述保護(hù)層與所述光罩層間隔層疊設(shè)置，且所述復(fù)合封裝膜的最下層為保護(hù)層，其最上層為光罩層。

優(yōu)選地，所述光罩層由噴墨打印機(jī)打印生成。

優(yōu)選地，所述光罩層的厚度為4μm-6μm。

優(yōu)選地，所述保護(hù)層的厚度為1μm-2μm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個或多個實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

通過采用形成于保護(hù)層的光罩層作為光罩，以取代CVD設(shè)備的光罩來制作OLED器件薄膜封裝層，降低了光罩對封裝精度的影響，同時通過保護(hù)層與光罩層之間的相互層疊，提高了封裝膜層的強(qiáng)度。

本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)，和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對下文的考察研究對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過下面的說明書，權(quán)利要求書，以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本申請的技術(shù)方案或現(xiàn)有技術(shù)的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分。其中，表達(dá)本申請實(shí)施例的附圖與本申請的實(shí)施例一起用于解釋本申請的技術(shù)方案，但并不構(gòu)成對本申請技術(shù)方案的限制。

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜封裝的制程方法的流程示意圖；

圖2a-圖2d為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜封裝的制程方法的示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜封裝OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a和圖4b為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜封裝OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成相應(yīng)技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。本申請實(shí)施例以及實(shí)施例中的各個特征，在不相沖突前提下可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

第一實(shí)施例：

圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜封裝的制程方法的流程示意圖，如圖所示，該方法包括以下步驟：

步驟S110、在設(shè)置有OLED發(fā)光單元矩陣的柔性基底上形成覆蓋OLED發(fā)光單元矩陣中各OLED發(fā)光單元的保護(hù)層。

步驟S120、在保護(hù)層上形成光罩層，光罩層包括多個與OLED發(fā)光單元的數(shù)量相等的圖塊，圖塊的尺寸大于OLED發(fā)光單元的尺寸，每個圖塊對應(yīng)設(shè)置在覆蓋各OLED發(fā)光單元的保護(hù)層的上方，且完全覆蓋OLED發(fā)光單元的邊緣。

步驟S130、對未覆蓋有光罩層的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。

具體的，在步驟S110中，首先在柔性基底101上制作OLED器件401，如圖2a所示。再利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD形成第一層保護(hù)層201，這層保護(hù)層201能夠整面覆蓋柔性基底101，如圖2b所示。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，制作形成保護(hù)層的薄膜材料用于增加OLED器件的防水氧效果，包括但不限于SiNx、SiCNx、SiOx等無機(jī)材料。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，形成的保護(hù)層201的厚度一般為1μm-2μm，保護(hù)層201如果太厚，難于達(dá)到膜層平坦度的要求，且如果膜層不平坦，將會存儲大量應(yīng)力，導(dǎo)致膜層易碎裂。

在步驟S120中，如圖2c所示，利用噴墨打印機(jī)在整片柔性基底的保護(hù)層201以及OLED器件401之上打印一層光罩層301。

進(jìn)一步如圖2c所示，光罩層301包括多個與OLED發(fā)光單元的數(shù)量相等的圖塊，每個圖塊分別對應(yīng)于一個OLED發(fā)光單元設(shè)置，且圖塊完全覆蓋對應(yīng)的OLED發(fā)光單元。

容易知道的是，每個圖塊的尺寸需大于OLED器件201的邊緣尺寸才可以完全覆蓋在OLED器件的上方。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，光罩層301的厚度可以為4μm-6μm。

在步驟S130中，可以采用干刻蝕的方法將不需要的保護(hù)層201去除。在本實(shí)施例中，直接利用PECVD設(shè)備的腔室清洗功能RPSC，將除光罩層301覆蓋的保護(hù)層201以外的區(qū)域刻蝕掉，如圖2d所示。

現(xiàn)有技術(shù)需要借助光罩來形成保護(hù)層301，在保護(hù)層301與光罩的接觸邊緣易形成陰影，會影響封裝精度。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過采用噴墨打印機(jī)打印的光罩層301替代現(xiàn)有封裝工藝中的光罩，由于無需采用光罩，且光罩層301直接形成在保護(hù)層201上，這樣在減少CVD設(shè)備的光罩，節(jié)省成本的同時，也減小了光罩對膜層的影響，有利于提高封裝精度。

在本發(fā)明的另一個具體的實(shí)施例中，在步驟S120之后，且在步驟S130之前，還包括步驟S125：

步驟S125、在形成的光罩層的上方，重復(fù)執(zhí)行形成保護(hù)層的步驟以及形成光罩層的步驟，直至形成的各保護(hù)層與光罩層的總的厚度達(dá)到設(shè)定的薄膜封裝厚度時為止。

具體的，如果通過步驟S110和步驟S120中形成的保護(hù)層201和光罩層301的總的厚度未達(dá)到薄膜封裝所要求的厚度，則重復(fù)執(zhí)行步驟S110與步驟S120。

需要注意的是，步驟S110與步驟S120成組執(zhí)行，且保證形成的保護(hù)層201與光罩層301相互間隔層疊在一起。

直至形成的保護(hù)層201與光罩層301的總的厚度(如圖2c中示意處的厚度H)達(dá)到薄膜封裝所要求的厚度后，結(jié)束成膜步驟。

光罩層301由有機(jī)物形成，本發(fā)明實(shí)施例中的封裝方法，最終形成的封裝結(jié)構(gòu)為光罩層301夾在兩層保護(hù)層201之間，光罩層301與保護(hù)層201相互配合，有利于釋放保護(hù)層201中的應(yīng)力。

第二實(shí)施例：

圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜封裝OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，該薄膜封裝OLED器件，包括柔性基底101，在柔性基底101上設(shè)置有OLED發(fā)光單元矩陣，該OLED發(fā)光單元矩是由多個OLED發(fā)光單元401排列而成的矩陣。

該薄膜封裝OLED器件還包括復(fù)合封裝膜100，設(shè)置在與各OLED發(fā)光單元401相對應(yīng)的位置，且完全覆蓋OLED發(fā)光單元401。

該復(fù)合封裝膜包括一層保護(hù)層201與一層光罩層301，且保護(hù)層201位于下層，直接覆蓋各OLED發(fā)光單元401，光罩層301位于上層，該光罩層301可以由噴墨打印機(jī)生成。

一般的，光罩層301的厚度為4μm-6μm，保護(hù)層201的厚度為1μm-2μm。

光罩層301與保護(hù)層201的總的厚度等于復(fù)合封裝膜的厚度，該復(fù)合封裝膜的厚度需滿足封裝要求。

如圖3所示，其示出的為復(fù)合封裝膜的側(cè)視圖，該復(fù)合封裝膜的形狀可以為正方形，或其他形狀，本實(shí)施例中對其不做限定，以實(shí)施方便為宜。

保護(hù)層201采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成。

本發(fā)明實(shí)施例的復(fù)合封裝膜由保護(hù)層201與光罩層301相互層疊而成，其中，光罩層301由有機(jī)物形成，且覆蓋在保護(hù)層301的上方，光罩層301與保護(hù)層201相互配合，有利于釋放保護(hù)層201中的應(yīng)力，提高薄膜封裝器件的產(chǎn)品性能與使用壽命。

第三實(shí)施例：

圖4a和圖4b為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜封裝OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，該薄膜封裝OLED器件的復(fù)合封裝膜由至少一層保護(hù)層201與至少一層光罩層301組成。

如圖4a所示，該實(shí)施例中的復(fù)合封裝膜100包括第一層保護(hù)層201、第一層光罩層301、第二層保護(hù)層202、第二層光罩層302，保護(hù)層201與光罩層301間隔層疊設(shè)置，且復(fù)合封裝膜100的最下層為保護(hù)層201，其最上層為光罩層302。

該復(fù)合封裝膜100的制作過程如圖4b所示，先依次形成各保護(hù)層膜層與光罩層膜層，再整體刻蝕各層保護(hù)層，具體方法步驟可以參考第一實(shí)施例，此處不再贅述。

一般的，光罩層301的厚度為4μm-6μm，保護(hù)層201的厚度為1μm-2μm。

光罩層301與保護(hù)層201的總的厚度等于復(fù)合封裝膜的厚度，該復(fù)合封裝膜的厚度需滿足封裝要求。

本發(fā)明實(shí)施例的復(fù)合封裝膜中的各光罩層與保護(hù)層可以相互配合，有利于釋放保護(hù)層中的應(yīng)力，提高薄膜封裝器件的性能與壽命。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。