技術(shù)總結(jié)
本專利公開了一種全耗盡鐵電側(cè)柵單根納米線近紅外光電探測器。器件制備步驟是將CVD生長的InP納米線物理轉(zhuǎn)移到有SiO2氧化層的Si襯底上，利用電子束曝光技術(shù)制作源、漏和側(cè)柵電極，并旋涂鐵電聚合物薄膜，制備成具有側(cè)柵結(jié)構(gòu)的鐵電側(cè)柵納米線光電探測器。利用獨(dú)特的側(cè)柵器件結(jié)構(gòu)，并通過鐵電聚合物材料負(fù)向極化所產(chǎn)生的超強(qiáng)靜電場來完全耗盡納米線溝道中因缺陷或陷阱所產(chǎn)生的本征載流子，從而顯著降低了探測器在無柵壓下的暗電流，大幅提高了器件的信噪比和探測能力。鐵電材料調(diào)控下的單根InP及CdS納米線光電探測器在近紅外及可見光波段均顯示了超高的探測率。本專利的優(yōu)點(diǎn)是暗電流低，探測率高，功耗低和響應(yīng)快。

技術(shù)研發(fā)人員：胡偉達(dá);王建祿;鄭定山;駱文錦;王鵬;陳效雙;陸衛(wèi)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
文檔號碼：201621120159
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.13
技術(shù)公布日：2017.06.27