本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術：

在液晶顯示面板和有機發(fā)光二級管顯示面板中，電容在陣列基板的陣列電路中都有合理的設計利用，其中最主要的是起到將顯示過程中對應的源極電壓保持到下次更新畫面作用的存儲電容。有機發(fā)光二級管顯示面板的陣列基板的結構，如圖1所示，半導體電極4與第二電極6形成存儲電容。在顯示過程中，當第一驅動管10被選中開啟時，存儲電容進行充電，同時，第二電極6的電壓用于控制第二驅動管11的開啟，從而控制第四電極9的電流；當第一驅動管10截止時，存儲電容用于維持第二電極6的當前電壓，使第二驅動管11保持一直導通狀態(tài)，從而第四電極9的電流處于恒流控制?？梢姡鎯﹄娙莸奶匦缘谋憩F尤為重要，直接影響顯示面板的正常顯示。為了增強存儲電容的特性，在半導體電極4的下方設置第一電極2，第一電極2用于使半導體電極4導體化，從而提高存儲電容存儲并保持電壓的能力。

但是，第一電極2與半導體電極4之間存在第一保護層3，為了保證第一驅動管10與第二驅動管11的開關特性，第一保護層3的厚度較厚，從而第一電極2使半導體電極4導體化的效果較差，使存儲電容存儲并保持電壓的能力較差，進而影響顯示面板的顯示，產生暗點不良。

技術實現要素：

本實用新型針對現有技術中存在的上述不足，提供一種陣列基板及顯示面板，用以至少部分解決存儲電容存儲并保持電壓的能力較差，導致顯示面板產生暗點不良的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供一種陣列基板，包括基底，形成在所述基底上的第一電極，形成在所述基底和第一電極上的第一保護層，形成在所述第一保護層上且與所述第一電極的位置相對應的半導體電極，形成在所述第一保護層和半導體電極上的第二保護層，形成在所述第二保護層上且至少部分覆蓋所述半導體電極的第二電極，在垂直于所述基底的方向上，所述第一保護層上第一電極區(qū)域的厚度小于非第一電極區(qū)域的厚度，所述第一電極區(qū)域為所述第一電極對應的區(qū)域。

優(yōu)選的，所述第一電極區(qū)域形成有凹陷部，所述半導體電極至少部分容置在所述凹陷部內。

優(yōu)選的，所述凹陷部的寬度大于或等于所述半導體電極的寬度。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括形成在所述第二保護層上的第三電極，所述第三電極與所述半導體電極連接。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括，形成在所述第二保護層和第二電極上的第三保護層，以及形成在所述第三保護層上且至少部分覆蓋所述第二電極的第四電極，所述第四電極與所述第三電極連接。

優(yōu)選的，所述陣列基板為有機發(fā)光二級管基板。

優(yōu)選的，所述第一電極為柵極，所述第二電極與第三電極為源極，所述第四電極為陽極。

優(yōu)選的，所述半導體電極包括金屬氧化物、非晶硅或多晶硅。

還提供一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

本實用新型具有以下有益效果：

本實用新型提供一種陣列基板及顯示面板，所述陣列基板包括基底，在基底上依次形成有第一電極、第一保護層、半導體電極、第二保護層和第二電極，第二電極與半導體電極形成存儲電容，第一電極位于半導體電極下方用于使半導體電極導體化。在垂直于基底的方向上，第一保護層上第一電極區(qū)域的厚度小于非第一電極區(qū)域的厚度，即第一電極與半導體電極之間第一保護層的厚度小于其它區(qū)域第一保護層的厚度，從而增強第一電極的電場對半導體電極的影響，使半導體電極導體化效果更好，進而在不影響驅動管的開關特性的前提下，提高存儲電容存儲并保持電壓的能力，解決顯示面板顯示暗點的不良。

附圖說明

圖1為現有技術提供的陣列基板的截面結構示意圖；

圖2為本實施例提供的陣列基板的截面結構示意圖一；

圖3為本實施例提供的陣列基板的截面結構示意圖二。

圖例說明：

1、基底 2、第一電極 3、第一保護層 4、半導體電極5、第二保護層 6、第二電極 7、第三電極 8、第三保護層9、第四電極 10、第一驅動管 11、第二驅動管 12、第一電極區(qū)域13、凹陷部

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案，下面結合附圖對本實用新型提供的一種陣列基板進行詳細描述。

發(fā)明人發(fā)現，在有機發(fā)光二級管顯示面板的陣列基板中，用于使半導體電極導體化的第一電極的電壓與存儲電容的電容量存在一定的關系，如圖1所示，在第一電極2的電壓從4V遞增至40V的過程中，第一驅動管10的源極(即第二電極6)的掃描電壓與存儲電容電容量的關系曲線為，第一電極2的電壓越大，存儲電容的電容量隨著第二電極6從低到高的掃描電壓起來得越早，也就是說，第一電極2的電壓越大，存儲電容可以在第二電極6越低的電壓起來。因此，第一電極2的電壓越大，第一電極2的電場強度越大，存儲電容的存儲能力越強。

本實用新型通過減小半導體電極與第一電極之間的距離，增強第一電極的電場強度對存儲電容的存儲能力的影響。

本實用新型實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括：基底1，形成在基底1上的第一電極2，形成在基底1和第一電極2上的第一保護層3，形成在第一保護層3上且與第一電極2的位置相對應的半導體電極4，形成在第一保護層3和半導體電極4上的第二保護層5，形成在第二保護層5上且至少部分覆蓋半導體電極4的第二電極6。在垂直于基底1的方向上，第一保護層3上第一電極區(qū)域12的厚度小于非第一電極區(qū)域12的厚度，第一電極區(qū)域12為第一電極2對應的區(qū)域。

本實用新型的陣列基板，第二電極2與半導體電極4形成存儲電容，第一電極2位于半導體電極4下方用于使半導體電極4導體化。在垂直于基底的方向上，第一保護層3上第一電極區(qū)域12的厚度小于非第一電極區(qū)域12的厚度，即第一電極2與半導體電極4之間第一保護層3的厚度小于其它區(qū)域第一保護層3的厚度，從而增強第一電極2的電場對半導體電極4的影響，使半導體電極4導體化效果更好，進而在不影響驅動管的開關特性的前提下，提高存儲電容存儲并保持電壓的能力，解決顯示面板顯示暗點的不良。

優(yōu)選的，半導體電極4可以采用金屬氧化物、非晶硅或多晶硅材料制成。具體的，金屬氧化物包括IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,銦鎵鋅氧化物)半導體材料。

以下，結合圖2與圖3對本實施例的具體優(yōu)選實現方式進行詳細說明。如圖2所示，第一電極區(qū)域12形成有凹陷部13，半導體電極4至少部分容置在凹陷部13內。具體的，首先，在基底1上形成第一電極2，以及在基底1與第一電極2上形成第一保護層3；然后，在第一電極2對應的第一保護層3的上表面，通過掩膜工藝形成凹陷部13的圖形，再通過刻蝕工藝去除凹陷部13的圖形內的部分第一保護層3，從而在第一保護層3的上表面形成凹陷部13，也就是說，只有在第一保護層3的第一電極區(qū)域12，通過去除部分第一保護層3的厚度形成凹陷部13，其它區(qū)域的第一保護層3的厚度不變；最后，在第一保護層3與凹陷部13上形成半導體電極4，半導體電極4部分容置于凹陷部13內，即半導體電極4的部分下表面與凹陷部13的下表面接觸，通過設置凹陷部13，減少了第一電極2的上表面與部分半導體電極4的下表面之間的距離，進而增強第一電極2的電場對部分半導體電極4的影響，提高半導體電極4的導體化效果。

優(yōu)選的，如圖3所示，凹陷部13的寬度大于或等于半導體電極4的寬度。具體的，全部半導體電極4的下表面與凹陷部13的下表面接觸，從而減少全部半導體電極4的下表面與第一電極2的上表面之間的距離，增強第一電極2的電場對全部半導體電極4的影響，進一步提高半導體電極4的導體化效果。

需要說明的是，凹陷部13的深度越大，即第一電極2的上表面與半導體電極4的下表面之間的距離越小，第一電極2對半導體電極4的影響越強，半導體電極4導體化的效果越好。但是，第一電極2的上表面與半導體電極4的下表面之間的距離越小，半導體電極4與第二電極6之間的距離越大，會影響半導體電極4與第二電極6形成的存儲電容的電容量。所以，在設計陣列基板時，要同時考慮存儲電容的電容量與半導體電極4的導體化效果，因此，凹陷部13的深度要依據實際情況而定。

如圖2和圖3所示，進一步的，陣列基板還包括：形成在第二保護層5上的第三電極7，第三電極7與半導體電極4連接。具體的，第二電極6與第一驅動管10連接，半導體電極4通過第三電極7與第二驅動管11連接，使第二電極6與半導體電極4形成的存儲電容連接到陣列基板的電路中，進一步提高存儲電容保持第二電極6電壓的能力。

進一步的，陣列基板還包括：形成在第二保護層5和第二電極上6的第三保護層8，以及形成在第三保護層8上且至少部分覆蓋第二電極6的第四電極9，第四電極9與第三電極7連接。具體的，由于第四電極9部分覆蓋第二電極6，所以存儲電容包括第二電極6與半導體電極4之間的電容和第四電極9與第二電極6之間的電容，而且，第四電極9通過第三電極7與半導體電極4連接，使第二電極6與半導體電極4形成的電容和第四電極9與第二電極6形成的電容并聯，從而存儲電容的電容量為第二電極6與半導體電極4形成的電容的電容量與第四電極9與第二電極6形成的電容的電容量之和，進而可以進一步提高存儲電容保持第二電極6電壓的能力。

優(yōu)選的，第一電極2為柵極，第四電極9為陽極，第二電極6為第一驅動管10的源極，第三電極7為第二驅動管11的源極。

本實用新型還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。顯示面板可以為有機發(fā)光二極管顯示面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、數碼相框等任何具有顯示功能的產品或部件。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。