1.一種陣列基板，包括基底，形成在所述基底上的第一電極，形成在所述基底和第一電極上的第一保護層，形成在所述第一保護層上且與所述第一電極的位置相對應的半導體電極，形成在所述第一保護層和半導體電極上的第二保護層，形成在所述第二保護層上且至少部分覆蓋所述半導體電極的第二電極，
其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一保護層上第一電極區(qū)域的厚度小于非第一電極區(qū)域的厚度，所述第一電極區(qū)域為所述第一電極對應的區(qū)域。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極區(qū)域形成有凹陷部，所述半導體電極至少部分容置在所述凹陷部內。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述凹陷部的寬度大于或等于所述半導體電極的寬度。
4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括形成在所述第二保護層上的第三電極，所述第三電極與所述半導體電極連接。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括，形成在所述第二保護層和第二電極上的第三保護層，以及形成在所述第三保護層上且至少部分覆蓋所述第二電極的第四電極，所述第四電極與所述第三電極連接。
6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為有機發(fā)光二級管基板。
7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為柵極，所述第二電極與第三電極為源極，所述第四電極為陽極。
8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體電極包括金屬氧化物、非晶硅或多晶硅。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-8任一項所述的陣列基板。