技術(shù)編號：12715269
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本專利涉及鐵電聚合物材料及其與納米線相結(jié)合的側(cè)柵結(jié)構(gòu)探測器的設(shè)計與測試，具體是指利用這種獨特的側(cè)柵器件結(jié)構(gòu)，并通過P(VDF-TrFE)鐵電聚合物材料負(fù)向極化所產(chǎn)生的超強靜電場來完全耗盡納米線溝道中因缺陷或陷阱所產(chǎn)生的本征載流子，從而大大降低探測器在無柵壓下的暗電流，提高器件的信噪比和探測能力。背景技術(shù)一維半導(dǎo)體納米線由于具有特殊的光、電、磁等物理化學(xué)性能及納米結(jié)構(gòu)的奇特性能，引起了科學(xué)家們的廣泛關(guān)注，被公認(rèn)為是發(fā)展下一代納米光電器件和集成系統(tǒng)的基礎(chǔ)，成為當(dāng)今納米材料研究領(lǐng)域的前沿。磷化銦(In...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。