技術特征：

1.一種全耗盡鐵電側(cè)柵單根納米線近紅外光電探測器，其特征在于：

所述的探測器的結(jié)構：在P型Si襯底(1)上是SiO₂氧化層(2)、在SiO₂氧化層(2)上制備有InP或CdS納米線(3)，在InP或CdS納米線(3)納米線兩端是源或漏電極(4)、在其兩側(cè)有側(cè)柵電極(5)，鐵電聚合物薄膜(6)覆蓋在InP或CdS納米線(3)及電極上，并且保證每個電極有部分裸露在外；

所述的P型Si襯底(1)是硼重摻雜，電阻率小于0.05Ω·cm；

所述的SiO₂氧化層(2)厚度是110nm；

所述的InP或CdS納米線(3)長度是5μm到20μm，直徑是50nm到300nm；

所述的源或漏電極(4)是金屬Cr和Au，厚度分別是15和50nm；

所述的側(cè)柵電極(5)是金屬Cr和Au，厚度分別是15和50nm，與納米線距離是300nm；

所述的鐵電聚合物薄膜(6)是聚偏氟乙烯基[P(VDF-TrFE)]，厚度是200nm。