本實用新型涉及太陽能電池片制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于管式PECVD的石墨舟。

背景技術(shù)：

常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在所有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽電池中，晶體硅太陽電池是得到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時晶體硅太陽電池相比其他類型的太陽能電池有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機械性能，因此，晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。

現(xiàn)有技術(shù)中，晶體硅太陽能電池的制備工藝主要包括：清洗、去損傷層、制絨、擴散制結(jié)、刻蝕、沉積減反射膜、印刷、燒結(jié)、電池片測試。其中，沉積減反射膜是晶體硅太陽能電池生產(chǎn)過程中的一個重要工序。目前，氮化硅薄膜作為晶體硅太陽能電池的光學(xué)減反射膜，同時也起到表面鈍化和體內(nèi)鈍化的作用，以提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率?，F(xiàn)有技術(shù)中，制備氮化硅薄膜一般采用的是等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，在采用PECVD設(shè)備制備氮化硅薄膜的過程中，需要使用一種承載硅片的石墨舟。

現(xiàn)有的石墨舟，如圖1所示，包括石墨舟舟片1’，石墨舟舟片1’沿其長度方向間隔設(shè)置有復(fù)數(shù)個卡槽2’，卡槽2’的四邊上分布有三個卡點，分別為第一卡點3’、第二卡點4’和第三卡點5’，第一卡點3’、第二卡點4’和第三卡點5’分別位于卡槽2’的其中三邊上；如圖2所示，硅片6’則放置于卡槽2’處，垂直于第一卡點3’、第二卡點4’和第三卡點5’放置其上，進而承載硅片6’，以防止硅片6’掉落；最終對硅片6’的側(cè)面進行鍍膜形成氮化硅薄膜，該氮化硅薄膜在鈍化和減反射方面起到了非常重要的作用。

然而，該石墨舟的三個卡點，其中第一卡點3’位于右側(cè)邊靠上側(cè)位置，第二卡點4’位于左側(cè)邊靠下側(cè)位置，第三卡點5’則位于底邊靠左側(cè)位置，第二卡點4’、第三卡點5’非?？拷?，因而此時硅片6’從上側(cè)滑入第一卡點3’、第二卡點4’和第三卡點5’形成的空間時，右側(cè)通過第一卡點3’限位，左側(cè)下部通過第二卡點4’限位，底部通過第三卡點5’支撐，由于第一卡點3’距離第二卡點4’和第三卡點5’都較遠，從而導(dǎo)致左上角和右下角的位置處具有較大面積的懸空(未支撐)，從而導(dǎo)致硅片6’在石墨舟內(nèi)和石墨舟舟片1’貼合不夠緊密，從而無法保證鍍膜均勻性，影響鍍膜效果，最終影響電池片的導(dǎo)電性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提出一種適用于管式PECVD的石墨舟，能夠提高硅片在石墨舟內(nèi)和石墨舟舟片的貼合緊密程度，從而保證鍍膜均勻性，提高導(dǎo)電性。

為達此目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

一種適用于管式PECVD的石墨舟，包括石墨舟舟片，所述石墨舟舟片上沿所述石墨舟舟片的長度方向間隔開設(shè)有復(fù)數(shù)個卡槽，每個所述卡槽的外邊緣均設(shè)置有用于放置硅片的卡點，所述卡點包括位于所述卡槽的一側(cè)部的第一卡點、位于所述卡槽的另一側(cè)部的第二卡點及位于所述卡槽的底部的第三卡點，其中，

所述第一卡點位于區(qū)域d，所述區(qū)域d為所述第一卡點對應(yīng)的所述硅片的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；

所述第二卡點位于區(qū)域c，所述區(qū)域c為所述第二卡點對應(yīng)的所述硅片的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，1)之間的區(qū)域；

所述第三卡點位于區(qū)域b，所述區(qū)域b為所述第三卡點對應(yīng)的所述硅片的底邊的邊長a從左至右的[1/2，1)之間的區(qū)域。

其中，所述第二卡點位于所述第二卡點對應(yīng)的所述硅片的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；

所述第三卡點位于所述第三卡點對應(yīng)的所述硅片的底邊的邊長a從左至右的[1/2，3/4]之間的區(qū)域。

其中，所述第三卡點位于所述第三卡點對應(yīng)的所述硅片的底邊的邊長a的1/2位置處。

其中，所述第一卡點和所述第二卡點分別位于所述硅片的兩個側(cè)邊的同一高度位置處，以使所述第一卡點、所述第二卡點及所述第三卡點依次連接后形成等腰或等邊三角形。

其中，所述卡點還包括位于所述卡槽的底部的第四卡點，

所述第四卡點位于區(qū)域h，所述區(qū)域h為所述第四卡點對應(yīng)的所述硅片的底邊的邊長a從左至右的(0，1/2]之間的區(qū)域。

其中，所述第二卡點位于所述第二卡點對應(yīng)的所述硅片的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域。

其中，所述第三卡點位于所述第三卡點對應(yīng)的所述硅片的底邊的邊長a從左至右的[5/8，7/8]之間的區(qū)域；

所述第四卡點位于所述第四卡點對應(yīng)的所述硅片的底邊的邊長a從左至右的[1/8，3/8]之間的區(qū)域。

其中，所述第一卡點和所述第二卡點分別位于所述硅片的兩個側(cè)邊的同一高度位置處，所述第三卡點和所述第四卡點分別對稱設(shè)置于所述硅片的底邊的中點的兩側(cè)，以使所述第一卡點、所述第二卡點、所述第三卡點及所述第四卡點依次連接后形成等腰梯形。

其中，所述卡點與所述石墨舟舟片為一體式結(jié)構(gòu)。

本實用新型的有益效果為：

本實用新型的適用于管式PECVD的石墨舟，通過在卡槽的兩側(cè)及底部設(shè)置第一卡點、第二卡點、第三卡點三個卡點，在硅片從上側(cè)放入時，三個卡點可以在三個方位實現(xiàn)對硅片的支撐固定，另外，第一卡點位于區(qū)域d，區(qū)域d為第一卡點對應(yīng)的硅片的側(cè)邊的邊長從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；第二卡點位于區(qū)域c，區(qū)域c為第二卡點對應(yīng)的硅片的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，1)之間的區(qū)域；第三卡點位于區(qū)域b，區(qū)域b為第三卡點對應(yīng)的硅片的底邊的邊長a從左至右的[1/2，1)之間的區(qū)域，由此設(shè)計，使得第一卡點在硅片一側(cè)部靠上位置處支撐，第二卡點在硅片另一側(cè)部靠上位置處支撐，第三卡點在硅片的底部靠右位置處支撐，從而第一卡點、第二卡點、第三卡點之間依次連接后形成的三角形面積占硅片總面積的比例明顯變大，進而使得硅片在石墨舟內(nèi)和石墨舟舟片更加緊貼，改善了導(dǎo)電性，從而提高了鍍膜的均勻性，同時也減少了掉片，降低了返工比例。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的石墨舟的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1中的石墨舟放置硅片后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實用新型的石墨舟的一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是圖3中的石墨舟的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本實用新型的石墨舟的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是圖5中的石墨舟的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：

1’、石墨舟舟片；2’、卡槽；3’、第一卡點；4’-第二卡點；5’、第三卡點；6’、硅片；

1、石墨舟舟片；2、卡槽；3、第一卡點；4、第二卡點；5、第三卡點；6-硅片；7、第四卡點。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖3-6并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術(shù)方案。

需要說明的是，在本實用新型中，方位“上”、“下”、“左”、“右”均是以附圖中所展示的放置角度來定義的，該方位僅用來便于描述區(qū)間數(shù)值，并不用于限定其數(shù)值。在本實用新型中，從觀察者的角度來看，左手對應(yīng)的方位則為左，右手對應(yīng)的方位則為右，頭部對應(yīng)的方位則為上，腳部對應(yīng)的方位則為下。

如圖3至6所示，一種適用于管式PECVD的石墨舟，包括石墨舟舟片1，所述石墨舟舟片1上沿所述石墨舟舟片1的長度方向間隔開設(shè)有復(fù)數(shù)個卡槽2，每個所述卡槽2的外邊緣均設(shè)置有用于放置硅片6的卡點，所述卡點包括位于所述卡槽2的一側(cè)部的第一卡點3、位于所述卡槽2的另一側(cè)部的第二卡點4及位于所述卡槽2的底部的第三卡點5，其中，

所述第一卡點3位于區(qū)域d，所述區(qū)域d為所述第一卡點3對應(yīng)的所述硅片6的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；

所述第二卡點4位于區(qū)域c，所述區(qū)域c為所述第二卡點4對應(yīng)的所述硅片6的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，1)之間的區(qū)域；

所述第三卡點5位于區(qū)域b，所述區(qū)域b為所述第三卡點5對應(yīng)的所述硅片6的底邊的邊長a從左至右的[1/2，1)之間的區(qū)域。

該石墨舟，通過在卡槽2的兩側(cè)及底部設(shè)置第一卡點3、第二卡點4、第三卡點5三個卡點，在硅片6從上側(cè)放入時，三個卡點可以在三個方位實現(xiàn)對硅片的支撐固定。

另外，該石墨舟的卡點不同于現(xiàn)有技術(shù)中的卡點支撐，其第一卡點3位于區(qū)域d，區(qū)域d為第一卡點3對應(yīng)的硅片的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；第二卡點4位于區(qū)域c，區(qū)域c為第二卡點4對應(yīng)的硅片6的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，1]之間的區(qū)域；第三卡點5位于區(qū)域b，區(qū)域b為第三卡點5對應(yīng)的硅片6的底邊的邊長a從左至右的[1/2，1]之間的區(qū)域，由此設(shè)計，使得第一卡點3在硅片6一側(cè)部靠上位置處支撐，第二卡點4在硅片6另一側(cè)部靠上位置處支撐，第三卡點5在硅片6的底部靠右位置處支撐，從而第一卡點3、第二卡點4、第三卡點5之間依次連接后形成的三角形面積占硅片6總面積的比例明顯變大，進而使得硅片6在石墨舟內(nèi)和石墨舟舟片1更加緊貼，改善了導(dǎo)電性，從而提高了鍍膜的均勻性，同時也減少了掉片，降低了返工比例。

如圖3所示，作為本實用新型的一種優(yōu)選實施方式，所述第二卡點4位于所述第二卡點4對應(yīng)的所述硅片6的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；所述第三卡點5位于所述第三卡點5對應(yīng)的所述硅片6的底邊的邊長a從左至右的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；此時，第一卡點3位于區(qū)域d，區(qū)域d為第一卡點3對應(yīng)的硅片的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域。進而，第一卡點3、第二卡點4均選取靠近硅片6的中上位置處的值，從而能夠較好的分配三個卡點對硅片的支撐力，進而提高硅片與石墨舟舟片的貼合程度。

優(yōu)選的，在本實施例中，如圖4所示，所述第三卡點5位于所述第三卡點5對應(yīng)的所述硅片6的底邊的邊長a的1/2位置處，此時，所述第一卡點3和所述第二卡點4分別位于所述硅片6的兩個側(cè)邊的同一高度位置處，以使所述第一卡點3、所述第二卡點4及所述第三卡點5依次連接后形成等腰或等邊三角形。

如圖5所示，作為本實用新型的另一種優(yōu)選實施方式，所述卡點還包括位于所述卡槽2的底部的第四卡點7，所述第四卡點7位于區(qū)域h，所述區(qū)域h為所述第四卡點7對應(yīng)的所述硅片6的底邊的邊長a從左至右的(0，1/2]之間的區(qū)域。此時，所述第一卡點3位于區(qū)域d，所述區(qū)域d為所述第一卡點3對應(yīng)的所述硅片6的側(cè)邊的邊長從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；所述第二卡點4位于區(qū)域c，所述區(qū)域c為所述第二卡點4對應(yīng)的所述硅片6的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，1)之間的區(qū)域；所述第三卡點5位于區(qū)域b，所述區(qū)域b為所述第三卡點5對應(yīng)的所述硅片6的底邊的邊長a從左至右的[1/2，1)之間的區(qū)域。通過增加第四卡點7，因而卡槽2的外邊緣則有4個卡點，四個卡點形成四邊形，每個卡點所在位置的特殊限定，使得該四邊形所占面積占硅片總面積的比例更大，支撐更穩(wěn)定，貼緊程度更高。

優(yōu)選的，在本實施例中，如圖6所示，所述第二卡點4位于所述第二卡點4對應(yīng)的所述硅片6的側(cè)邊的邊長a從下至上的[1/2，3/4]之間的區(qū)域；所述第三卡點5位于所述第三卡點5對應(yīng)的所述硅片6的底邊的邊長a從左至右的[5/8，7/8]之間的區(qū)域；所述第四卡點7位于所述第四卡點7對應(yīng)的所述硅片6的底邊的邊長a從左至右的[1/8，3/8]之間的區(qū)域。進一步優(yōu)選的，所述第一卡點3和所述第二卡點4分別位于所述硅片6的兩個側(cè)邊的同一高度位置處，所述第三卡點5和所述第四卡點7分別對稱設(shè)置于所述硅片6的底邊的中點的兩側(cè)，以使所述第一卡點1、所述第二卡點2、所述第三卡點3及所述第四卡點4依次連接后形成等腰梯形。

該石墨舟，通過改變石墨舟的卡點的位置以及增加石墨舟的卡點的數(shù)量，使硅片在石墨舟內(nèi)和石墨舟舟片緊密貼緊，從而保證硅片的四邊與石墨舟片完全重疊在一起，避免了硅片局部區(qū)域與石墨舟接觸不好，形成良好的導(dǎo)電，改善了導(dǎo)電性，從而提高了鍍膜的均勻性，同時也減少了掉片，降低了返工比例；另外，該石墨舟中，卡點與石墨舟舟片1為一體式結(jié)構(gòu)，連接穩(wěn)定性更高，不必開孔，強度高，不易發(fā)生形變；結(jié)構(gòu)簡單，適于推廣。

以上結(jié)合具體實施例描述了本實用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制?；诖颂幍慕忉?，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本實用新型的其它具體實施方式，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內(nèi)。