1.一種多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，單顆倒裝LED芯片的電極為陣列凸點(diǎn)；所述的陣列凸點(diǎn)包括鋪設(shè)于芯片功能層表面的鈍化層、覆蓋電極窗口并嵌入電極窗口內(nèi)和鋪設(shè)于芯片功能層上的金屬化層、鋪設(shè)于金屬化層上并包圍金屬化層形成預(yù)留有阻焊窗口的阻焊層圖形、于阻焊窗口內(nèi)填充嵌有高于阻焊窗口的陣列焊料凸點(diǎn)，金屬化層位于陣列焊料凸點(diǎn)的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，倒裝LED芯片的電極的陣列凸點(diǎn)最小單元為2Pin×2Pin陣列；具有一個P/N節(jié)的倒裝LED芯片的P電極分割為2個陣列凸點(diǎn)， N電極分割為2個陣列凸點(diǎn)，構(gòu)成一個含有4個陣列凸點(diǎn)的陣列結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，倒裝LED芯片的電極的陣列凸點(diǎn)最小單元為2Pin×2Pin陣列；具有一個P/N節(jié)的倒裝LED芯片的一個電極分割為2個陣列凸點(diǎn)，另一個電極不分割形成1個陣列凸點(diǎn)，構(gòu)成含有3個陣列凸點(diǎn)的陣列結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，倒裝LED芯片的電極的陣列凸點(diǎn)最小單元為2Pin×2Pin陣列；于具有二個P/N節(jié)的倒裝LED芯片的2個P電極和2個N電極上均種植4個陣列焊料凸點(diǎn)構(gòu)成4個I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的一種多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的陣列凸點(diǎn)于倒裝LED芯片表面成四角或三角形分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬化層由Cr/Al/Ti/Pt（Au）或Ni/Al/Ti/Pt（Au）或Ni/Ag/Ti/Pt（Au）組成多層金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬化層表面還設(shè)有位于阻焊窗口底部的擴(kuò)散阻擋層，擴(kuò)散阻擋層由Ni（P）金屬結(jié)構(gòu)組成,擴(kuò)散阻擋層的尺寸大于倒裝LED芯片的電極尺寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的阻焊窗口呈圓形或橢圓形，阻焊層圖形的尺寸小于擴(kuò)散阻擋層尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的陣列焊料凸點(diǎn)為含鉛焊料或無鉛錫基焊料或錫基焊料或銦基焊料或鉍基或金基焊料的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種多I/O倒裝LED芯片陣列凸點(diǎn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的陣列焊料凸點(diǎn)呈圓球形或方形或橢圓球形。