本實用新型涉及LED芯片領域，具體涉及一種紫外LED倒裝芯片。

背景技術：

現(xiàn)有的LED芯片上都設置有ITO作為透明電極層，進行均勻導電，但是ITO對紫外光具有較強的吸收作用，影響紫外LED芯片發(fā)揮作用。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術問題，本實用新型的目的在于提供一種紫外LED倒裝芯片。

本實用新型所采用的技術方案是：

一種紫外LED倒裝芯片，包括襯底，所述襯底上依次設置有N型GaN層、量子阱有源區(qū)、P型GaN層，所述P型GaN層上設置有透明電極層，所述透明電極層為ITO，所述透明電極層上開設有多個微孔。

進一步，所述襯底為藍寶石。

本實用新型的有益效果是：

與現(xiàn)有的LED芯片相比，本實用新型提供的紫外LED倒裝芯片在ITO層上開設有多個微孔，紫外光可通過微孔透射出去，減少ITO對紫外光的吸收，使利用紫外光的LED芯片能有效發(fā)揮作用。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單說明。顯然，所描述的附圖只是本實用新型的一部分實施例，而不是全部實施例，本領域的技術人員在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得的其他設計方案和附圖：

圖1是本實用新型的LED芯片的結構示意圖。

圖2是ITO層的俯視圖。

具體實施方式

以下將結合實施例和附圖對本實用新型的構思、具體結構及產(chǎn)生的技術效果進行清楚、完整地描述，以充分地理解本實用新型的目的、特征和效果。顯然，所描述的實施例只是本實用新型的一部分實施例，而不是全部實施例，基于本實用新型的實施例，本領域的技術人員在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的其他實施例，均屬于本實用新型保護的范圍。

參照圖1，本實用新型提供了一種紫外LED倒裝芯片，包括藍寶石襯底1，所述襯底1上依次設置有N型GaN層2、量子阱有源區(qū)3、P型GaN層4，所述P型GaN層4上設置有透明電極層5，所述透明電極層5為ITO。參照圖2，所述透明電極層5上開設有多個微孔6，優(yōu)選地，微孔6均勻設置在電極層5的四周靠近邊緣側；另一種方案，微孔6均勻布置在整個電極層5上，進一步提高紫外光的透光效果。

以上具體結構和尺寸數(shù)據(jù)是對本實用新型的較佳實施例進行了具體說明，但本實用新型創(chuàng)造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本實用新型精神的前提下還可做出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內(nèi)。