本實(shí)用新型涉及LED封裝領(lǐng)域，更具體的講是一種改進(jìn)型貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

貼片式LED由于其使用壽命長、體積小、高亮度、低熱量等優(yōu)點(diǎn)在照明領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用?，F(xiàn)有的貼片式LED通常包括封裝殼、固設(shè)與封裝殼內(nèi)的金屬電極、晶片以及封裝膠組成，封裝殼設(shè)有燈槽。生產(chǎn)時(shí)，將晶片放置于燈槽內(nèi)并用金屬絲線將其與金屬電極連接，再用透明的封裝膠密封填充燈槽并將晶片包裹?，F(xiàn)有封裝殼與金屬電極之間的設(shè)置方式比較單一，通常將金屬電極固設(shè)于封裝殼，金屬電極與封裝殼的接觸面為平面，金屬電極與封裝殼之間連接不夠緊密，容易出現(xiàn)縫隙，導(dǎo)致金屬電極松動(dòng)，從而影響LED的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種改進(jìn)型貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，目的在于解決現(xiàn)有貼片式LED存在金屬電極與封裝殼之間連接不夠緊密的問題。

本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一種改進(jìn)型貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有燈槽的封裝殼，該封裝殼內(nèi)設(shè)有裸露于燈槽底面的正電極和負(fù)電極，所述封裝殼的底部設(shè)有用于嵌設(shè)正電極的第一凹槽和用于嵌設(shè)負(fù)電極的第二凹槽，所述封裝殼的底部在第一凹槽和第二凹槽之間形成一橫跨于燈槽底部的分割條，所述正電極和負(fù)電極均設(shè)有兩個(gè)柱體和一個(gè)通孔，所述第一凹槽和第二凹槽均設(shè)有兩個(gè)與柱體相配合的盲孔和一個(gè)與通孔相配合的圓柱。

進(jìn)一步，所述第一凹槽和第二凹槽的左右側(cè)壁均設(shè)有一半圓形凸起，所述正電極和負(fù)電極的左右側(cè)壁均設(shè)有與凸起相配合的缺口。

進(jìn)一步，所述正電極和負(fù)電極對(duì)應(yīng)嵌設(shè)于第一凹槽和第二凹槽內(nèi)時(shí)，所述正電極和負(fù)電極的底面均與封裝殼的底面相平齊。

進(jìn)一步，所述燈槽呈上大下小的圓錐形。

由上述對(duì)本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的描述可知，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)：

其一、本實(shí)用新型，包括封裝殼、正電極和負(fù)電極，所述封裝殼的底部設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，封裝殼的底部在第一凹槽和第二凹槽之間形成一橫跨于燈槽底部的分割條，所述正電極和負(fù)電極均設(shè)有兩個(gè)柱體和一個(gè)通孔，所述第一凹槽和第二凹槽均設(shè)有兩個(gè)與柱體相配合的盲孔和一個(gè)與通孔相配合的圓柱。當(dāng)正電極和負(fù)電極對(duì)應(yīng)嵌設(shè)于第一凹槽和第二凹槽內(nèi)時(shí)，柱體與盲孔相插接，通孔與圓柱相插接，使封裝殼與正電極和負(fù)電極之間的交界面增大并且凹凸不平、上下錯(cuò)開，可以很好的讓封裝殼與正電極和負(fù)電極連接的更加緊密，防止正、負(fù)電極松動(dòng)。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的拆解結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型中封裝殼的倒置示意圖。

圖3為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型的倒置示意圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖說明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式。

如圖1、圖2、圖3和圖4所示，一種改進(jìn)型貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，包括設(shè)有燈槽11的封裝殼1，燈槽11呈上大下小的圓錐形。該封裝殼1內(nèi)設(shè)有裸露于燈槽11底面的正電極2和負(fù)電極3。封裝殼1的底部設(shè)有用于嵌設(shè)正電極2的第一凹槽12和用于嵌設(shè)負(fù)電極3的第二凹槽13，使得封裝殼1的底部在第一凹槽12和第二凹槽13之間形成一橫跨于燈槽11底部的分割條14。正電極2均設(shè)有兩個(gè)柱體21和一個(gè)通孔22，第一凹槽12設(shè)有兩個(gè)與柱體21相配合的盲孔121和一個(gè)與通孔22相配合的圓柱122。同樣的，負(fù)電極3均設(shè)有兩個(gè)柱體31和一個(gè)通孔32，第二凹槽13設(shè)有兩個(gè)與柱體31相配合的盲孔131和一個(gè)與通孔32相配合的圓柱132。

如圖1、圖2、圖3和圖4所示，為了加固正電極2、負(fù)電極3與封裝殼1之間的連接，第一凹槽12的左右側(cè)壁均設(shè)有一半圓形凸起123，正電極2的左右側(cè)壁均設(shè)有與凸起123相配合的缺口23。同樣的，第二凹槽13的左右側(cè)壁均設(shè)有一半圓形凸起133，負(fù)電極3的左右側(cè)壁均設(shè)有與凸起133相配合的缺口33。

如圖1、圖2、圖3和圖4所示，正電極2和負(fù)電極3對(duì)應(yīng)嵌設(shè)于第一凹槽12和第二凹槽13內(nèi)時(shí)，正電極2和負(fù)電極3的底面均與封裝殼1的底面相平齊。并且正電極2的一端與分割條14相貼，另一端延伸至第一凹槽12外；負(fù)電極3的一端與分割條14相貼，另一端延伸至第二凹槽13外。

上述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)構(gòu)思并不局限于此，凡利用此構(gòu)思對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行非實(shí)質(zhì)性的改動(dòng)，均應(yīng)屬于侵犯本實(shí)用新型保護(hù)范圍的行為。