技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有復(fù)合式多量子阱層的發(fā)光二極管，其至少包括：一襯底，及依次位于所述襯底上的N型層、復(fù)合式多量子阱層和P型層，所述復(fù)合式多量子阱層包括周期性層疊的勢壘層和勢阱層，其特征在于：所述勢阱層包括帶隙能級依次增大且周期性層疊的第一氮化物層、第二氮化物層和第三氮化物層。

技術(shù)研發(fā)人員：黃理承;謝翔麟;林兓兓;蔡吉明;張家宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽三安光電有限公司
文檔號碼：201620700373
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.06
技術(shù)公布日：2017.01.04