技術(shù)編號：12407484
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有復合式多量子阱層的發(fā)光二極管。背景技術(shù)發(fā)光二極管（英文為LightEmittingDiode，簡稱LED）是一種固態(tài)半導體器件，被廣泛用于指示燈、顯示屏等照明領(lǐng)域發(fā)。其中，氮化鎵系發(fā)光二極管因其帶隙覆蓋各種色光，成為國內(nèi)外產(chǎn)學研各界重點研究的對象，尤其是近年來有源區(qū)結(jié)構(gòu)逐漸成為各界研究的熱點。由于有源區(qū)中量子阱段長晶溫度低且In摻雜較高，極易形成大而密的漏電通道，該漏電通道促成了載流子的過沖現(xiàn)象，使得有源區(qū)的輻射復合效率隨著載流子濃度的增加或者器件操...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。