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濕法刻蝕印消除裝置的制作方法

文檔序號:12407459閱讀:240來源:國知局

本實用新型涉及電池片加工設(shè)備,特別涉及一種濕法刻蝕印消除裝置。



背景技術(shù):

隨著社會的發(fā)展,煤炭、石油等不可再生資源日益減少,尋找和開發(fā)新能源成為當前人類面臨的迫切課題,不可再生能源在使用過程中對生態(tài)環(huán)境的影響也不斷引起人們的關(guān)注。光伏發(fā)電作為一種最具潛力的可再生能源利用方式,成為取代傳統(tǒng)的石化能源,支持人類可持續(xù)發(fā)展的主要技術(shù),在最近幾年來獲得了飛速的發(fā)展,在不遠的將來會占據(jù)世界能源消費的重要席位,不但要替代部分常規(guī)能源,而且將成為世界能源供應(yīng)的主體。預(yù)計到2030年,可再生能源在總能源結(jié)構(gòu)中將占到30%以上,而太陽能光伏發(fā)電在世界總電力供應(yīng)中的占比也將達到10%以上;到2040年,可再生能源將占總能耗的50%以上,太陽能光伏發(fā)電將占總電力的20%以上;到21世紀末,可再生能源在能源結(jié)構(gòu)中將占到80%以上,太陽能發(fā)電將占到60%以上。這些數(shù)字足以顯示出太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景及其在能源領(lǐng)域重要的戰(zhàn)略地位。由此可以看出,太陽能電池市場前景廣闊。

晶硅電池技術(shù)發(fā)展的趨勢是低成本高效率,這也是光伏技術(shù)的發(fā)展方向。低成本的實現(xiàn)途徑包括效率提高、成本下降及組件壽命提升三方面。效率的提高依賴工藝的改進、材料的改進及電池結(jié)構(gòu)的改進。成本的下降依賴于現(xiàn)有材料成本的下降、產(chǎn)能提升、工藝的簡化及新材料的開發(fā)。組件壽命的提升依賴于組件封裝材料及封裝工藝的改善。

為了提升產(chǎn)品的質(zhì)量,提高制程控制的水平,有必要消除RENA濕法刻蝕印,從而提升公司的競爭力。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種濕法刻蝕印消除裝置,有效進行刻蝕印的消除,提升制程控制水平,從而提升公司的競爭力,直接提升產(chǎn)品合格率0.2%。

為實現(xiàn)上述目的,本實用新型的技術(shù)方案是提供了一種濕法刻蝕印消除裝置,包括用于輸送太陽能硅片的輸送架、沿著所述輸送架的輸送方向依次設(shè)置的水膜噴淋裝置、去PSG槽、水膜減薄裝置、刻蝕槽,所述輸送架包括若干轉(zhuǎn)動設(shè)置且等距分布的輸送輥,所述水膜噴淋裝置以及所述水膜減薄裝置位于所述輸送輥的上方,所述去PSG槽以及所述刻蝕槽位于所述輸送輥的下方,所述水膜噴淋裝置包括沿著所述輸送輥的長度方向延伸的輸水管、設(shè)置于所述輸水管底部且與所述輸水管的空腔相連通的噴頭,位于所述去PSG槽以及所述刻蝕槽段的所述輸送輥的部分浸設(shè)于所述去PSG槽以及所述刻蝕槽內(nèi),所述水膜減薄裝置包括轉(zhuǎn)動設(shè)置于所述輸送輥上方的滾輪,所述滾輪的轉(zhuǎn)動方向與所述輸送輥的轉(zhuǎn)動方向相反,所述滾輪與位于所述輸送輥上的太陽能硅片的上表面相切。

進一步改進的是:所述噴頭為霧化噴頭。

進一步改進的是:所述去PSG槽以及所述刻蝕槽均包括由建浴擋板構(gòu)成的槽體、設(shè)置于所述槽體內(nèi)的建浴管。

本實用新型的優(yōu)點和有益效果在于:進刻蝕槽上表面有水膜覆蓋,保護硅片上表面,并利用了藥水的表面張力,令硅片下表面吸附藥水且藥水不上翻,從而達到單面刻蝕的目的。

附圖說明

圖1為本實用新型的示意圖。

其中:1、輸送架;2、水膜噴淋裝置;3、去PSG槽;4、水膜減薄裝置;5、刻蝕槽。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例,對本實用新型的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術(shù)方案,而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。

如圖1所示,一種濕法刻蝕印消除裝置,包括用于輸送太陽能硅片的輸送架1、沿著所述輸送架1的輸送方向依次設(shè)置的水膜噴淋裝置2、去PSG槽3、水膜減薄裝置4、刻蝕槽5,所述輸送架1包括若干轉(zhuǎn)動設(shè)置且等距分布的輸送輥,所述水膜噴淋裝置2以及所述水膜減薄裝置4位于所述輸送輥的上方,所述去PSG槽3以及所述刻蝕槽5位于所述輸送輥的下方,所述水膜噴淋裝置2包括沿著所述輸送輥的長度方向延伸的輸水管、設(shè)置于所述輸水管底部且與所述輸水管的空腔相連通的噴頭,位于所述去PSG槽3以及所述刻蝕槽5段的所述輸送輥的部分浸設(shè)于所述去PSG槽3以及所述刻蝕槽5內(nèi),所述水膜減薄裝置4包括轉(zhuǎn)動設(shè)置于所述輸送輥上方的滾輪,所述滾輪的轉(zhuǎn)動方向與所述輸送輥的轉(zhuǎn)動方向相反,所述滾輪與位于所述輸送輥上的太陽能硅片的上表面相切。

進刻蝕槽5上表面有水膜覆蓋,保護硅片上表面,并利用了藥水的表面張力,令硅片下表面吸附藥水且藥水不上翻,從而達到單面刻蝕的目的,有效進行刻蝕印的消除,提升制程控制水平,從而提升公司的競爭力,直接提升產(chǎn)品合格率0.2%,產(chǎn)品性能得到極大提高,市場競爭力強,且技術(shù)水平可達國內(nèi)領(lǐng)先,為產(chǎn)品的推廣和應(yīng)用奠定了堅實的基礎(chǔ),因而具有廣闊的發(fā)展前景,可為企業(yè)帶來很好的經(jīng)濟效益和社會效益。

本實施例中優(yōu)選的實施方式為,所述噴頭為霧化噴頭。

本實施例中優(yōu)選的實施方式為,所述去PSG槽3以及所述刻蝕槽5均包括由建浴擋板構(gòu)成的槽體、設(shè)置于所述槽體內(nèi)的建浴管。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。

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