一種下部電極、干法刻蝕設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種下部電極、干法刻蝕設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，將該下部電極應(yīng)用到干法刻蝕中，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中下部電極對待刻蝕基板的所有部分均產(chǎn)生相同吸力的問題。一種下部電極，包括：導(dǎo)電層、以及貫穿所述下部電極的多個氣孔；所述下部電極的上表面設(shè)置有多個凸起；所述導(dǎo)電層包括：第一導(dǎo)電單元和位于所述第一導(dǎo)電單元外圍的第二導(dǎo)電單元，所述第一導(dǎo)電單元和所述第二導(dǎo)電單元互不接觸；所有所述氣孔均位于所述下部電極的輸氣區(qū)域，所述輸氣區(qū)域由所述第一導(dǎo)電單元的外輪廓限定。本發(fā)明適用于下部電極、以及包括該下部電極的干法刻蝕設(shè)備的制作。
【專利說明】
一種下部電極、干法刻蝕設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種下部電極、干法刻蝕設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]干法刻蝕在顯示器件的制作中有著不可替代的作用。在干法刻蝕工藝中，一般采用等離子體對基板(多為玻璃基板)進行刻蝕?，F(xiàn)有的干法刻蝕設(shè)備包括:反應(yīng)腔、位于反應(yīng)腔內(nèi)的上部電極和下部電極。在具體實施時，將待刻蝕基板置于下部電極上，反應(yīng)腔內(nèi)通入等離子氣體，并將反應(yīng)腔密閉，向上部電極和下部電極施加電壓，二者之間形成電勢差;在電場作用下，等離子體獲得很高的能量并以很高的速度轟擊待刻蝕基板從而實現(xiàn)刻蝕。
[0003]在上述刻蝕過程中，等離子體轟擊待刻蝕基板，會將部分能量傳遞給待刻蝕基板。那么，待刻蝕基板的溫度升高，不同區(qū)域存在溫差。而在干法刻蝕工藝中，溫度直接影響到刻蝕效果。為了提高刻蝕均一性，在刻蝕過程中，需要對待刻蝕基板進行背冷卻處理(BackCooling)。具體的，參考圖丨所示，下部電極丨設(shè)置有多個氣孔2，冷卻氣體例如He(氦)氣可從下部電極底部通過該氣孔向上輸送至待刻蝕基板。
[0004]參考圖2所示，下部電極包括本體層4、以及位于本體層4之上的第一絕緣層5、鎢層6和第二絕緣層7;下部電極的表面還設(shè)置有呈棋盤狀分布的多個凸起8(又稱Emboss Dot)，該凸起可以起到支撐待刻蝕基板3的作用;氣孔2貫穿本體層4、第一絕緣層5、鎢層6和第二絕緣層7。
[0005]在刻蝕過程中，一方面，下部電極中的氣孔吹出冷卻氣體，對待刻蝕基板產(chǎn)生向上的吹力；另一方面，參考圖3所示，通過TEL Chuck(TC，正電壓發(fā)生裝置)向下部電極I中的鎢層6加載正電壓，鎢層6附著正電荷( + )，而待刻蝕基板3表面附著電子(-)，兩者之間會產(chǎn)生靜電吸力，從而將待刻蝕基板吸附在下部電極表面。
[0006]理想情況下，通過上述兩方面的作用，能夠使得待刻蝕基板與下部電極的凸起實現(xiàn)點接觸;這樣，既可以實現(xiàn)凸起以及附近區(qū)域的冷卻效果一致，不存在刻蝕差異，又可以防止待刻蝕基板被吹跑。但是，在實際中，待刻蝕基板被吸附在下部電極表面，而現(xiàn)有設(shè)備中氣孔一般均設(shè)置在中間位置處，那么，冷卻氣體從中間向四周流動時會受到抑制，這樣，參考圖4所示，待刻蝕基板3的四周受到的吹力變小，則其與凸起8在四周位置處由點接觸變?yōu)槊娼佑|，待刻蝕基板的四周的冷卻均一性變差，從而四周產(chǎn)生呈棋盤狀刻蝕不均(EmbossMura)的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實施例提供一種下部電極、干法刻蝕設(shè)備，將該下部電極應(yīng)用到干法刻蝕中，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中下部電極對待刻蝕基板的所有部分均產(chǎn)生相同吸力的問題。
[0008]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0009]—方面，提供了一種下部電極，包括:導(dǎo)電層、以及貫穿所述下部電極的多個氣孔；所述下部電極的上表面設(shè)置有多個凸起；
[0010]所述導(dǎo)電層包括:第一導(dǎo)電單元和位于所述第一導(dǎo)電單元外圍的第二導(dǎo)電單元，所述第一導(dǎo)電單元和所述第二導(dǎo)電單元互不接觸；
[0011]所有所述氣孔均位于所述下部電極的輸氣區(qū)域，所述輸氣區(qū)域由所述第一導(dǎo)電單元的外輪廓限定。
[0012]可選的，所述第二導(dǎo)電單元為包圍所述第一導(dǎo)電單元的導(dǎo)電環(huán)。
[0013]可選的，所述第一導(dǎo)電單元的外輪廓為矩形，所述第二導(dǎo)電單元為矩形環(huán)，且所述第一導(dǎo)電單元的長度方向與所述第二導(dǎo)電單元的內(nèi)環(huán)的長度方向相同。
[0014]可選的，所述下部電極還包括:第一絕緣層，所述導(dǎo)電層位于所述第一絕緣層之上;所述第一絕緣層的外輪廓為矩形、且所述第一絕緣層的長度方向與所述第一導(dǎo)電單元的長度方向相同；
[0015]沿所述第一絕緣層的長度方向，所述第二導(dǎo)電單元的環(huán)寬與所述第一絕緣層的長度的比值的范圍為2%_2.5%，且所述第二導(dǎo)電單元的內(nèi)環(huán)與所述第一導(dǎo)電單元的距離與所述第一絕緣層的長度的比值的范圍為I % -1.5 % ;
[0016]沿所述第一絕緣層的寬度方向，所述第二導(dǎo)電單元的環(huán)寬與所述第一絕緣層的寬度的比值的范圍為1%_2%，且所述第二導(dǎo)電單元的內(nèi)環(huán)與所述第一導(dǎo)電單元的距離與所述第一絕緣層的寬度的比值的范圍為I % -2 %。
[0017]可選的，所述第二導(dǎo)電單元沿所述第一導(dǎo)電單元的長度方向的環(huán)寬和沿所述第一導(dǎo)電單元的寬度方向的環(huán)寬相同。
[0018]可選的，所述導(dǎo)電層的材料為鎢、金、銀或者銅。
[0019]可選的，所述下部電極還包括:本體層、位于所述本體層之上的第一絕緣層、以及覆蓋所述導(dǎo)電層的第二絕緣層，所述導(dǎo)電層位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材料均為氧化鋁。
[0020]可選的，所述本體層包括:本體部和位于所述本體部之上的凸出部，所述第一絕緣層、所述導(dǎo)電層和所述第二絕緣層均位于所述凸出部之上。
[0021 ]另一方面，提供了一種干法刻蝕設(shè)備，該干法刻蝕設(shè)備包括:電壓發(fā)生裝置和氣體生成裝置，所述干法刻蝕設(shè)備還包括:上述任一項所述的下部電極;所述電壓發(fā)生裝置用于向所述下部電極的第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元提供電壓，且向所述第一導(dǎo)電單元提供的電壓大于向所述第二導(dǎo)電單元提供的電壓;所述氣體生成裝置用于從所述下部電極的底部通過所述下部電極的氣孔向上輸送冷卻氣體。
[0022]可選的，向所述第一導(dǎo)電單元提供的電壓和向所述第二導(dǎo)電單元提供的電壓的差值與向所述第一導(dǎo)電單元提供的電壓的比值的范圍為12%_15%。
[0023]本發(fā)明的實施例提供了一種下部電極、干法刻蝕設(shè)備，該下部電極中第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元互不接觸，且所有氣孔均位于下部電極的輸氣區(qū)域、該輸氣區(qū)域由第一導(dǎo)電單元的外輪廓限定;這樣，將上述下部電極應(yīng)用到干法刻蝕中，可以向第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元輸入不同的電壓，從而使得第二導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力與第一導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力不同，進而解決現(xiàn)有技術(shù)中下部電極對待刻蝕基板的所有部分均產(chǎn)生相同吸力的問題。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種下部電極的示意圖一；
[0026]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種下部電極的示意圖二；
[0027]圖3為圖2中下部電極與待刻蝕基板的電荷分布圖；
[0028]圖4為圖2中下部電極與待刻蝕基板的接觸示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種下部電極的示意圖；
[0030]圖6為圖5中下部電極與待刻蝕基板的電荷分布圖；
[0031]圖7為圖5中下部電極與待刻蝕基板的接觸示意圖；
[0032]圖8為圖5中導(dǎo)電層和第一絕緣層的不意圖；
[0033]圖9為本發(fā)明實施例提供的一種干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]附圖標(biāo)記:
[0035]1-下部電極;2-氣孔;3-待刻蝕基板;4-本體層;5-第一絕緣層;6_鎢層;7_第二絕緣層;8-凸起;9-導(dǎo)電層；10-第一導(dǎo)電單元；11-第二導(dǎo)電單元；12-輸氣區(qū)域；13-本體部；14-凸出部；15-電壓發(fā)生裝置。
【具體實施方式】
[0036]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0037]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0038]實施例一
[0039]本發(fā)明實施例提供了一種下部電極，參考圖5所示，該下部電極包括:導(dǎo)電層9、以及貫穿下部電極的多個氣孔2;下部電極的上表面設(shè)置有多個凸起8;導(dǎo)電層9包括:第一導(dǎo)電單元10和位于第一導(dǎo)電單元10外圍的第二導(dǎo)電單元11，第一導(dǎo)電單元10和第二導(dǎo)電單元11互不接觸;所有氣孔2均位于下部電極的輸氣區(qū)域12，輸氣區(qū)域12由第一導(dǎo)電單元10的外輪廓限定。
[0040]上述第二導(dǎo)電單元可以是連續(xù)分布在第一導(dǎo)電單元的外圍，還可以是間隔分布在第一導(dǎo)電單元的外圍，這里不作具體限定。上述氣孔的分布情況不作限定，實際中多按照圖1所示的口字型分布。
[0041]上述下部電極中第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元互不接觸，且所有氣孔均位于下部電極的輸氣區(qū)域、該輸氣區(qū)域由第一導(dǎo)電單元的外輪廓限定;這樣，將上述下部電極應(yīng)用到干法刻蝕中，可以向第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元輸入不同的電壓，從而使得第二導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力與第一導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力不同，進而解決現(xiàn)有技術(shù)中下部電極對待刻蝕基板的所有部分均產(chǎn)生相同吸力的問題。
[0042]進一步的，向第一導(dǎo)電單元輸入的電壓大于向第二導(dǎo)電單元輸入的電壓，此時，參考圖6所示，導(dǎo)電層的第一導(dǎo)電單元10和第二導(dǎo)電單元11帶正電荷( + )，待刻蝕基板3表面附著電子(_)，那么，第二導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力小于第一導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力，則第二導(dǎo)電單元與待刻蝕基板的相應(yīng)部分的貼合程度小于第一導(dǎo)電單元與待刻蝕基板的相應(yīng)部分的貼合程度，這樣，參考圖7所示，冷卻氣體很容易從輸氣區(qū)域12向四周流動，從而使得待刻蝕基板3中與第二導(dǎo)電單元11對應(yīng)的部分與凸起8呈點接觸，待刻蝕基板3四周的冷卻效果無差異，其冷卻均一性得到有效改善，進而改善四周區(qū)域出現(xiàn)棋盤狀刻蝕不均的問題。
[0043]可選的，為了更好地改善刻蝕效果，參考圖8所示，第二導(dǎo)電單元11為包圍第一導(dǎo)電單元10的導(dǎo)電環(huán)。這里對于第二導(dǎo)電單元的具體形狀不作限定，其可以是矩形環(huán)，圓環(huán)等，本發(fā)明實施例以及附圖均以矩形環(huán)為例進行說明。
[0044]進一步可選的，為了便于制作，參考圖8所示，第一導(dǎo)電單元10的外輪廓為矩形，第二導(dǎo)電單元11為矩形環(huán)，且第一導(dǎo)電單元10的長度方向與第二導(dǎo)電單元11的內(nèi)環(huán)的長度方向相同。
[0045]可選的，為了保護導(dǎo)電層，參考圖5所示，下部電極還包括:第一絕緣層5，導(dǎo)電層9位于第一絕緣層5之上;參考圖8所示，第一絕緣層5的外輪廓為矩形、且第一絕緣層5的長度方向與第一導(dǎo)電單元的長度方向相同。
[0046]參考圖8所示，沿第一絕緣層5的長度方向，第二導(dǎo)電單元11的環(huán)寬Wl與第一絕緣層5的長度L的比值的范圍為2%-2.5%，且第二導(dǎo)電單元11的內(nèi)環(huán)與第一導(dǎo)電單元10的距離Dl與第一絕緣層5的長度L的比值的范圍為I %-1.5%;
[0047]參考圖8所示，沿第一絕緣層5的寬度方向，第二導(dǎo)電單元11的環(huán)寬W2與第一絕緣層5的寬度W的比值的范圍為I ，且第二導(dǎo)電單元11的內(nèi)環(huán)與第一導(dǎo)電單元10的距離D2與第一絕緣層5的寬度W的比值的范圍為I %-2%。
[0048]可選的，為例簡化制作，參考圖8所示，第二導(dǎo)電單元11沿第一導(dǎo)電單元10的長度方向的環(huán)寬Wl和沿第一導(dǎo)電單元10的寬度方向的環(huán)寬W2相同。需要說明的是，為了方便繪示，在圖6-8中均未繪示氣孔2，氣孔2的結(jié)構(gòu)和位置可參考圖5所示。
[0049]可選的，導(dǎo)電層的材料為鎢、金、銀或者銅?？紤]到導(dǎo)電性和成本問題，實際中多采用鎢制作導(dǎo)電層。
[0050]可選的，參考圖5所示，該下部電極還包括:本體層4、位于本體層4之上的第一絕緣層5、以及覆蓋導(dǎo)電層9的第二絕緣層7，導(dǎo)電層9位于第一絕緣層5和第二絕緣層7之間，第一絕緣層5和第二絕緣層7的材料均為氧化鋁。上述本體層的材料可以是金屬或者金屬合金，例如可以是鋁、銅、鋁銅合金、鋁錳合金等。若第一絕緣層和第二絕緣層的材料均為氧化鋁，此時可以選取鋁制作本體層，這樣可以更好的保護導(dǎo)電層。
[0051 ] 可選的，參考圖5所示，本體層4包括:本體部13和位于本體部13之上的凸出部14，第一絕緣層5、導(dǎo)電層9和第二絕緣層7均位于凸出部14之上。該結(jié)構(gòu)中，本體部13和凸出部14之間形成有臺階，有利于后續(xù)陶瓷封裝。
[0052]實施例二
[0053]本發(fā)明實施例提供了一種干法刻蝕設(shè)備，參考圖9所示，該干法刻蝕設(shè)備包括:電壓發(fā)生裝置15和氣體生成裝置(圖中未示出)，該干法刻蝕設(shè)備還包括:實施例一提供的任一項的下部電極I;電壓發(fā)生裝置15用于向下部電極I的第一導(dǎo)電單元10和第二導(dǎo)電單元11提供電壓，且向第一導(dǎo)電單元10提供的電壓大于向第二導(dǎo)電單元11提供的電壓;氣體生成裝置用于從下部電極的底部通過下部電極的氣孔向上輸送冷卻氣體。
[0054]上述干法刻蝕設(shè)備還可以包括上部電極等其他結(jié)構(gòu)，這里僅詳細介紹與本發(fā)明點相關(guān)的結(jié)構(gòu)。上述氣體生成裝置產(chǎn)生的氣體可以是稀有氣體，例如He(氦)氣等。需要說明的是，電壓發(fā)生裝置可通過A路和B路兩個電路分別向第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元提供電壓，具體的電路結(jié)構(gòu)可以從現(xiàn)有技術(shù)獲得，此處不再贅述。電壓發(fā)生裝置可以是正直流電壓發(fā)生裝置，還可以是負直流電壓發(fā)生裝置，或者是其他類型電壓發(fā)生裝置，這里不作限定，具體根據(jù)實際情況而定。實際中，大多采用正直流電壓發(fā)生裝置向第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元提供電壓。
[0055]上述干法刻蝕設(shè)備，向第一導(dǎo)電單元輸入的電壓大于向第二導(dǎo)電單元輸入的電壓，那么，第二導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力小于第一導(dǎo)電單元對于待刻蝕基板的吸力，則第二導(dǎo)電單元與待刻蝕基板的相應(yīng)部分的貼合程度小于第一導(dǎo)電單元與待刻蝕基板的相應(yīng)部分的貼合程度，這樣，冷卻氣體很容易從輸氣區(qū)域向四周流動，從而使得待刻蝕基板中與第二導(dǎo)電單元對應(yīng)的部分與凸起呈點接觸，待刻蝕基板四周的冷卻效果無差異，其冷卻均一性得到有效改善，進而改善四周出現(xiàn)棋盤狀刻蝕不均的問題。
[0056]可選的，向第一導(dǎo)電單元提供的電壓和向第二導(dǎo)電單元提供的電壓的差值與向第一導(dǎo)電單元提供的電壓的比值的范圍為12%_15%，這樣可以取得較好的改善結(jié)果。
[0057]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種下部電極，包括:導(dǎo)電層、以及貫穿所述下部電極的多個氣孔;所述下部電極的上表面設(shè)置有多個凸起； 其特征在于，所述導(dǎo)電層包括:第一導(dǎo)電單元和位于所述第一導(dǎo)電單元外圍的第二導(dǎo)電單元，所述第一導(dǎo)電單元和所述第二導(dǎo)電單元互不接觸； 所有所述氣孔均位于所述下部電極的輸氣區(qū)域，所述輸氣區(qū)域由所述第一導(dǎo)電單元的外輪廓限定。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下部電極，其特征在于，所述第二導(dǎo)電單元為包圍所述第一導(dǎo)電單元的導(dǎo)電環(huán)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下部電極，其特征在于，所述第一導(dǎo)電單元的外輪廓為矩形，所述第二導(dǎo)電單元為矩形環(huán)，且所述第一導(dǎo)電單元的長度方向與所述第二導(dǎo)電單元的內(nèi)環(huán)的長度方向相同。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的下部電極，其特征在于，所述下部電極還包括:第一絕緣層，所述導(dǎo)電層位于所述第一絕緣層之上;所述第一絕緣層的外輪廓為矩形、且所述第一絕緣層的長度方向與所述第一導(dǎo)電單元的長度方向相同； 沿所述第一絕緣層的長度方向，所述第二導(dǎo)電單元的環(huán)寬與所述第一絕緣層的長度的比值的范圍為2%_2.5%，且所述第二導(dǎo)電單元的內(nèi)環(huán)與所述第一導(dǎo)電單元的距離與所述第一絕緣層的長度的比值的范圍為I % -1.5 % ; 沿所述第一絕緣層的寬度方向，所述第二導(dǎo)電單元的環(huán)寬與所述第一絕緣層的寬度的比值的范圍為I %_2%，且所述第二導(dǎo)電單元的內(nèi)環(huán)與所述第一導(dǎo)電單元的距離與所述第一絕緣層的寬度的比值的范圍為I %_2%。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的下部電極，其特征在于，所述第二導(dǎo)電單元沿所述第一導(dǎo)電單元的長度方向的環(huán)寬和沿所述第一導(dǎo)電單元的寬度方向的環(huán)寬相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下部電極，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材料為鎢、金、銀或者銅。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下部電極，其特征在于，所述下部電極還包括:本體層、位于所述本體層之上的第一絕緣層、以及覆蓋所述導(dǎo)電層的第二絕緣層，所述導(dǎo)電層位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材料均為氧化鋁。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的下部電極，其特征在于，所述本體層包括:本體部和位于所述本體部之上的凸出部，所述第一絕緣層、所述導(dǎo)電層和所述第二絕緣層均位于所述凸出部之上。9.一種干法刻蝕設(shè)備，包括:電壓發(fā)生裝置和氣體生成裝置，其特征在于，所述干法刻蝕設(shè)備還包括:權(quán)利要求1-8任一項所述的下部電極;所述電壓發(fā)生裝置用于向所述下部電極的第一導(dǎo)電單元和第二導(dǎo)電單元提供電壓，且向所述第一導(dǎo)電單元提供的電壓大于向所述第二導(dǎo)電單元提供的電壓;所述氣體生成裝置用于從所述下部電極的底部通過所述下部電極的氣孔向上輸送冷卻氣體。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，向所述第一導(dǎo)電單元提供的電壓和向所述第二導(dǎo)電單元提供的電壓的差值與向所述第一導(dǎo)電單元提供的電壓的比值的范圍為12%-15%。
【文檔編號】H01L21/28GK106024610SQ201610609742
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月28日
【發(fā)明人】陳甫, 董康旭, 張穎, 劉建輝, 劉祖宏, 侯智, 李鶴, 王忠寶
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司