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干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置的制作方法

文檔序號:11990216閱讀:752來源:國知局
干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置的制作方法

本實(shí)用新型涉及干刻蝕技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置。



背景技術(shù):

干刻蝕工藝(Dry Etching)是把基板上無光刻膠掩蔽的金屬膜或非金屬膜刻蝕掉,使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來,從而在基板上形成所需要的圖形。干刻蝕在半導(dǎo)體工藝和顯示器制造工藝有廣泛應(yīng)用。

對基板進(jìn)行干刻蝕是在干刻蝕裝置中完成的,而干刻蝕裝置的下部電極是進(jìn)行干刻蝕的關(guān)鍵部件,如圖1所示,干刻蝕裝置的下部電極包括電極底板11和設(shè)置在電極底板11上的絕緣層13。在進(jìn)行干刻蝕時(shí),待刻蝕的基板放置在下部電極的絕緣層13上。

在干刻蝕過程中,需要控制干刻蝕裝置的下部電極在一定溫度下工作,工作時(shí)首先要升溫到既定溫度,但工作過程中(即對基板轟擊)會產(chǎn)生熱量,此時(shí)又需要對干刻蝕裝置的下部電極降溫。

現(xiàn)有技術(shù)中,通過溫度控制裝置控制電極底板11的溫度,進(jìn)而控制干刻蝕裝置的下部電極的溫度。具體地,在下部電極的電極底板11內(nèi)形成冷媒管道12,溫度控制裝置自帶的中央處理器根據(jù)接收到的信息,會對冷媒進(jìn)行溫度調(diào)節(jié),進(jìn)而控制干刻蝕裝置的下部電極的溫度。

但是,通過冷媒傳遞熱量給電極底板11,再由電極底板11傳遞熱量給上部的絕緣層13,由于刻蝕過程中(即對基板轟擊)會產(chǎn)生熱量,以及冷媒作用,導(dǎo)致下部電極的表面溫度不均勻,刻蝕均一性不好,造成基板刻蝕的良品率下降。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于提供一種干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中下部電極的表面溫度不均勻,刻蝕均一性不好,造成基板刻蝕的良品率下降的問題。

本實(shí)用新型提供一種干刻蝕裝置的下部電極,包括電極底板以及位于所述電極底板上的絕緣層,所述絕緣層內(nèi)嵌入有金屬網(wǎng)。

進(jìn)一步地,所述金屬網(wǎng)呈交叉網(wǎng)狀嵌入在所述絕緣層內(nèi)。

進(jìn)一步地,所述金屬網(wǎng)包括多根第一金屬絲和多根第二金屬絲,所述第一金屬絲沿著第一方向延伸,所述第二金屬絲沿著第二方向延伸,所述第一金屬絲和所述第二金屬絲相互交叉設(shè)置成網(wǎng)狀嵌入在所述絕緣層內(nèi)。

進(jìn)一步地,所述金屬網(wǎng)遍布在整個(gè)所述絕緣層內(nèi)。

進(jìn)一步地,所述金屬網(wǎng)為純銅網(wǎng)。

進(jìn)一步地,所述絕緣層具有相對的下表面和上表面,所述絕緣層通過所述下表面與所述電極底板結(jié)合,所述金屬網(wǎng)嵌入在所述下表面內(nèi)。

進(jìn)一步地,所述金屬網(wǎng)先置于所述電極底板上表面,所述絕緣層沉積形成在所述電極底板上以使所述金屬網(wǎng)嵌入在所述下表面內(nèi)。

進(jìn)一步地,所述電極底板內(nèi)具有容納冷媒的冷媒管道。

進(jìn)一步地,所述電極底板為鋁電極底板,所述絕緣層為氧化鋁陶瓷絕緣層。

本實(shí)用新型還提供一種干刻蝕裝置,包括反應(yīng)腔以及設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)的上部電極和下部電極,所述下部電極為上述的干刻蝕裝置的下部電極。

本實(shí)施例提供的干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置,通過在下部電極的絕緣層內(nèi)嵌入設(shè)置金屬網(wǎng),通過金屬網(wǎng)將熱量在下部電極內(nèi)均勻傳導(dǎo),使下部電極的整個(gè)表面溫度更加均勻,改善了刻蝕均一性,提高了基板刻蝕的良品率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中干刻蝕裝置的下部電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中干刻蝕裝置的下部電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖2中嵌入在絕緣層中的金屬網(wǎng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中干刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)方式及功效,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中干刻蝕裝置的下部電極的結(jié)構(gòu)示意圖,請參圖2,該下部電極10包括電極底板11以及位于電極底板11上的絕緣層13。在進(jìn)行干刻蝕時(shí),待刻蝕的基板放置在下部電極的絕緣層13上。

在干刻蝕過程中,需要控制下部電極10在一定溫度下工作,工作時(shí)首先要升溫到既定溫度,但工作過程中(即對基板轟擊)會產(chǎn)生熱量,此時(shí)又需要對下部電極10降溫。

具體地,可以通過溫度控制裝置(圖未示)控制電極底板11的溫度,進(jìn)而控制下部電極10的溫度。例如,在下部電極10的電極底板11內(nèi)具有容納冷媒的冷媒管道12,冷媒(如氦氣)流經(jīng)冷媒管道12,溫度控制裝置自帶的中央處理器根據(jù)接收到的信息,會對冷媒進(jìn)行溫度調(diào)節(jié),進(jìn)而控制下部電極10的溫度。

本實(shí)施例中,為了使下部電極10的表面溫度更加均勻,改善刻蝕均一性,提高基板刻蝕的良品率,在下部電極10的絕緣層13內(nèi)嵌入有金屬網(wǎng)14,使絕緣層13表面溫度高的位置可將熱量由金屬網(wǎng)14轉(zhuǎn)移到溫度低的位置,從而使下部電極10的表面溫度更加均勻,提高刻蝕均一性。

圖3為圖2中嵌入在絕緣層13中的金屬網(wǎng)14的結(jié)構(gòu)示意圖,請參圖3,金屬網(wǎng)14呈交叉網(wǎng)狀嵌入在絕緣層13內(nèi)。本實(shí)施例中,金屬網(wǎng)14包括多根第一金屬絲141和多根第二金屬絲142,第一金屬絲141沿著第一方向(如豎向)延伸,第二金屬絲142沿著第二方向(如橫向)延伸,第一金屬絲141和第二金屬絲142相互交叉設(shè)置成網(wǎng)狀嵌入在絕緣層13內(nèi)。另外,金屬網(wǎng)14遍布在整個(gè)絕緣層13范圍內(nèi),熱量通過金屬網(wǎng)14可以向整個(gè)絕緣層13的各個(gè)區(qū)域傳遞,使下部電極10的表面溫度更均勻。

本實(shí)施例中,絕緣層13具有相對的下表面131和上表面132,絕緣層13通過其下表面131與電極底板11結(jié)合。其中,該金屬網(wǎng)14嵌入在該下表面131內(nèi)。具體地,絕緣層13可通過濺射(sputter)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法沉積形成在電極底板11上,在電極底板11上表面沉積形成絕緣層13時(shí),先將金屬網(wǎng)14置于電極底板11上表面,然后再沉積形成絕緣層13,以將金屬網(wǎng)14嵌設(shè)在絕緣層13的下表面131內(nèi)。

優(yōu)選地,金屬網(wǎng)14為純銅網(wǎng),因?yàn)殂~材的熱傳導(dǎo)性能好,其導(dǎo)熱系數(shù)可以達(dá)到401W/(m·K)。

電極底板11的材質(zhì)優(yōu)選為鋁材,即采用鋁電極底板。絕緣層13的材質(zhì)優(yōu)選為氧化鋁陶瓷,即采用氧化鋁陶瓷絕緣層。

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中干刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,請參圖4,本實(shí)用新型還提供一種干刻蝕裝置,包括反應(yīng)腔30以及設(shè)置在反應(yīng)腔30內(nèi)的上部電極20和下部電極10,其中下部電極10為上述實(shí)施例中所述的干刻蝕裝置的下部電極10。

在干刻蝕過程中,待刻蝕基板50置于下部電極10上,并且需要控制干刻蝕裝置的下部電極10在一定溫度下工作,本實(shí)用新型提供的干刻蝕裝置,在使用過程中,在電極底板11內(nèi)的冷媒管道12內(nèi)加入冷媒,通過冷媒在冷媒管道12內(nèi)的循環(huán)來控制電極底板11的溫度,進(jìn)而控制干刻蝕裝置的下部電極10的溫度。

如果干刻蝕裝置的下部電極10與待刻蝕基板50接觸的表面溫度不均勻,將影響刻蝕均一性。本實(shí)用新型通過在下部電極10的絕緣層13內(nèi)嵌入設(shè)置金屬網(wǎng)14,通過金屬網(wǎng)14將熱量在下部電極10內(nèi)均勻傳導(dǎo),使下部電極10的整個(gè)表面溫度更加均勻,改善了刻蝕均一性,提高了基板刻蝕的良品率。

以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制,雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本實(shí)用新型,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。

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