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采用量子點(diǎn)薄膜的圖像傳感器及制備方法與流程

文檔序號(hào):11521964閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種采用量子點(diǎn)薄膜的圖像傳感器及制備方法,該圖像傳感器包括:在襯底表面設(shè)置有底部隔離層;位于底部隔離層上的N層隔離層,相鄰上層隔離層的金屬互連線(xiàn)底部與下層隔離層的金屬接觸孔頂部相接觸;位于第N層隔離層上的第N+1層隔離層,第N+1層隔離層中貫穿設(shè)置有第N+1層金屬互連線(xiàn);第N+1層金屬互連線(xiàn)底部與第N層金屬接觸孔頂部一一對(duì)應(yīng)且相接觸;在第N+1層金屬互連線(xiàn)頂部設(shè)置有金屬電極;在金屬電極表面和暴露的第N+1層隔離層表面覆蓋有量子點(diǎn)薄膜。本發(fā)明的圖像傳感器具有有更強(qiáng)的光線(xiàn)敏感度,更大的動(dòng)態(tài)范圍和更優(yōu)化的成像穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員:楊冰;周偉;胡少堅(jiān);耿陽(yáng);肖慧敏
受保護(hù)的技術(shù)使用者:上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.27
技術(shù)公布日:2017.08.18
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