相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月31日在韓國提交的韓國專利申請第10-2015-0191940號的優(yōu)先權，其全部內容通過引用并入本文。

本公開涉及使用薄膜晶體管的數(shù)字x射線檢測器，更具體地，涉及x射線檢測器的陣列基板、包括陣列基板的數(shù)字x射線檢測器、用于制造x射線檢測器的陣列基板的方法、以及用于制造x射線檢測器的方法。盡管本公開適用于寬范圍的應用，但是本公開特別適合于在x射線檢測器的薄膜晶體管陣列基板中以高準確度來跟蹤有缺陷的線。

背景技術：

在當前已經用于醫(yī)療目的診斷x射線檢驗方法中，x射線感測膠片用于拍攝x射線，并且要花費預定打印時間來獲得其結果。

然而，隨著半導體技術的最新發(fā)展，已經研究并開發(fā)了使用薄膜晶體管的數(shù)字x射線檢測器。數(shù)字x射線檢測器使用薄膜晶體管作為開關元件，因此使得用戶能夠在照射x射線時實時地進行診斷。

通常，數(shù)字x射線檢測器分為兩種類型，即直接型dxd和間接型dxd。直接型dxd包括層壓在薄膜晶體管陣列基板的上層上的非晶硒(se)層以及形成在非晶se層上的透明電極，并且檢測在薄膜晶體管的像素電極從se層接收電荷時的電流，然后執(zhí)行信號處理。間接型dxd包括閃爍體，并且如果x射線通過閃爍體轉換成可見光，則可見光通過pin二極管轉換成電信號，然后執(zhí)行一系列信號處理。

同時，在常規(guī)x射線檢測器中，用于對陣列基板執(zhí)行曝光工藝的掩模很小。因此，為了制造大尺寸的面板，使用了通過將掩模在基礎基板上移位多次來執(zhí)行曝光的拼接(stitchshot)曝光方法。

通常，如果在信號線中發(fā)生缺陷如開路或短路，則陣列基板上的多條線與用于各條線的標識一起被圖案化，以便使用檢測器在陣列基板上找到有缺陷的信號線。

然而，在拼接曝光方法的情況下，通過將相同的掩模移位幾次來執(zhí)行曝光工藝。因此，在一個基礎基板上相同的標識被重復地圖案化。圖1是通過常規(guī)拼接曝光方法在其上形成標識的陣列基板的照片，這將參照圖1來說明。

圖1中使用的掩模包括第1個至第256個標識。因此，第257條線(通過在圖1的照片中第二次移位掩模而曝光的線)變?yōu)榈谝粋€標識，與第一個標識相同。因此，存在包括相同標識的多于一條的信號線，因此，不可能準確地找出有缺陷的信號線的位置。因此，需要一種解決方案。

技術實現(xiàn)要素：

因此，本公開涉及x射線檢測器的陣列基板、用于制造x射線檢測器的陣列基板的方法、包括陣列基板的數(shù)字x射線檢測器、以及用于制造x射線檢測器的制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。

本公開要實現(xiàn)的一個目的是提供一種能夠以高準確度跟蹤有缺陷的線的x射線檢測器的陣列基板。

本公開要實現(xiàn)的另一個目的是提供一種能夠抑制缺陷泄漏并改進收率的x射線檢測器的陣列基板。

本公開要實現(xiàn)的再一個目的是提供一種包括上述陣列基板的x射線檢測器。

根據(jù)本公開的一個方面，提供有一種x射線檢測器的陣列基板，包括:沿第一方向延伸的第一線；沿第一方向延伸并且與第一線間隔開的第二線；以及布置在第一線與第二線之間的多個線標識。

根據(jù)本公開的另一方面，提供有一種x射線檢測器的陣列基板，包括：具有沿第一方向布置的多條線的多個線組；以及設置在多條線中的每一條旁邊的多個線標識。多個線組中的每一個包括沿第一方向延伸并且沿著與第一方向垂直的第二方向彼此間隔開的第一線至第n線(其中n是自然數(shù))。多條線中的第m線(其中m是等于或小于n的自然數(shù))具有線標識，該線標識包括具有編號m的第一標識和具有編號(m+n)的第二標識。

根據(jù)本公開的另一方面，提供有一種x射線檢測器的陣列基板，包括：包括多條線的第一線組至第p線組(其中p是大于2的自然數(shù))。多條線沿第一方向延伸并且彼此間隔開，并且在邊向側上包括p個標識。

根據(jù)本公開的另一方面，提供有一種x射線檢測器，包括：具有多個像素的陣列基板、偏壓驅動器、柵極驅動器和讀出集成電路。該陣列基板包括：沿第一方向延伸的第一線；沿第一方向延伸并且與第一線間隔開的第二線；以及布置在第一線與第二線之間的多個線標識。偏壓驅動器向陣列基板提供驅動電壓；柵極驅動器將柵極脈沖順序地提供給陣列基板的多個柵極；讀出集成電路讀出從響應于柵極脈沖而導通的晶體管輸出的檢測信號。

根據(jù)本公開的另一方面，提供有一種x射線檢測器的陣列基板，包括：基礎基板；在基礎基板上的多條柵極線；在柵極線上的有源層；在有源層上的源/漏電極；在源/漏電極上的光敏部的第一電極；在第一電極上的光敏部的光導層和第二電極；在第二電極上的多條數(shù)據(jù)線和多條偏壓線；以及設置在柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中至少之一之間的多個線標識。

根據(jù)本公開的另一方面，提供有一種用于制造x射線檢測器的陣列基板的方法，包括：在襯底上形成柵極線；在柵極線上形成有源層；在有源層上形成源極/漏電極；在源/漏電極上形成下電極；在下電極上形成光導層和上電極；以及在上電極上形成數(shù)據(jù)線和偏壓線。柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中至少之一通過使用掩模的曝光工藝形成，該掩模配置為在相鄰的線之間形成多個線標識。

根據(jù)本公開，x射線檢測器的陣列基板可以以高準確度跟蹤有缺陷的線。因此，可以對有缺陷的線執(zhí)行修復工藝。

根據(jù)本公開，x射線檢測器包括上述陣列基板，因此抑制了缺陷泄漏，降低了rma成本，并且顯著地提高了收率。

應當理解，前面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供對所要求保護的本公開的進一步說明。

附圖說明

根據(jù)結合附圖的以下詳細描述，將更清楚地理解本公開的上述和其他方面、特征和其它優(yōu)點，在附圖中：

圖1是通過常規(guī)的拼接曝光方法在其上形成標識的陣列基板的照片；

圖2是示出根據(jù)本公開的一個方面的x射線檢測器的操作的截面圖；

圖3是示意性地示出了根據(jù)本公開的一個方面的x射線檢測器的結構的圖；

圖4是根據(jù)本公開的一個方面的陣列基板的有源區(qū)的截面圖；

圖5是根據(jù)本公開的一個方面的包括多個標識的線的照片；

圖6a是示意性地示出根據(jù)本公開的一個方面的包括連接至封閉環(huán)形接地線的偏壓線的陣列基板的平面圖；

圖6b和圖6c是提供用于說明根據(jù)本公開的一個方面的用于識別陣列基板中的線的線標識的示意性平面圖；

圖7是圖6a所示的陣列基板的區(qū)域的放大圖；

圖8是根據(jù)本公開的一個方面的在柵極線上設置有偏壓線的陣列基板的一部分的平面圖；

圖9是沿圖8的線a-b截取的陣列基板的截面圖；

圖10是沿圖8的線c-d截取的陣列基板的截面圖；

圖11是根據(jù)本公開的一個方面的在光敏部的外周處設置有偏壓線的陣列基板的一部分的平面圖，。

圖12是示意性地示出用于制造本公開的x射線檢測器的陣列基板的掩模的圖；以及

圖13是示意性地示出根據(jù)本公開的一個方面的通過將掩模移位來執(zhí)行曝光的工藝的圖。

具體實施方式

在本公開中，將理解的是，當膜、層、電極、板或基板描述為形成在這些方面中的另一元件的“上方”或“下方”時，該膜、層、電極、板或基板可以是直接在另一元件的上方或下方，或者可以存在中間元件(間接地)。

術語在元件的“上方”、“旁邊”或者“下方”將基于附圖來確定。為方便起見，附圖中元件的尺寸可以放大表示，而并不反映其實際尺寸。

在下文中，將參照附圖來詳細描述本公開的示例性的方面。

圖2是示出根據(jù)本公開的一個方面的x射線檢測器的操作的截面圖。圖3是示意性地示出根據(jù)本公開的一個方面的x射線檢測器的結構的圖。

在間接型x射線檢測器中，光敏部200形成在陣列基板上，并且光轉換部300設置在光敏部200的上部以檢測x射線。

如圖2所示的用x射線照射的光轉換部300將x射線轉換成具有光敏部200最敏感波長范圍的光，并且將所轉換的光轉換成電信號。所轉換的電信號通過薄膜晶體管傳送作為圖像信號。圖2和圖3中示出的薄膜晶體管包括：柵電極；在柵電極21上的第一絕緣層；在第一絕緣層上的有源層；源電極；以及漏電極。源電極和漏電極連接至有源層的一端和另一端并且彼此分離。

此外，如圖3所示，根據(jù)本公開的一個方面的x射線檢測器400包括：多個像素單元p、偏壓驅動器、柵極驅動器和讀出集成電路。

每個像素單元p感測從x射線發(fā)生器發(fā)射的x射線，并且光電地轉換所感測的信號，然后輸出所感測的信號作為電檢測信號。

像素單元包括多個光敏像素，所述多個光敏像素以矩陣排列并且與多條柵極線gl和多條數(shù)據(jù)線dl彼此相交的交叉點相鄰。多條柵極線gl和多條數(shù)據(jù)線dl可以設置為彼此基本正交。作為示例，圖3示出了以4行和4列設置的十六個(16個)光敏像素p。然而，本公開不限于此?？梢圆煌剡x擇光敏像素p的數(shù)目。

每個光敏像素p包括：光敏部pd，光敏部pd配置為感測x射線并輸出檢測信號(例如，光檢測電壓)；以及作為開關元件的晶體管tr，晶體管tr配置為傳輸響應于柵極脈沖而從光敏部輸出的電信號。

根據(jù)本公開的光敏部pd感測從x射線發(fā)生器發(fā)射的x射線，并輸出感測信號作為檢測信號。光敏部pd可以是例如pin二極管的元件，其配置為通過光電效應將入射光轉換成電信號。

晶體管tr是開關元件，其配置為傳輸從光敏部pd輸出的檢測信號。晶體管的柵電極電連接至柵極線gl，源電極通過數(shù)據(jù)線dl電連接至讀出集成電路。

偏壓驅動器通過多條偏壓線bl施加驅動電壓。偏壓驅動器可以選擇性地向光敏部pd施加反向偏壓或正向偏壓。

柵極驅動器通過多條柵極線gl順序地施加具有柵極導通電壓電平的柵極脈沖。響應于柵極脈沖，光敏像素p的晶體管tr導通。如果晶體管導通，則從光敏部pd輸出的檢測信號通過晶體管tr和數(shù)據(jù)線dl輸入到讀出集成電路中。

柵極驅動器可以以ic形式安裝在像素單元的一側，或者通過薄膜制造工藝形成在襯底如像素單元上。

讀出集成電路讀出從響應于柵極脈沖而導通的晶體管輸出的檢測信號。讀出集成電路讀出從偏移讀出區(qū)域的光敏像素p輸出的檢測信號用于讀出偏移圖像、以及在x射線曝光之后讀出x射線讀出區(qū)域的光敏像素p輸出的檢測信號用于讀出檢測信號。

讀出集成電路將檢測信號讀出/傳輸至預定信號處理器中，并且信號處理器將檢測信號數(shù)字化，然后將檢測信號表示成圖像。讀出集成電路可以包括信號檢測器和復用器。在這種情況下，信號檢測器可以包括與多條數(shù)據(jù)線dl一一對應的多個放大單元。每個放大單元可以包括放大器、電容器和復位裝置。

圖4是根據(jù)本公開的一個方面的陣列基板100的有源區(qū)20的截面圖，將參照圖4進行說明。

有源區(qū)20包括多條數(shù)據(jù)線14、多條柵極線以及由多條數(shù)據(jù)線14和多條柵極線彼此相交而限定的多個像素區(qū)。有源區(qū)20還包括設置在各個像素區(qū)中并且配置為將光電信號轉換成電信號的多個光敏部200以及具有開關功能以驅動多個光敏部200的多個薄膜晶體管30。

薄膜晶體管30包括：連接至柵極線的柵電極21；在柵電極21上的有源層22；連接有源層22的一端和數(shù)據(jù)線14的源電極23；以及連接至有源層22的另一端的漏電極24。漏電極24連接至光敏部200。

陣列基板100還包括連接至源電極23的數(shù)據(jù)線14以及配置為施加偏壓的偏壓線28，偏壓可以控制光敏部200的電子或空穴。偏壓線28由不透明的金屬材料形成。

柵電極21可以由諸如鋁(al)、鉬(mo)及其合金的材料形成，但不限于此。

有源層22可以包括未摻雜有雜質的第一非晶硅層和摻雜有n型雜質的第二非晶硅層。

源電極23/漏電極24可以由諸如鋁(al)、鉬(mo)及其合金的材料形成，但不限于此。

第二絕緣層17包括暴露漏電極24的一部分的第一接觸孔。源電極23連接至數(shù)據(jù)線14，并且漏電極24通過第一接觸孔連接至光敏部200的下電極26。

第三絕緣層18形成在第二絕緣層17上以及光敏部200的上電極27上。第三絕緣層18包括暴露上電極27的一部分的第二接觸孔。上電極27通過第二接觸孔連接至偏壓線28。

第四絕緣層19形成在第三絕緣層18上和偏壓線28上。第四絕緣層19在有源區(qū)20內沒有接觸孔。

根據(jù)本公開的第一方面，x射線檢測器的陣列基板包括：沿第一方向延伸的第一線；沿第一方向延伸并且與第一線間隔開的第二線；以及布置在第一線與第二線之間的多個線標識。

如上所述，根據(jù)常規(guī)的拼接曝光方法，多條線包括相同的標識，因此，不可能準確地找出有缺陷的信號線。

圖5是根據(jù)本公開的一個方面的包括多個標識的線的照片。在本公開中，如圖5所示，在信號線43與44之間布置有多個線標識41和42，因此，可以根據(jù)下述方法容易地檢測有缺陷的線的位置。也就是說，根據(jù)本公開，即使通過將相同的掩模移位來執(zhí)行曝光工藝，仍可以通過布置在陣列基板上的多個線標識41和42來跟蹤信號線43和44中的缺陷的準確位置。因此，可以通過使用多個線標識41和42對有缺陷的線執(zhí)行修復工藝。因此，可以抑制缺陷泄漏，降低rma(退貨許可)成本，并顯著提高收率。

線布置在本公開的陣列基板上，并且可以是柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中的任一種。線在種類上沒有特別限制，只要在不脫離本公開的目的的范圍內通過掩模將線形成在x射線檢測器的陣列基板上即可。

多個線標識41和42在種類上沒有特別限制，只要這些線標識在不脫離本公開的目的的范圍內即可。具體地，多個線標識41和42中的每個線標識可以包括數(shù)字、字母、符號和形狀中至少之一。

布置在第一線中的第一標識41和第二標識42不一定是連續(xù)的，而是可以與布置在第二線中的第一標識41和第二標識42不連續(xù)。在檢測有缺陷的線的位置的容易性方面，相鄰的線43和44之間的標識可以是連續(xù)的。

根據(jù)本公開的第二方面，x射線檢測器的陣列基板可以包括多個線組。每個線組包括從第一線至第n線的n條線(n是自然數(shù))。n條線沿第一方向延伸。第一線至第n線沿著與第一方向垂直的第二方向順序排列并且彼此間隔開。多個線標識設置在多條線中的每一條旁邊，例如，線組的第m線(m是等于或小于n的自然數(shù))旁邊。多個線標識包括表示號碼m的第一標識41和表示號碼m+n的第二標識42。

根據(jù)本公開的第三方面，x射線檢測器的陣列基板可以包括多個線組。每個線組包括從第一線至第n線的n條線(n是自然數(shù))。n條線沿第一方向延伸。第一線至第n線沿著與第一方向垂直的第二方向順序排列并且彼此間隔開。多個線標識設置在多條線中的每一條旁邊，例如，線組的第m線旁邊(m是等于或小于n的自然數(shù))。多個線標識包括指示第一線組的第m線的第一標識41以及指示第二線組的第m線的第二標識42。

在第三示例性方面中，線標識不必局限于數(shù)字。以與第一方面相同的方式，第一標識41和第二標識42中的每一個可以包括數(shù)字、字母、符號和形狀中至少之一。

根據(jù)本公開的第四示例性方面，x射線檢測器的陣列基板可以包括多個線組，第一線至第p線(p是自然數(shù))。多個線組中的每一個包括多條線。多條線沿第一方向延伸并且彼此分開，并且可以在邊向側上包括n個標識。

在第四方面中，線標識不必局限于數(shù)字，并且包括在第一線至第n線的組中的多條線的線標識可以彼此不同。也就是說，以與第一方面相同的方式，第一標識41和第二標識42中的每一個可以包括數(shù)字、字母、符號和形狀中至少之一。

此外，包括在多個線組的每一個中的多條線中的第x線可以包括彼此相同的p個線標識(x是自然數(shù))。

在不脫離本發(fā)明的目的的范圍內，第一方面的配置和效果類似地應用于第二方面至第四方面。因此，在本公開中省略了對與第一方面的配置和效果相同的第二方面至第四方面的詳細描述。

在下文中，將參照圖6b和圖6c來詳細描述用于檢測用于在本公開的陣列基板中識別線和有缺陷的線的位置的標識的方法。圖6b和圖6c是提供用于說明根據(jù)本公開的一個方面的用于識別陣列基板中的線的線標識的示意性平面圖。

為了便于說明，圖6b僅示出設置在陣列基板100上的多條線l1_1,l1_2,...,lp_n以及分別與多條線l1_1,l1_2,...,lp_n對應的線標識41。參照圖6b，陣列基板100劃分為p個線組g1,g2，...,gp。針對圖6b所示的線組g1,g2,...,gp的區(qū)域可以限定為與如上所述的掩模的有限尺寸對應。p個線組g1,g2,...,gp中的每個線組包括n條線lp_1,...,lp_n。此處，p和n是大于2的自然數(shù)。此處，n條線包括從第一線lp_1至第n線lp_n，并且n條線lp_1,...,lp_n中的每條線布置成沿第一方向延伸。此處，p個線組g1,g2,...,gp包括從第一線組g1至第p線組gp。p個線組g1,g2,...,gp沿垂直于第一方向的第二方向平行設置。在下文中，為了便于說明，將線組g1,g2,...,gp中的每個線組從頂部開始的第m行稱為第m線(m是等于或小于n的自然數(shù))。

線標識41設置為與上述線組中的每條線相鄰。線標識41的數(shù)目可以等于線組的數(shù)目。例如，如果存在p個線組g1,g2,...,gp，則存在p個線標識。p個線標識包括指示第m線的第一標識41a，指示第(m+n)線的第二標識41b以及指示第(m+(p-1)n)線的第p標識。p個線標識可以布置成與線l1_1相鄰。參照圖6b中的線組g1的一部分的放大圖，與第一線組g1的第一線l1_1相鄰地顯示指示1,1+n,...,1+(p-1)n的線標識41。此外，與第一線組g1的第二線l1_2相鄰地顯示指示2,2+n,...,2+(p-1)n的線標識。參照圖6b中的線組g2的一部分的放大圖。與使用相同掩模形成的第二線組g2的第一線l2_1相鄰地顯示指示1,1+n,...，1+(p-1)n的線標識。此外，與第二線組g2的第二線l2_2相鄰地顯示指示2,2+n,...，2+(p-1)n的線標識。此處，第一線組g1的第一線l1_1需要由表示1的線標識41a來標識，并且第二線組g2的第一線l2_1需要由表示1+n的線標識41b來標識。

也就是說，在陣列基板上存在具有多個相同標識的多條線(第m條線)。因此，需要識別特定線屬于哪個線組。可以基于由缺陷檢測器獲得的位置信息來確定特定線屬于哪個線組。

缺陷檢測器提取有缺陷的線相對于陣列基板的預定參照坐標的相對位置。如果基于提取的相對位置確定有缺陷的線設置在第一線組至第p線組中的第s線組(此處，s是等于或小于p的自然數(shù))中，則將在確定存在有缺陷的線的第s線組中的第(m+(s-1)n)標識確定為針對有缺陷的線的標識。

具體地，將參照圖6c描述用于確定多個線標識中的哪個線標識是針對線的真實線標識的方法。例如，第一線組至第p線組沿陣列基板上的垂直方向從頂部到底部按順序設置，以及圖6c示出p為2的情況。參照圖6c，陣列基板100包括第一線組g1和第二線組g2。在這種情況下，如果檢測到的有缺陷的線的位置f1確定為在從陣列基板100的中心的下側，則有缺陷的線可以確定為設置在第二線組g2中的第102行

此外，在圖6c中，如果檢測到的有缺陷的線的位置f2確定為在從陣列基板100的中心的上側，則有缺陷的線可以確定為設置在第一線組g1中的第二線。因此，即使通過重復使用具有有限大小的掩模來形成線和與該線相鄰的線標識，也可以準確地指定有缺陷的線，因為提供了多個線標識。

根據(jù)本公開的一個方面，如果包括多個線標識的信號線是偏壓線，則該線可以連接到閉環(huán)形地線。圖6a是示意性地示出根據(jù)本公開的一個方面的包括連接到閉環(huán)形地線的偏壓線的陣列基板的平面圖。圖7是圖6a所示的陣列基板的虛線橢圓形區(qū)域的放大圖。

在x射線檢測器的陣列基板中，僅以閉環(huán)形式提供施加反向電壓的偏壓線。因此，當在偏壓線中感應出正極性esd(靜電放電)時，不存在靜電放電路徑。然而，根據(jù)本公開的上述方面，連接偏壓線28和esd電路52的地線51形成為如圖6a和圖7所示的閉環(huán)形狀。因此，即使在偏壓線28中感應出正極性esd，正極性esd也轉移到接地線51，以不影響陣列基板100的內部(即，有源區(qū))。

根據(jù)本公開的一個方面，如果線是偏壓線，則偏壓線可以與柵極線和數(shù)據(jù)線中的任一個交疊。

在x射線檢測器的陣列基板中，偏壓線設置為穿過像素區(qū)的中間。因此，隨著開口率減小，填充因子減小。

圖8是根據(jù)本公開的示例性方面的偏壓線28設置在柵極線上的陣列基板的一部分的平面圖。圖9是沿圖8的線a-b截取的陣列基板的截面圖，以及圖10是沿圖8的線c-d截取的陣列基板的截面圖。參照圖8和圖9，偏壓線28設置為與柵極線15或數(shù)據(jù)線14(圖4所示)交疊。更具體地，偏壓線28通過第三絕緣層18中的孔53連接到設置在柵極線15上的上電極27的一個區(qū)域。由于柵極線15或數(shù)據(jù)線14設置在非開口區(qū)域，因此偏壓線28也設置在非開口區(qū)域中。因此，在本公開中可以解決上述問題并且可以實現(xiàn)高開口率。此外，隨著填充因子增加，可以改善qe(外部品質因子)。

此外，如上所述，傳統(tǒng)偏壓線設置為穿過像素區(qū)的中間。因此，面板的開口率減小，并且像素區(qū)分成兩部分，使得可能發(fā)生分辨率干擾。

圖11是根據(jù)本公開的一個方面的偏壓線設置在光敏部的外周的陣列基板的一部分的平面圖。如圖11所示，根據(jù)本公開的一個方面，如果線是偏壓線28，則偏壓線28設置在陣列基板的光敏部的外周。因此，像素區(qū)不被分離，使得可以抑制分辨率干擾的發(fā)生。此外，可以獲得高開口率，使得可以實現(xiàn)高填充因子性能。

本公開的x射線檢測器包括上述本公開的x射線檢測器的陣列基板100(在下文中返回參照圖2至圖5)。

因此，省略了在上述描述的范圍內冗余的其構形和效果的詳細描述。

設置在本公開的x射線檢測器中的光敏部200用于將光信號轉換為電檢測信號。此處，光信號以通過稍后將描述的光轉換部轉換成可見光波長范圍的狀態(tài)入射。在光敏部中流動的電流量根據(jù)光的透射率而變化。具體地，光敏部200可以是pin二極管。

光敏部200包括陣列基板100的下電極26，在下電極26上的光導層25，以及在光導層25上的上電極27。光導層25可以包括以下中的一種：摻雜有n型雜質的n型半導體層，不含有雜質的本征半導體層和摻雜有p型雜質的p型半導體層。

光敏部200的下電極26電連接到薄膜晶體管30的漏電極24。上電極27電連接到向其施加偏壓的偏壓線28。

設置在本公開的x射線檢測器中的光轉換部300設置在光敏部200的上部，并且更具體地，設置在陣列基板100的第四絕緣層19上。

光轉換部300將從x射線發(fā)生器穿過對象入射的x射線轉換為在可見光范圍內具有約550nm的波長的綠色光，然后將綠色光朝向像素單元傳送。光轉換部300可以由碘化銫(csi)形成。

本公開的x射線檢測器可以包括具有帶有多個標識的線的陣列基板。因此，可以準確地找出有缺陷的線的位置。因此，可以抑制缺陷泄漏并顯著提高收率。

用于制造本公開的x射線檢測器的陣列基板的方法包括：在基板上形成柵極線，在柵極線上形成有源層，在有源層上形成源/漏電極，在源/漏電極上形成下電極，在下電極上形成光導層和上電極，以及在上電極上形成數(shù)據(jù)線和偏壓線。通過使用配置為在相鄰線之間形成多個線標識的掩模的曝光工藝來形成柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中的至少任一個。

圖12是示意性地示出用于制造本公開的x射線檢測器的陣列基板的掩模的圖。如圖12所示，通過本公開的方法制造的x射線檢測器的陣列基板包括通過使用本公開的掩模60的曝光工藝形成的柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中至少之一。因此，如果在陣列基板的線中發(fā)生缺陷，則陣列基板使得可以準確地跟蹤該線的位置。因此，可以抑制缺陷泄漏，降低rma(退貨許可)成本，并且顯著地提高收率。

根據(jù)本公開的一個方面，掩模60可以包括：線組圖案，其中，從第一線至第n線(n是自然數(shù))的n條線中的每一條布置為沿第一方向延伸，并且第一線至第n線沿著與第一方向垂直的第二方向順序排列并且彼此間隔開；以及布置在線組圖案的第m(m是等于或小于n的自然數(shù))線旁邊的多個線標識圖案。根據(jù)上述方面，用于曝光工藝的掩模60包括n條線、線組圖案和多個線標識圖案。因此，當在陣列基板上形成線時，也形成多個線標識，使得可以準確地跟蹤有缺陷的線的位置。

根據(jù)本公開的一個方面，使用掩模形成的多個線標識中的每一個可以包括數(shù)字、字母、符號和形狀中至少之一。

圖13是示意性地示出根據(jù)本公開的一個方面的通過移位掩模來執(zhí)行曝光的工藝的圖。如圖13所示，根據(jù)本公開的一個方面，可以通過將掩模60移位若干次來形成柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中至少之一。

也就是說，通過移位包括多個線標識圖案的掩模60來在基礎基板上形成本公開的陣列基板100。因此，即使在拼接曝光方法的情況下，也可以準確地檢測有缺陷的線的位置，而不會由標識造成混亂。

用于制造本公開的x射線檢測器的方法包括上述用于制造x射線檢測器的陣列基板的方法。

通過本公開的方法制造的x射線檢測器使用配置為形成多個線標識的掩模60來曝光。因此，如果在陣列基板的線中發(fā)生缺陷，則可以準確地跟蹤線的位置。因此，可以抑制缺陷泄漏。此外，可以減少rma(退貨許可)成本并且顯著地提高收率。

如果必要，用于制造本公開的x射線檢測器的陣列基板的方法或用于制造x射線檢測器的方法還可以包括在不脫離本公開的目的的范圍內本領域通常已知的其他步驟。

本公開的示例性方面還可以描述為如下：

根據(jù)本公開的一個方面，x射線檢測器的陣列基板可以包括：沿第一方向延伸的第一線、沿第一方向延伸并且與第一線間隔開的第二線、以及布置在第一線和第二線之間的多個線標識。

多個線標識中的每一個可以包括數(shù)字、字母、符號和形狀中至少之一。

所述線可以是柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中的任一個。

根據(jù)本公開的另一方面，x射線檢測器的陣列基板可以包括：線組，其中從第一線至第n線(n是自然數(shù))的n條線中的每一條沿第一方向延伸，并且第一線至第n線沿與第一方向垂直的第二方向排列并且彼此間隔開；以及布置在線組的第m線旁邊的多個線標識(m是等于或小于n的自然數(shù))。多個線標識可以包括包含編號m的第一標識和包含編號(m+n)的第二標識。

根據(jù)本公開的又一方面，x射線檢測器的陣列基板可以包括：線組，其中從第一線至第n線(n是自然數(shù))的n條線中的每一條沿第一方向延伸，并且第一線至第n線沿與第一方向垂直的第二方向排列并且彼此間隔開；以及布置在線組的第m線旁邊的多個線標識(m是等于或小于n的自然數(shù))。多個線標識可以包括包含編號m的第一標識和包含編號(m+n)的第二標識。

根據(jù)本公開的又一方面，x射線檢測器的陣列基板可以包括：包含多條線的第一線至第n線(n是自然數(shù))的組。多條線可以沿第一方向延伸且彼此間隔開，并且可以在邊向側上包括n個標識。

包括在第一線至第n線的組中的多條線中的第x線可以包括彼此相同的n個線標識。

本公開的x射線檢測器可以包括x射線檢測器的陣列基板。

根據(jù)本公開的再一方面，一種用于制造x射線檢測器的陣列基板的方法可以包括：在基板上形成柵極線，在柵極線上形成有源層，在有源層上形成源/漏電極，在源/漏電極上形成下電極，在下電極上形成光導層和上電極，以及在上電極上形成數(shù)據(jù)線和偏壓線。柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中的至少任一個可以通過使用配置為在相鄰線之間形成多個線標識的掩模的曝光工藝形成。

掩模可以包括：線組圖案，其中從第一線至第n線(n是自然數(shù))的n條線中的每一條布置成沿第一方向延伸，并且第一線至第n線沿垂直于第一方向的第二方向彼此間隔開地排列；以及布置在線組圖案的第m線(m是等于或小于n的自然數(shù))旁邊的多個線標識圖案。

根據(jù)本公開的一個方面，可以通過將掩模移位若干次來形成柵極線、數(shù)據(jù)線和偏壓線中的至少任一個。

用于制造本公開的x射線檢測器的方法可以包括用于制造x射線檢測器的陣列基板的方法。

應當理解，上述的本公開的各方面應當僅以描述性的意義來看，而不是為了限制的目的。此外，本領域普通技術人員將要理解，在不脫離本公開的各方面的精神和范圍的情況下，可以在其中進行各種其他修改和應用。例如，在本公開的各方面中詳細示出的各個組件可以在被修改時被執(zhí)行。此外，應當理解，與修改和應用相關的差異包括在本公開的由所附權利要求限定的范圍內。