1.一種基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）冰水浴條件下，將六水合二氯化鎳水溶液滴入胺鹽有機(jī)溶液中，然后調(diào)節(jié)體系pH 值為7；然后攪拌反應(yīng)6小時(shí)，制備有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物；所述胺鹽為1,2,4,5-苯四胺四鹽酸鹽或者3,3'-二氨基聯(lián)苯胺四鹽酸鹽；
（2）將有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物飽和溶液涂于基底上，制備有機(jī)膜層；然后在有機(jī)膜層上制備電極，得到基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，六水合二氯化鎳與胺鹽的摩爾比為1∶1；所述胺鹽有機(jī)溶液中，溶劑為DMF；用氨水調(diào)節(jié)體系pH 值為7。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物飽和溶液中，溶劑為DMSO；采用旋涂法將有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物飽和溶液涂于基底上；采用蒸鍍法在有機(jī)膜層上制備電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，制備有機(jī)膜層的條件為150℃真空退火4 h；旋涂時(shí)轉(zhuǎn)速為1000～3000 r/min，時(shí)間為6～20s；蒸鍍時(shí)壓力為5×10-4 Pa，速率為2 A/s。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述基底為ITO玻璃；所述有機(jī)膜層的厚度為80～100 nm；所述電極的厚度為80～100 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件的制備方法制備的基于一維有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物鏈的電存儲(chǔ)器件。
7. 一種有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟，冰水浴條件下，將六水合二氯化鎳水溶液滴入胺鹽有機(jī)溶液中，然后調(diào)節(jié)體系pH 值為7；然后攪拌6小時(shí)，制備有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物；所述胺鹽為1,2,4,5-苯四胺四鹽酸鹽或者3,3'-二氨基聯(lián)苯胺四鹽酸鹽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法制備的有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物。
9.權(quán)利要求8所述有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物在制備電存儲(chǔ)器件中的應(yīng)用。
10.權(quán)利要求8所述有機(jī)無(wú)機(jī)雜化聚合物作為電存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)材料的應(yīng)用。