本發(fā)明涉及一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件，可以降低目前自旋邏輯器件在產(chǎn)生和檢測自旋信號時(shí)由于翻轉(zhuǎn)鐵磁層而產(chǎn)生的功耗，屬于自旋邏輯器件
技術(shù)領(lǐng)域：
。
背景技術(shù)：
：隨著市場對芯片集成度的需求越來越高，單位硅片面積集成的電子器件(如晶體管)數(shù)目依據(jù)摩爾定律快速增長。然而，隨著器件尺寸進(jìn)一步縮小到深亞微米至納米尺寸時(shí)，由量子效應(yīng)所引起的漏電流占據(jù)漏極飽和電流的很大部分，而這部分漏電流會造成高功耗、低能量利用率以及低可靠性等后果，極大地限制了集成電路性能的提升。因此在深亞微米工藝節(jié)點(diǎn)及以下，摩爾定律將不再適用于傳統(tǒng)晶體管技術(shù)。自旋電子技術(shù)被廣泛認(rèn)為是“后CMOS時(shí)代”實(shí)現(xiàn)“三高一低”(高密度、高速、高可靠性和低功耗)需求的重要技術(shù)。傳統(tǒng)自旋電子學(xué)器件通過控制磁性材料的磁化方向?qū)崿F(xiàn)對信息的存儲，可以使存儲數(shù)據(jù)掉電不揮發(fā)，從而克服當(dāng)前計(jì)算系統(tǒng)的靜態(tài)功耗問題，但是數(shù)據(jù)在傳輸和邏輯計(jì)算中需要在電狀態(tài)和磁狀態(tài)之間的頻繁轉(zhuǎn)換，無法解決大數(shù)據(jù)傳輸?shù)膭討B(tài)功耗問題。自旋邏輯器件的概念應(yīng)運(yùn)而生。當(dāng)前的自旋邏輯器件主要基于自旋轉(zhuǎn)移力矩的原理，核心是利用磁性隧道結(jié)實(shí)現(xiàn)非易失性存儲，通過橫向自旋閥實(shí)現(xiàn)純自旋流的注入、輸運(yùn)和檢測，以純自旋流作為信息傳輸與調(diào)控的載體實(shí)現(xiàn)自旋邏輯運(yùn)算。但是目前采用鐵磁電極/自旋輸運(yùn)溝道材料搭接的結(jié)構(gòu)，通過電流極化產(chǎn)生自旋流的方法效率不高，一般低于10％，導(dǎo)致器件功耗仍然高于傳統(tǒng)的CMOS器件。近幾年來，自旋-軌道耦合效應(yīng)引起了廣泛關(guān)注。借助這種效應(yīng)可以在兩種非鐵磁材料界面產(chǎn)生電流到自旋流或者自旋流到電流的轉(zhuǎn)化，并且效率較高，為設(shè)計(jì)新型的自旋邏輯器件提供了可能。2015年，Intel提出了一種帶磁電結(jié)的自旋軌道邏輯器件。其輸出端利用到了IREE(inverseRashba-Edelsteineffect，一種自旋軌道耦合效應(yīng))，將自旋流轉(zhuǎn)化為電流并輸出。但是由于設(shè)計(jì)的器件需要頻繁地進(jìn)行自旋流與電流之間的轉(zhuǎn)化，并且產(chǎn)生自旋流的方式依然是傳統(tǒng)的借助鐵磁材料的自旋相關(guān)散射的方式，效率不高。因此，相對于傳統(tǒng)的CMOS器件以及自旋邏輯器件，Intel提出的自旋軌道器件并不具備優(yōu)越的性能。如何利用自旋軌道耦合效應(yīng)，盡可能減少自旋流和電流之間的相互轉(zhuǎn)化以及鐵磁材料的使用，是設(shè)計(jì)新型自旋軌道耦合器件的關(guān)鍵點(diǎn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：1.發(fā)明目的:針對上述背景提到的基于自旋轉(zhuǎn)移力矩的自旋邏輯器件以及Intel提出的自旋軌道器件存在的高功耗缺點(diǎn)，結(jié)合自旋軌道耦合效應(yīng)的優(yōu)勢，本發(fā)明提供了一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件。它克服了自旋注入時(shí)產(chǎn)生的高功耗問題，盡可能少的使用鐵磁材料，并且可以通過多種方式進(jìn)行信號的長距離傳輸，實(shí)現(xiàn)了低功耗設(shè)計(jì)。2.技術(shù)方案：本發(fā)明是一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件，其技術(shù)方案說明如下：該自旋邏輯器件由輸入端即非鐵磁自旋注入端、自旋輸運(yùn)溝道、自旋放大部分、自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)以及輸出端(數(shù)據(jù)存儲端)組成。該自旋邏輯器件的輸入端，即非鐵磁自旋注入端，其結(jié)構(gòu)自上而下分別為非鐵磁材料/非鐵磁材料/基底，或者非鐵磁材料/隔離層/非鐵磁材料/基底；輸入端兩種非鐵磁材料的其中一種可以作為純自旋流擴(kuò)散的溝道。在輸入端向兩種非鐵磁材料的界面處注入電流，由于自旋軌道耦合效應(yīng)，在界面處發(fā)生電流到自旋流的轉(zhuǎn)化從而產(chǎn)生自旋流。當(dāng)將注入的電流反向時(shí)，將產(chǎn)生不同極化方向的自旋流，從而可以表征出邏輯“0”和“1”。為了加強(qiáng)自旋流-電流相互轉(zhuǎn)化的效果，在這兩種非鐵磁材料之間可以再加一層非鐵磁材料作為隔離層(interface)。輸入端可以是單端或者多端輸入，在同一個(gè)自旋輸運(yùn)溝道中也可以進(jìn)行多個(gè)信號的自旋注入。自旋輸運(yùn)溝道中，通過純自旋流的方式進(jìn)行計(jì)算。由于自旋流在自旋輸運(yùn)溝道中的擴(kuò)散衰減比電流在線路中的衰減大，因此當(dāng)自旋流需要進(jìn)行長距離輸運(yùn)時(shí)，可以在自旋輸運(yùn)溝道中的適當(dāng)位置，注入與輸運(yùn)的自旋流極化方向相同的自旋流以對自旋信號進(jìn)行放大，或者可以利用自旋流-電流轉(zhuǎn)化結(jié)構(gòu)將自旋流轉(zhuǎn)化為電流，在需要進(jìn)行純自旋流計(jì)算時(shí)再借助輸入端中的方式轉(zhuǎn)化為自旋流。自旋放大部分的基本結(jié)構(gòu)與輸入端基本結(jié)構(gòu)一致。自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，從上至下分別是非鐵磁材料/非鐵磁材料/基底，或者非鐵磁材料/隔離層/非鐵磁材料/基底。其中這兩種非鐵磁材料的一種作為自旋流輸運(yùn)的溝道。由于自旋軌道耦合效應(yīng)，輸運(yùn)而來的自旋流將在兩種非鐵磁材料的界面處或者隔離層處發(fā)生自旋流-電流轉(zhuǎn)化，從而產(chǎn)生電流并通過互連線傳輸。當(dāng)輸運(yùn)的自旋流極化方向相反時(shí)，產(chǎn)生的電流的方向也相反。所述互連線可以是任意導(dǎo)體或者拓?fù)浣^緣體。該自旋邏輯器件的輸出端，自上而下由磁性隧道結(jié)、自旋輸運(yùn)溝道和基底組成，其中磁性隧道結(jié)包括自由層、隧穿層和固定層。從前級電路輸運(yùn)過來的自旋流，擴(kuò)散到磁性隧道結(jié)的自由層，使自由層翻轉(zhuǎn)，從而利用磁性隧道結(jié)對數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲，實(shí)現(xiàn)電路的非易失性。輸出端可以是單端或者多端輸出。所述的兩種非鐵磁材料，一種是任意一種具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料，如鉍、三氧化二鉍、拓?fù)浣^緣體和MX2等；另一種是任意一種具有弱自旋軌道耦合效應(yīng)的材料，可以是銀、銅、石墨烯等。其中MX2是二維半導(dǎo)體MX2材料，如二硫化鉬、二硫化鎢等。所述的隔離層(interface)的材料可以是氧化鎂及氧化鋁等氧化物。所述基底包括但不限于硅片、氮化硼、石英片或其他絕緣襯底。所述的自旋輸運(yùn)溝道的材料可以是金屬納米線、半導(dǎo)體硅、碳納米管、石墨烯、硅烯、二硫化鉬或其他低維材料中的一種。所述的磁性隧道結(jié)可以是面內(nèi)或者垂直各向異性的。同時(shí)，磁性隧道結(jié)固定層的磁化方向在不同節(jié)點(diǎn)不需要保持一致。3.優(yōu)點(diǎn)和功效：本發(fā)明提供一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件，其優(yōu)點(diǎn)及功效在于：該發(fā)明盡可能少地使用鐵磁材料，克服了自旋注入時(shí)產(chǎn)生的高功耗問題，實(shí)現(xiàn)了低功耗設(shè)計(jì)；并且通過自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)可以進(jìn)行信號的長距離傳輸，也方便拓展材料體系。附圖說明圖1-1是該自旋邏輯器件非鐵磁自旋注入端的一種結(jié)構(gòu)示意圖(選取下面的非鐵磁材料作為自旋輸運(yùn)溝道)。圖1-2是圖1-1所示自旋邏輯器件在非鐵磁自旋注入端加入隔離層后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1-3是該自旋邏輯器件非鐵磁自旋注入端的另一種結(jié)構(gòu)示意圖(選取上面的非鐵磁材料作為自旋輸運(yùn)溝道)。圖1-4是圖1-3所示自旋邏輯器件在非鐵磁自旋注入端加入隔離層后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2-1是該自旋邏輯器件在同一自旋輸運(yùn)溝道進(jìn)行三個(gè)信號注入的一種電路結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)“與”和“或”操作。圖2-2在圖2-1的基礎(chǔ)上加入了隔離層。圖3-1是該自旋邏輯器件的一種自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)(不加隔離層)。圖3-2是該自旋邏輯器件的另一種自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)(不加隔離層，自旋輸運(yùn)溝道的相對位置與圖3-1不同)。圖4是該自旋邏輯器件輸出端一種結(jié)構(gòu)，采用磁性隧道結(jié)進(jìn)行存儲。磁性隧道結(jié)可以是面內(nèi)或者垂直各向異性的。圖5-1是該自旋邏輯器件整體結(jié)構(gòu)的一個(gè)示意圖。圖5-2是該自旋邏輯器件整體結(jié)構(gòu)的一個(gè)拓展示意圖，自旋流轉(zhuǎn)化為電流以后不直接作為下一級的輸入，而是先利用電流信號進(jìn)行長距離的輸運(yùn)。對于不同的材料體系，以及對于不同的自旋流-電流相互轉(zhuǎn)化的機(jī)理，相同條件下產(chǎn)生自旋流或者電流的方向不同，故圖中標(biāo)出的所有自旋流、電流信號的方向僅作為參考。圖中參數(shù)定義為：A非鐵磁自旋注入端B自旋輸運(yùn)溝道C基底D自旋放大部分E自旋流－電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)F數(shù)據(jù)存儲端1第一非鐵磁材料2隔離層(interface)3第二非鐵磁材料4基底5磁性隧道結(jié)自由層6磁性隧道結(jié)隧穿層7磁性隧道結(jié)固定層附圖中Jc指輸入或者通過自旋流-電流轉(zhuǎn)化產(chǎn)生的電流；Js是指自旋流；Input1，Input2，…，InputN1和InputN2指輸入端1，2，…，N1和N2。具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件器件。參照附圖，進(jìn)一步說明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)。附圖均為示意圖，其中涉及的各功能層或區(qū)域的厚度，面積與體積等參數(shù)并非實(shí)際尺寸。本發(fā)明一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件，其技術(shù)方案說明如下：該自旋邏輯器件由輸入端即非鐵磁自旋注入端A、自旋輸運(yùn)溝道B、自旋放大部分D、自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)E以及輸出端F(數(shù)據(jù)存儲端)組成。該自旋邏輯器件的輸入端，即非鐵磁自旋注入端A，其結(jié)構(gòu)自上而下分別為第一非鐵磁材料1/第二非鐵磁材料3/基底4，或者第一非鐵磁材料1/隔離層2/第二非鐵磁材料3/基底4；輸入端兩種非鐵磁材料的其中一種可以作為純自旋流擴(kuò)散的溝道。在輸入端向兩種非鐵磁材料的界面處注入電流，由于自旋軌道耦合效應(yīng)，在界面處發(fā)生電流到自旋流的轉(zhuǎn)化從而產(chǎn)生自旋流。當(dāng)將注入的電流反向時(shí)，將產(chǎn)生不同極化方向的自旋流，從而可以表征出邏輯“0”和“1”。為了加強(qiáng)自旋流-電流相互轉(zhuǎn)化的效果，在這兩種非鐵磁材料之間可以再加一層非鐵磁材料作為隔離層(interface)。輸入端可以是單端或者多端輸入，在同一個(gè)自旋輸運(yùn)溝道中也可以進(jìn)行多個(gè)信號的自旋注入。自旋輸運(yùn)溝道中，通過純自旋流的方式進(jìn)行計(jì)算。由于自旋流在自旋輸運(yùn)溝道中的擴(kuò)散衰減比電流在線路中的衰減大，因此當(dāng)自旋流需要進(jìn)行長距離輸運(yùn)時(shí)，可以在自旋輸運(yùn)溝道中的適當(dāng)位置，注入與輸運(yùn)的自旋流極化方向相同的自旋流以對自旋信號進(jìn)行放大，或者可以利用自旋流-電流轉(zhuǎn)化結(jié)構(gòu)將自旋流轉(zhuǎn)化為電流，在需要進(jìn)行純自旋流計(jì)算時(shí)再借助輸入端中的方式轉(zhuǎn)化為自旋流。自旋放大部分的基本結(jié)構(gòu)與輸入端基本結(jié)構(gòu)一致。自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，從上至下分別是第一非鐵磁材料1/第二非鐵磁材料3/基底4，或者第一非鐵磁材料1/隔離層2/第二非鐵磁材料3/基底4。其中這兩種非鐵磁材料的一種作為自旋流輸運(yùn)的溝道。由于自旋軌道耦合效應(yīng)，輸運(yùn)而來的自旋流將在兩種非鐵磁材料的界面處或者隔離層處發(fā)生自旋流-電流轉(zhuǎn)化，從而產(chǎn)生電流并通過互連線傳輸。當(dāng)輸運(yùn)的自旋流極化方向相反時(shí)，產(chǎn)生的電流的方向也相反。所述互連線可以是任意導(dǎo)體或者拓?fù)浣^緣體。該自旋邏輯器件的輸出端，自上而下由磁性隧道結(jié)、自旋輸運(yùn)溝道和基底組成，其中磁性隧道結(jié)包括自由層、隧穿層和固定層。從前級電路輸運(yùn)過來的自旋流，擴(kuò)散到磁性隧道結(jié)的自由層，使自由層翻轉(zhuǎn)，從而利用磁性隧道結(jié)對數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲，實(shí)現(xiàn)電路的非易失性。輸出端可以是單端或者多端輸出。所述的輸入端的兩種非鐵磁材料，一種是任意一種具有強(qiáng)自旋軌道耦合效應(yīng)的材料，如鉍、三氧化二鉍、拓?fù)浣^緣體和MX2等；另一種是任意一種具有弱自旋軌道耦合效應(yīng)的材料，可以是銀、銅、石墨烯等。其中MX2是二維半導(dǎo)體MX2材料，如二硫化鉬、二硫化鎢等。所述的隔離層(interface)的材料可以是氧化鎂及氧化鋁等氧化物。所述基底包括但不限于硅片、氮化硼、石英片或其他絕緣襯底。關(guān)于基底，別的材料，比如說自旋輸運(yùn)溝道，甚至是部分非鐵磁材料需要生長在基底上，因此不論是輸入端，溝道材料還是輸出端的材料都需要生長在基底上、文中所有的基底都是指同一結(jié)構(gòu)，只不過由于由于在基底上生長的材料可能不同，因此在電路中不同部分選用的基底材料也可能不同，但基本結(jié)構(gòu)不變。文中不對基底的具體材料作區(qū)分，統(tǒng)一用基底來說明。所述的自旋輸運(yùn)溝道的材料可以是金屬納米線、半導(dǎo)體硅、碳納米管、石墨烯、硅烯、二硫化鉬或其他低維材料中的一種。所述的磁性隧道結(jié)可以是面內(nèi)或者垂直各向異性的。同時(shí)，磁性隧道結(jié)固定層的磁化方向在不同節(jié)點(diǎn)不需要保持一致。在此公開了詳細(xì)的示例性實(shí)施例，其特定的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)和功能細(xì)節(jié)僅是描述特定實(shí)施例的目的，因此，可以以許多可選擇的形式來實(shí)施本發(fā)明，即一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件。且本發(fā)明不應(yīng)該被理解為僅僅局限于在此提出的示例實(shí)施例，而是應(yīng)該覆蓋落入本發(fā)明一種基于非鐵磁材料的超低功耗自旋邏輯器件器件范圍內(nèi)的所有變化、等價(jià)物和可替換物。另外，將不會詳細(xì)描述或?qū)⑹÷员景l(fā)明的眾所周知的元件，器件與子電路，以免混淆本發(fā)明的實(shí)施例的相關(guān)細(xì)節(jié)。為所有的附圖建立如附圖1中所示的坐標(biāo)系，x軸正方向向右，y軸正方向向里，z軸正方向向上。圖1-1是該自旋邏輯器件自旋注入端的一種結(jié)構(gòu)示意圖(選取下面的非鐵磁材料作為自旋輸運(yùn)溝道)。從上至下分別是第一非鐵磁材料1/第二非鐵磁材料3(作為自旋輸運(yùn)溝道)/基底4。當(dāng)向兩種非鐵磁材料的界面處注入-y方向的電流(電子運(yùn)動方向?yàn)?y方向)時(shí)，由于自旋軌道耦合效應(yīng)，在界面處發(fā)生電流到自旋流的轉(zhuǎn)化從而產(chǎn)生自旋流，自旋極化方向?yàn)?x方向。由于存在濃度差，產(chǎn)生的自旋流將沿著+x方向擴(kuò)散。如果注入端的電流反向，那么將得到不同極化方向的自旋流(擴(kuò)散方向不變)，從而可以表征出邏輯“0”和“1”。由于可以在兩種非鐵磁材料之間加入隔離層，因此注入端的結(jié)構(gòu)也可以為圖1-2。在考慮到電路結(jié)構(gòu)的相對位置，圖1-3和圖1-4也都是注入端可能的結(jié)構(gòu)。并且由于相對位置的不同，在所加的電流方向一樣時(shí)，圖1-3和圖1-4產(chǎn)生的自旋流的極化方向與圖1-1和圖1-2不同。圖2為基于本發(fā)明的一種門電路的結(jié)構(gòu)示意圖，可以實(shí)現(xiàn)“與”和“或”操作。下面進(jìn)行詳細(xì)分析：在圖2-1所示的門電路的結(jié)構(gòu)中，在同一個(gè)自旋輸運(yùn)溝道內(nèi)可以進(jìn)行三個(gè)信號的自旋注入。當(dāng)在自旋注入端通入-y方向的電流時(shí)，將產(chǎn)生自旋極化方向?yàn)?x方向(自旋向左)的自旋流擴(kuò)散到自旋輸運(yùn)溝道中，并從左往右擴(kuò)散；當(dāng)電流反向時(shí)，將產(chǎn)生自旋極化方向?yàn)?x方向(自旋向右)的自旋流擴(kuò)散到自旋輸運(yùn)溝道中，從左往右擴(kuò)散。將自旋向右的自旋流編碼為邏輯“1”，將自旋向左的自旋流編碼為邏輯“0”。假設(shè)每一個(gè)輸入端通入電流后，產(chǎn)生的自旋流的強(qiáng)度完全一樣?，F(xiàn)選取輸入端3(圖中Input3)為輸入控制端(即在整個(gè)過程中此輸入端恒定輸入某一種信號，以實(shí)現(xiàn)對電路功能的控制)。當(dāng)控制端始終通入沿-y方向的電流，即控制端始終輸入為邏輯“0”時(shí)，此時(shí)電路的真值表如下表1-1所示，可以看出電路實(shí)現(xiàn)了“與”的功能；當(dāng)控制端始終通入沿+y方向的電流，即控制端始終輸入為邏輯“1”時(shí)，此時(shí)電路的真值表如下表1-2所示，可以看出電路實(shí)現(xiàn)了“或”的功能。圖2-2是在圖2-1的基礎(chǔ)上增加了隔離層。除了這兩種結(jié)構(gòu)以外，考慮到電路結(jié)構(gòu)的相對位置還應(yīng)有別的結(jié)構(gòu)，此處不再給出。Input1Input2Input3/ControlOutput0000010010001101表1-1Input1Input2Input3/ControlOutput0010011110111111表1-2圖3-1是該自旋邏輯器件一種自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。沿+x方向擴(kuò)散的自旋極化方向?yàn)?x方向的自旋流，在兩種非鐵磁材料的界面處發(fā)生自旋流到電流的轉(zhuǎn)化，產(chǎn)生沿+y方向的電流，并通過互連線進(jìn)行傳輸。由于選擇不同的非鐵磁材料，產(chǎn)生的電流的方向也不同，本圖中所給的方向只是其中一種情況。圖3-2是考慮了電路結(jié)構(gòu)的相對位置的另一種自旋流-電流轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。圖3-1和圖3-2都未加隔離層，因此除了圖中給出的，加入了隔離層的結(jié)構(gòu)也應(yīng)納入本專利的范疇。圖4是該自旋邏輯器件一種輸出端結(jié)構(gòu)示意圖。采用磁性隧道結(jié)對數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。由于實(shí)際應(yīng)用中通過磁性隧道結(jié)的電阻高低來表征數(shù)據(jù)，例如自由層與固定層磁化方向相同時(shí)，磁性隧道結(jié)為小電阻，表示數(shù)據(jù)“1”，而自由層與固定層磁化方向相反時(shí)，磁性隧道結(jié)為大電阻，表示數(shù)據(jù)“0”，那么在不同的節(jié)點(diǎn)處的磁性隧道結(jié)固定層的磁化方向不必保持一致以擴(kuò)展電路功能。例如對于圖4的結(jié)構(gòu)，只要將磁性隧道結(jié)固定層的磁化方向反向，那么此輸出端的功能相對于原輸出端就有一個(gè)取“非”的效果。圖5-1是該自旋邏輯器件整體結(jié)構(gòu)的一個(gè)示意圖。上一級電路完成運(yùn)算后的自旋流，通過自旋流-電流轉(zhuǎn)化結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為電流再作為下一級電路的一個(gè)輸入端。當(dāng)然，也可以直接將上一級的自旋流信號輸出，作為下一級的某一個(gè)輸入。但是這樣的轉(zhuǎn)換，對于自旋輸運(yùn)距離不是特別長的材料體系，例如銀，是有必要的。因此，該自旋邏輯器件有利于拓展現(xiàn)有自旋邏輯器件的材料體系(不僅僅局限于石墨烯)。圖5-2是該自旋邏輯器件整體結(jié)構(gòu)的一個(gè)拓展示意圖。自旋流轉(zhuǎn)化為電流以后不直接作為下一級的輸入，而是先利用電流信號進(jìn)行長距離的輸運(yùn)。當(dāng)前第1頁1 2 3