技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法，器件包括：基板，在所述基板上設(shè)置有導(dǎo)電層，在所述導(dǎo)電層上依次沉積有空穴傳輸層、第一量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層、第二量子點(diǎn)發(fā)光層及氧化石墨烯層；增強(qiáng)了量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件效率，能夠及時(shí)散出熱量，增強(qiáng)了量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉佳;曹蔚然
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TCL集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201611178062
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.19
技術(shù)公布日：2017.06.16