1.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
A、在玻璃基底上采用電弧等離子體鍍法沉積至少三層鎳磷合金薄膜層；
B、采用真空蒸鍍在鎳磷合金薄膜層上沉積石墨烯薄膜層；
C、將步驟B的產(chǎn)物放入去離子水中靜置至少30分鐘；
D、將其從去離子水中取出，在180°~260°的環(huán)境下進(jìn)行干燥；
E、干燥完畢后將產(chǎn)物放如反應(yīng)釜中，加入2,2′-偶氮二異丁脒二氯化氫，石墨烯和分散劑；攪拌4小時(shí)后洗滌，真空干燥，冷藏60分鐘；
F、取出冷藏后的產(chǎn)物，進(jìn)行超聲清洗至少60分鐘；
G、取出超聲清洗后的產(chǎn)物，對其表面鍍鈀鎳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所輸?shù)囊环N導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述真空蒸鍍采用的基材包括BOPET、BONY、BOPP、PE和PVC。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所輸?shù)囊环N導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述去離子水的電導(dǎo)率小于2us/cm， pH在6~8之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所輸?shù)囊环N導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述分散劑為聚丙乙烯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所輸?shù)囊环N導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述玻璃基地的厚度為50μm~200μm。