1.一種金剛石與GaN晶圓片進(jìn)行直接鍵合的方法，該方法包括如下步驟：(1)對金剛石和GaN表面進(jìn)行有機(jī)清洗、RCA清洗；(2)對GaN表面進(jìn)行O2氣等離子體處理；(3)對金剛石表面進(jìn)行H2氣等離子處理；(4)將兩者在無水乙醇中進(jìn)行貼合；(5)將貼合好的樣品放置在鍵合機(jī)中進(jìn)行高溫真空環(huán)境下的鍵合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所示的一種金剛石與GaN晶圓片進(jìn)行直接鍵合的方法，其特征在于步驟(2)中對GaN表面進(jìn)行氧氣等離子體處理的工藝條件為：O2＝30sccm，RF功率為50W，壓力為2Par。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所示的一種金剛石與GaN晶圓片進(jìn)行直接鍵合的方法，其特征在于步驟(3)中對金剛石表面進(jìn)行氫氣等離子體處理的工藝條件為：H2＝10-20sccm，RF功率為60W，壓力為1-2Par。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所示的一種金剛石與GaN晶圓片進(jìn)行直接鍵合的方法，其特征在于步驟(4)中涉及的無水乙醇溶液的溫度為25度，兩個外延片在溶液中完全貼合，縫隙中無氣泡殘留。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所示的一種金剛石與GaN晶圓片進(jìn)行直接鍵合的方法，其特征在于步驟(5)中鍵合的條件是壓力為1-3MPar，環(huán)境條為真空環(huán)境，溫度為300-500度，持續(xù)加壓的時間為1-2小時。