技術(shù)編號：12478067
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種金剛石與氮化鎵進行直接鍵合的方法，應(yīng)用于高功率、高擊穿電壓的第三代半導(dǎo)體器件的性能提升技術(shù)。背景技術(shù)氮化鎵半導(dǎo)體材料相對硅、砷化鎵和磷化銦半導(dǎo)體材料而言，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，它固有的高擊穿場強和高場強下具有的高飽和漂移速度等優(yōu)良特性決定了它將在未來的高頻、高溫、特大功率器件中居領(lǐng)先地位。GaN材料是一種寬禁帶(3.49eV)半導(dǎo)體，它具有電子飽和漂移速度快(2.7×107cm/s)、臨界擊穿場強高(3.3MV/cm)、二維電子氣密度高(15×...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。