文中公開的本發(fā)明涉及支撐基板的旋轉頭、包括該旋轉頭的基板處理裝置和方法。

背景技術：

隨著半導體裝置變得具有高密度、高集成度和高性能，電路圖案的微型化急速出現(xiàn)，因此存在于基板表面的污染物諸如顆粒、有機污染物、金屬污染物等大大影響了生產率和裝置特性。因此，使得用于除去堆積到基板表面的各種污染物的清潔工藝成為半導體制造過程中的重要工藝，并且在半導體制造的每個單元工序之前和之后都進行了用于清洗基板的處理工藝。

同時，在通過向基板供應處理液來處理基板的工藝期間，在分別由卡盤銷或支撐銷支撐的基板的側部或底部進行處理。根據(jù)工藝，可以以各種溫度供應處理液，例如具有高溫的處理液或具有低溫的處理液。

圖1示出了在通過向基板供應處理液來處理基板期間，基板的各個區(qū)域的溫度分布。參考圖1，在通過向基板供應處理液來處理基板期間，卡盤銷和支撐銷與基板接觸的區(qū)域a1-a5具有與基板的其它區(qū)域不同的溫度。據(jù)此，卡盤銷和支撐銷與基板接觸的區(qū)域a1-a5具有清潔效率低于基板的其它區(qū)域的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了包括根據(jù)化學品種類和溫度而具有優(yōu)化的導熱性的卡盤銷或支撐銷的旋轉頭、包括該旋轉頭的基板處理裝置和方法。

此外，本發(fā)明提供了旋轉頭、包括該旋轉頭的基板處理裝置和基板處理方法，其可以通過供應處理液來提高基板處理的工藝效率。

此外，本發(fā)明提供了基板處理裝置和基板處理方法，其可以均勻地處理基板的與卡盤銷和支撐銷接觸的區(qū)域和基板的其它區(qū)域。

本發(fā)明構思的目的不限于上述效果。本領域技術人員從以下說明和本申請中將可以理解本發(fā)明構思的其它目的。

本發(fā)明提供了一種用于支撐基板的旋轉頭。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，旋轉頭可以包括：支撐板，在所述支撐板上放置基板；和卡盤銷，所述卡盤銷設置在所述支撐板中，用于支撐所述基板的側部；其中所述卡盤銷包括外本體和插入到所述外本體中的內本體，所述內本體具有與所述外本體不同的材料，所述外本體和所述內本體分別具有第一材料或第二材料中的任一種，并且所述第一材料和所述第二材料中的一種比所述第一材料和所述第二材料中的另一種具有更低的導熱性和更好的耐熱性。

根據(jù)實施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有樹脂材料。

根據(jù)實施方式，所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述樹脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。

根據(jù)實施方式，其中在所述外本體的側部中形成凹槽，并且所述基板的端部與所述凹槽接觸，并且所述內本體具有桿狀。

根據(jù)實施方式，其中所述外本體被設置成包圍所述內本體的側部和頂部。

根據(jù)實施方式，其中所述外本體被設置成包圍所述內本體的側部，并且所述內本體的頂部處于高于所述外本體的頂部的水平。

根據(jù)實施方式，所述內本體的底部位于所述外本體的內側。

根據(jù)實施方式，所述內本體的所述底部被設置成突出到所述外本體的外部。

根據(jù)實施方式，所述旋轉頭還包括與所述卡盤銷聯(lián)接并位于所述支撐板的內側的卡盤桿、以及用于驅動所述卡盤桿的卡盤銷驅動器，并且其中所述卡盤桿以金屬材料提供。

根據(jù)實施方式，所述外本體具有所述第一材料，并且所述內本體具有所述第二材料。

根據(jù)實施方式，所述外本體具有所述第二材料，并且所述內本體具有所述第一材料。

根據(jù)本發(fā)明的另外的實施方式，旋轉頭可以包括：支撐板，在所述支撐板上放置基板；和支撐銷，所述支撐銷設置在所述支撐板中，用于支撐所述基板的底部；其中所述支撐銷包括第一本體和具有與所述第一本體不同的材料的第二本體，所述第一本體和所述第二本體分別具有第一材料或第二材料中的任一種，并且所述第一材料和所述第二材料中的一種包括具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一種更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。

根據(jù)實施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有樹脂材料。

根據(jù)實施方式，所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述樹脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。

根據(jù)實施方式，所述第一本體的頂部與所述基板的底部接觸，并且所述第二本體與所述第一本體的底部聯(lián)接。

根據(jù)實施方式，所述第一本體被設置成包圍所述第二本體的側部和頂部，并且所述第二本體具有桿狀。

根據(jù)實施方式，所述第一本體具有所述第一材料，并且所述第二本體具有所述第二材料。

根據(jù)實施方式，所述第一本體具有所述第二材料，并且所述第二本體具有所述第一材料。

本發(fā)明提供一種基板處理裝置。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，基板處理裝置可以包括：第一腔室，用于通過供應第一處理液來處理所述基板；和第二腔室，用于通過供給第二處理液來處理所述基板；其中所述第一腔室包括第一旋轉頭，所述第一旋轉頭包括用于在所述基板的側部支撐所述基板的第一卡盤銷和用于向放置在所述第一旋轉頭上的所述基板供應所述第一處理液的第一噴射單元，其中所述第二腔室包括第二旋轉頭，所述第二旋轉頭包括用于從所述基板的側部支撐所述基板的第二卡盤銷和用于向放置在所述第二旋轉頭上的基板供應所述第二處理液的第二噴射單元，其中所述第一卡盤銷包括彼此具有不同材料的第一外本體和第一內本體，其中所述第二卡盤銷包括彼此具有不同材料的第二外本體和第二內本體，并且其中所述第一外本體和所述第一內本體之間的相互關系被設置成不同于所述第二外本體和所述第二內本體之間的相互關系。

根據(jù)實施方式，所述相互關系可以包括所述外本體和所述內本體之間的橫截面積之比。

根據(jù)實施方式，所述相互關系可以包括所述外本體和所述內本體之間的長度之比。

根據(jù)實施方式，所述相互關系可以包括所述內本體是否突出到所述外本體的外部。

根據(jù)實施方式，所述相互關系可以包括所述外本體和所述內本體具有什么材料。

根據(jù)實施方式，所述相互關系包括所述外本體和所述內本體具有什么材料，其中所述第一外本體和所述第二內本體兩者具有所述第一材料和所述第二材料中的一種，而所述第二外本體和所述第一內本體兩者具有所述第一材料和所述第二材料中的另一種，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一種包括具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一種更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。

根據(jù)實施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有樹脂材料。

根據(jù)實施方式，其中所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述樹脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。

根據(jù)實施方式，所述第一外本體在其側部具有第一凹槽，并且所述基板的端部與所述第一凹槽接觸，其中所述第一內本體具有桿狀，所述第二外本體在其側部具有第二凹槽，并且所述基板的端部與所述第二凹槽接觸，其中所述第二內本體具有桿狀。

根據(jù)實施方式，所述第一外本體被設置成包圍所述第一內本體的側部和頂部，并且所述第二外本體被設置成包圍所述第二內本體的側部和頂部。

根據(jù)實施方式，所述第一外本體被設置成包圍所述第一內本體的側部，其中所述第一內本體的頂部處于高于所述第一外本體的頂部的水平，其中所述第二外本體被設置成包圍所述第二內本體的側部，并且其中所述第二內本體的頂部處于高于所述第二外本體的頂部的水平。

根據(jù)實施方式，所述第一外本體和所述第二內本體具有所述第一材料，并且其中所述第二外本體和所述第一內本體具有所述第二材料。

根據(jù)實施方式，所述第一外本體和所述第二內本體具有所述第二材料，并且其中所述第二外本體和所述第一內本體具有所述第一材料。

根據(jù)實施方式，所述第一旋轉頭可還包括用于在所述底部支撐所述基板的第一支撐銷，其中所述第二旋轉頭可還包括在所述底部支撐所述基板的第二支撐銷，其中所述第二支撐銷可以包括第一本體和具有與所述第一本體不同的材料的第二本體，其中所述第一本體和所述第二本體中的每一個可以具有第一材料或第二材料中的任一種，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一種可以包括具有比另一種更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。

根據(jù)實施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有樹脂材料。

根據(jù)實施方式，其中所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述樹脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。

根據(jù)實施方式，所述第一本體的頂部與所述基板的底部接觸，并且所述第二本體與所述第一本體的底部聯(lián)接。

根據(jù)實施方式，所述第一本體被設置成包圍所述第二本體的側部和頂部，并且其中所述第二本體具有桿狀。

根據(jù)實施方式，所述第一本體具有所述第一材料，并且所述第二本體具有所述第二材料。

根據(jù)實施方式，所述第一本體具有所述第二材料，并且所述第二本體具有所述第一材料。

根據(jù)實施方式，所述的基板處理裝置可以包括：第一基板處理裝置和第二基板處理裝置，其中所述第一基板處理裝置包括第一轉位模塊和第一工藝處理模塊，所述第一轉位模塊包括其上放置容納所述基板的容器的第一裝載端口和用于將所述基板傳送到所述第一裝載端口的第一轉位機械手，并且所述第一工藝處理模塊包括用于處理所述基板的多個第一處理室和用于將所述基板傳送到所述第一處理室的第一傳送單元，其中所述第二基板處理裝置包括第二轉位模塊和第二工藝處理模塊，所述第二轉位模塊包括其上放置容納所述基板的容器的第二裝載端口和用于將所述基板傳送到所述第二裝載端口的第二轉位機械手，并且所述第二工藝處理模塊包括用于處理所述基板的多個第二處理室和用于將所述基板傳送到所述第二處理室的第二傳送單元，其中所述第一處理室包括所述第一腔室，并且其中所述第二處理室包括所述第二腔室。

根據(jù)實施方式，所述基板處理裝置可以包括：第一基板處理裝置和第二基板處理裝置，其中所述第一基板處理裝置包括第一轉位模塊和第一工藝處理模塊，所述第一轉位模塊包括其上放置容納所述基板的容器的第一裝載端口和用于將所述基板傳送到所述第一裝載端口的第一轉位機械手，并且所述第一工藝處理模塊包括用于處理所述基板的多個第一處理室和用于將所述基板傳送到所述第一處理室的第一傳送單元，其中所述第二基板處理裝置包括第二轉位模塊和第二工藝處理模塊，所述第二轉位模塊包括其上放置容納所述基板的容器的第二裝載端口和用于將所述基板傳送到所述第二裝載端口的第二轉位機械手，并且所述第二工藝處理模塊包括用于處理所述基板的多個第二處理室和用于將所述基板傳送到所述第二處理室的第二傳送單元，其中所述第一處理室包括所述第一腔室和所述第二腔室。

根據(jù)實施方式，所述第一處理液的溫度高于所述第二處理液的溫度。

根據(jù)實施方式，所述第一基板處理裝置可以包括加熱所述基板并位于所述第一旋轉頭中的加熱單元。

根據(jù)實施方式，所述基板處理裝置可以還包括用于控制所述第一傳送單元和所述第二傳送單元的控制器，其中所述控制器控制所述第一傳送單元，使得當用所述第一處理液處理所述基板時，所述基板由所述第一卡盤銷支撐；并且所述控制器控制所述第二傳送單元，使得當用所述第二處理液處理所述基板時，所述基板由所述第二卡盤銷支撐。

本發(fā)明提供了一種基板處理方法。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，所述基板處理方法可以包括通過供應所述第一處理液來處理由所述第一卡盤銷支撐的所述基板，和通過供應所述第二處理液來處理由所述第二卡盤銷支撐的所述基板。

根據(jù)實施方式，所述第一處理液具有比所述第二處理液更高的溫度。

根據(jù)實施方式，所述第一處理液包含酸，并且其中所述第二處理液包含硫酸。

根據(jù)實施方式，所述第二旋轉頭可以還包括用于在所述基板的底部支撐所述基板的第二支撐銷，其中所述第二支撐銷包括第一材料的第一主體和第二材料的第二主體，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一種包括具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一種更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，通過根據(jù)化學品種類或溫度而提供具有優(yōu)化的導熱性的卡盤銷或支撐銷，可以提高基板處理工藝的效率。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，通過使用各種變量(諸如卡盤銷或支撐銷的材料、尺寸(長度)、橫截面積之比)來提供優(yōu)化的導熱性，可以提高基板處理工藝的效率。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，通過根據(jù)化學品種類或溫度而提供具有優(yōu)化的導熱性的卡盤銷或支撐銷，可以均勻地處理基板的整個區(qū)域。

本發(fā)明構思的目的不限于上述效果。本領域技術人員從以下說明中可以理解其它目的。

附圖說明

圖1示出了在通過向基板供應處理液來處理基板的期間基板的每個區(qū)域的溫度分布。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的平面圖。

圖3是圖2的第一基板處理裝置的示例的平面圖。

圖4是圖2的第二基板處理裝置的示例的平面圖。

圖5是圖3的第一腔室的平面圖。

圖6是圖5的第一卡盤銷的橫截面圖。

圖7至圖11是圖6的第一卡盤銷的其它實施方式。

圖12是圖5的第一支撐銷的橫截面圖。

圖13示出了圖5的第一旋轉頭的一部分。

圖14是圖4的第二腔室的橫截面圖。

圖15是圖14的第二卡盤銷的橫截面圖。

圖16至圖22示出了圖15的第二卡盤銷的其它實施方式。

圖23是圖14的第二支撐銷的橫截面圖。

圖24至圖31示出了圖23的第二支撐銷的其它實施方式。

圖32是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的平面圖。

圖33至圖37示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的第一卡盤銷和第二卡盤銷。

具體實施方式

在下文中將參考附圖更全面地描述各種示例性實施方式，在附圖中示出了一些示例性實施方式。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實施，并且不應被解釋為限于本文所闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式以使得本公開將是徹底和完全的，并且將向本領域技術人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。因此，夸大附圖的特征以突出明確的解釋。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的平面圖。基板處理裝置1被提供給一條半導體線3。

基板處理裝置1通過提供處理液來對基板進行處理工藝。基板處理裝置1包括第一基板處理裝置10和第二基板處理裝置20。

圖3是圖2的第一基板處理裝置的示例的平面圖。在下文中，參考圖2，第一基板處理裝置10包括第一轉位模塊100和第一工藝處理模塊200。轉位模塊100包括第一裝載端口120和第一傳送框架140。第一裝載端口120、第一傳送框架140和第一工藝處理模塊200依次成行設置。在下文中，將第一裝載端口120、第一傳送框架140和第一工藝處理模塊200設置的方向稱為第一方向12。將與第一方向12垂直的方向稱為第二方向14，并且當俯視時，將與包括第一方向12和第二方向14的平面垂直的方向被稱為第三方向16。

存放基板W的第一載具130位于第一裝載端口120上。設置有多個第一裝載端口120，并且它們沿第二方向14成行設置。在圖1中，作為示例，設置有四個第一裝載端口120。然而，裝載端口120的數(shù)目可以根據(jù)需要(例如工藝效率和第一工藝處理模塊200的占空)而增加或減少。在載具130中，設置多個槽(未示出)以支撐基板W的邊緣。沿第三方向16設置有多個槽，并且多個基板W沿第三方向16被彼此豎直堆疊地置于載具內。作為載具130，可以使用正面開口標準箱(FOUP)。

第一工藝處理模塊200包括第一緩沖單元220、第一傳送單元240和第一處理室260。第一傳送單元240被設置成使得其縱向方向與第一方向12平行。第一處理室260沿第二方向14分別設置在第一傳送單元240的一側和另一側。置于第一傳送單元240的一側和另一側的第一處理室260基于第一傳送單元240彼此對稱地設置。第一處理室260中的一些沿第一傳送單元240的縱向方向放置。此外，第一處理室260中的一些沿第三方向16彼此豎直堆疊地放置。即，在第一傳送單元240的一側，第一處理室260可以設置成A×B(A和B是1或更大的自然數(shù))陣列。這里，A是沿第一方向12設置的第一處理室260的數(shù)目，B是沿第三方向16設置的第一處理室260的數(shù)目。當在第一傳送單元240的一側設置有四個或六個第一處理室260時，第一處理室260可以設置成2×2或3×2陣列。第一處理室260的數(shù)目可以增加或減少。與上述不同，可以僅在第一傳送單元240的一側設置第一處理室260。此外，與上述不同，可以在第一傳送單元240的兩側將第一處理室260設置成單層。

第一緩沖單元220設置在第一傳送框架140和第一傳送單元240之間。緩沖單元在第一傳送單元240和第一傳送框架140之間提供用于在傳送基板W之前使基板W暫時停留的空間。在第一緩沖單元220的內部具有放置基板的槽(未示出)，并且沿第三方向16設置有多個彼此間隔開的槽(未示出)。第一緩沖單元220的面向第一傳送框架140的一側以及第一緩沖單元220的面向第一傳送框架140的另一側是打開的。

第一傳送框架140在第一緩沖單元220和位于第一裝載端口120上的第一載具130之間傳送基板W。在第一傳送框架140中，設置有第一轉位軌道142和第一轉位機械手144。第一轉位軌道142被設置成使得縱向方向平行于第二方向14。第一轉位機械手144安裝在第一轉位軌道142上，并且沿第一轉位軌道142向第二方向14線性運動。第一轉位機械手144包括第一基座144a、第一本體144b和第一轉位臂144c。第一基座144a沿第一轉位軌道142被可運動地安裝。第一本體144b與第一基座144a聯(lián)接。第一本體144b沿第三方向16可運動地設置在第一基座144a上。此外，第一本體144b可旋轉地設置在第一基座144a上。第一轉位臂144c與第一本體144b聯(lián)接，并且被設置成相對于第一本體144b前后運動。設置有多個第一轉位臂144c以分別單獨驅動。第一轉位臂144c豎直地設置，即，沿第三方向16彼此間隔開。當將基板W從第一工藝處理模塊200傳送到第一載具130時可以使用第一轉位臂144c中的一些，并且當將基板W從第一載具130傳送到第一工藝處理模塊130時可以使用第一轉位臂144c中的一些。這可以防止在第一轉位機械手144載入或載出基板W期間在處理工藝之前從基板W產生的顆粒在處理工藝之后粘附到基板W上。

第一傳送單元240在第一處理室260之間以及在第一緩沖單元220和第一處理室260之間傳送基板W。在第一傳送單元240中設置有第一導軌242和第一主機械手244。第一導軌242被放置成使得其縱向方向與第一方向12平行。第一主機械手244安裝在第一導軌242上，并且在第一導軌242上沿第一方向12線性運動。第一主機械手244包括第一基座244a、第一本體244b和第一主臂244c。第一基座244a沿第一導軌242被可運動地安裝。第一本體244b與第一基座244a聯(lián)接。第一本體244b沿第三方向16被可運動地設置在第一基座244a上。此外，第一本體244b被可旋轉地設置在第一基座244a上。第一主臂244c與第一本體244b聯(lián)接，并且被設置成相對于第一本體244b向前和向后運動。第一主臂244c具有多個并且被設置成分別單獨驅動。第一主臂244c沿第三方向16被彼此間隔開地豎直設置。當將基板W從第一緩沖單元220傳送到第一處理室260時所使用第一主臂244c與當將基板W從第一處理室260傳送到第一緩沖單元220時所使用的第一主臂244c可以不同。

設置第一處理室260以對基板W進行清潔工藝?；谒M行的清潔工藝的類型，每個第一處理室260可以具有不同的結構。根據(jù)一個實施方式，第一處理室260可以具有相同的結構。根據(jù)另一實施方式，第一處理室260被分成多個組，并且同一組的第一處理室260可以具有相同的結構，而來自不同組的第一處理室260可以具有不同的結構。例如，當?shù)谝惶幚硎?60被分成兩組時，第一組的第一處理室260設置在第一傳送單元240的一側，第二組的第一處理室260設置在第一傳送單元240的另一側。根據(jù)另一實施方式，第一組的第一處理室260和第二組的處理室260可以都設置在第一傳送單元240的一側和另一側，其中第一組的第一處理室260可以設置在底層中，并且第二組的第一處理室260可以設置在頂層中。第一組和第二組可以根據(jù)所使用的化學品的種類或清潔工藝的類型來劃分。

第一處理室260可以被設置成稍后將描述的第一腔室300。與此不同，第一處理室260可以被設置成稍后將描述的第一腔室300和第二腔室800兩者。

圖4是圖2的第二基板處理裝置的示例的平面圖。在下文中，參考圖2，第二基板處理裝置20包括第二轉位模塊600和第二工藝處理模塊700。第二轉位模塊600包括第二裝載端口620和第二傳送框架640。第二裝載端口620、第二傳送框架640和第二工藝處理模塊700依次成行設置。第二裝載端口620、第二傳送框架640和第二工藝處理模塊700沿第一方向12設置。

存放基板W的第二載具630位于第二裝載端口620上。設置有多個第二裝載端口620，并且它們沿第二方向14成行設置。在圖2中，作為示例，設置有四個第二載載端口620。然而，第二裝載端口620的數(shù)目可以根據(jù)需要(例如工藝效率和第二工藝處理模塊700的占空)而增加或減少。在第二載具630中，設置有多個槽(未示出)以支撐基板W的邊緣。沿第三方向16設置有多個槽，并且多個基板W沿第三方向16被彼此豎直堆疊地置于第二載具630內。作為第二載具630，可以使用正面開口標準箱(FOUP)。

第二工藝處理模塊700包括第二緩沖單元720、第二傳送單元740和第二處理室760。第二傳送單元740被設置成使得其縱向方向與第一方向12平行。第二處理室760沿第二方向14分別設置在第二傳送單元740的一側和另一側。置于第二傳送單元740的一側和另一側的第二處理室760基于第二傳送單元740彼此對稱地設置。第二處理室760中的一些沿第二傳送單元740的縱向方向設置。此外，第二處理室760中的一些彼此豎直堆疊地放置。也就是說，在第二傳送單元740的一側，第二處理室760可以設置成A×B(A和B是1或更大的自然數(shù))陣列。這里，A是沿第一方向12設置的第二處理室760的數(shù)目，B是沿第三方向16設置的第二處理室760的數(shù)目。當在第二傳送單元740的一側設置有四個或六個第二處理腔室760時，第二處理腔室760可以設置成2×2或3×2陣列。第二處理室760的數(shù)目可以增加或減少。與上述不同，第二處理室760可以僅設置在第二傳送單元740的一側。此外，與上述不同，第二處理室760可以在第二傳送單元740的兩側設置成單層。

第二緩沖單元720設置在第二傳送框架640和第二傳送單元740之間。緩沖單元提供在第二傳送單元740和第二傳送框架640之間傳送基板W之前用于使基板W暫時停留的空間。在第二緩沖單元720的內部設置有放置基板的槽(未示出)，并且沿第三方向16設置有多個彼此間隔開的槽(未示出)。第二緩沖單元720的面向第二傳送框架640的一側以及第二緩沖單元720的面向第二傳送單元640的另一側是開放的。

第二傳送框架640在第二緩沖單元720和位于第二裝載端口620上的第二載具630之間傳送基板W。在第二傳送框架640中，設置有第二轉位軌道642和第二轉位機械手644。第二轉位軌道642被設置成使得縱向方向平行于第二方向14。第二轉位機械手644安裝在第二轉位軌道642上，并且沿第二轉位軌道642線性地運動到第二方向14。第二轉位機械手644包括第二基座644a、第二本體644b和第二轉位臂644c。第二基座644a沿第二轉位軌道642被可運動地安裝。第二本體644b與第二基座644a聯(lián)接。第二本體644b沿第三方向16可運動地設置在第二基座644a上。此外，第二本體644b可旋轉地設置在第二基座644a上。第二轉位臂644c與第二本體644b聯(lián)接，并且被設置成相對于第二本體644b前后運動。設置有多個第二轉位臂644c以分別單獨驅動。第二轉位臂644c豎直地設置，即，沿第三方向16彼此間隔開。當將基板W從第二工藝處理模塊700傳送到第二載具630時可以使用第二轉位臂644c中的一些，并且當將基板W從第二載具630傳送到第二工藝處理模塊700時可以使用第二轉位臂644c中的一些。這可以防止在第二轉位機械手644載入或載出基板W期間在處理工藝之前從基板W產生的顆粒在處理工藝之后粘附到基板W上。

第二傳送單元740在第二處理室760之間以及在第二緩沖單元720和第二處理室760之間傳送基板W。在第二傳送單元740中設置有第二導軌742和第二主機械手744。第二導軌742被放置成使得其縱向方向與第一方向12平行。第二主機械手744安裝在第二導軌742上，并且在第二導軌742上沿第一方向12線性地運動。第二主機械手744包括第二基座744a、第二本體744b和第二主臂744c。第二基座744a沿第二導軌742可運動地安裝。第二本體744b與第二基座744a聯(lián)接。第二本體744b沿第三方向16可運動地設置在第二基座744a上。此外，第二本體744b可旋轉地設置在第二基座744a上。第二主臂744c結合到第二本體744b，并且被設置成相對于第二本體744b前后運動。第二主臂744c具有多個并且被設置成分別單獨驅動。第二主臂744c垂直地設置，即，沿第三方向16彼此間隔開。當將基板W從第二緩沖單元720傳送到第二處理室760時所使用的第二主臂744c與當將基板W從第二處理室760傳送到第二緩沖單元720時所使用的第二主臂744c可以不同。

設置第二處理室760以對基板W進行清潔工藝?；谒M行的清潔工藝的類型，每個第二處理室760可具有不同的結構。根據(jù)一個實施方式，第二處理室760可以具有相同的結構。根據(jù)另一實施方式，第二處理室760被分成多個組，屬于同一組的第二處理室760可以具有相同的結構，屬于不同組的第二處理室760可以具有不同的結構。例如，當?shù)诙幚硎?60分成兩組時，第一組的第二處理室760設置在第二傳送單元740的一側，第二組的第二處理室760設置在第二傳送單元740的另一側。根據(jù)另一實施方式，第一組的第二處理室760和第二組的第二處理室760可以都設置在第二傳送單元740的一側和另一側，其中第一組的第二處理室760設置在底層中，并且第二組的第二處理室760設置在頂層中。第一組和第二組的第二處理室760中的每一個可以根據(jù)所使用的化學品的種類或清潔工藝的類型來劃分。

第二處理室760可以設置成將要描述的第二腔室800。與此不同，第二處理室760可以具有稍后將描述的第二腔室800和第一腔室300兩者。

控制器500控制第一傳送單元240和第二傳送單元740?？刂破?00控制第一傳送單元240，使得當用第一處理液處理基板時，基板由第一卡盤銷340支撐?？刂破?00控制第二傳送單元740，使得當用第二處理液處理基板時，基板由第二卡盤銷840支撐。這里，第一處理液可以具有比第二處理液更高的溫度。

圖5是圖3的第一腔室的平面圖。在下文中，參考圖5，第一腔室300包括第一殼體310、第一容器320、第一旋轉頭330、第一加熱單元339、第一升降單元360和第一噴射單元380。

第一殼體310在其中提供空間。第一容器320置于第一殼體310中。

第一容器320提供進行基板處理工藝的處理空間。第一容器320具有開口的上側。第一容器320包括第一內收集容器322、第一中間收集容器324和第一外收集容器326。每個收集容器322、324、326收集在工藝中使用的處理液中彼此不同的處理液。第一內收集容器322具有環(huán)繞第一旋轉頭330的環(huán)形。第一中間收集容器324具有環(huán)繞第一內收集容器322的環(huán)形。第一外收集容器326具有環(huán)繞第一中間收集容器324的環(huán)形。第一內收集容器322的內部空間322a、第一內收集容器322與第一中間收集容器324之間的間隙324a以及第一中間收集容器324與第一外收集容器326之間的間隙326a可以用作各個處理液分別流入第一內收集容器322、第一中間收集容器324和第一外收集容器326的入口。各個收集容器322、324、326分別連接有從收集容器322、324、326的底部豎直向下延伸的收集管線322b、324b、326b。各個收集管線322b、324b、326b分別排放通過各個收集容器322、324、326流入的處理液。排出的處理液可以通過外部的處理液再生系統(tǒng)(未示出)被再利用。

第一旋轉頭330被置于第一容器320中。第一旋轉頭330支撐基板W并在基板處理工藝期間旋轉基板W。第一旋轉頭330包括第一支撐板332、第一支撐銷350、第一卡盤銷340、加熱單元335和第一支撐軸339。當俯視時，第一支撐板332具有通常設置成圓形的上表面。在第一支撐板332的底部固定連接有通過第一馬達339可轉動的第一支撐軸339。第一支撐銷350設置有多個。多個支撐銷350彼此間隔地設置在第一支撐板332的上表面的邊緣上并且從第一支撐板332向上突出。第一支撐銷334通常設置成具有環(huán)形。第一支撐銷350支撐基板W的背側以使其與第一支撐板332的上表面間隔開。

加熱單元335置于第一旋轉頭330中。加熱單元335置于第一支撐板332中。加熱單元335加熱放置在支撐板332上的基板W。在示例中，加熱單元335可以設置成可產生熱量的燈。在示例中，燈可以設置成IR燈。

圖13示出了圖5的第一旋轉頭的一部分。參考圖13，第一卡盤銷340安裝在卡盤桿348上。第一卡盤銷340位于卡盤桿348的端部。在卡盤桿348的端部，第一卡盤銷340設置成在第一支撐銷332的頂表面上方突出。第一卡盤銷340設置有多個。第一卡盤銷340可以具有與卡盤桿348相同的數(shù)目。在示例中，可以設置六個第一卡盤銷340。第一卡盤銷340比第一支撐銷350更遠離第一支撐板332的中心放置。第一卡盤銷340支撐基板W的側部，使得當?shù)谝恍D頭330旋轉時基板W不會從正確位置向側向偏離。第一卡盤銷340被設置成在支撐位置和待用位置之間運動，以分別支撐和放開基板W的側部。待用位置比支撐位置更遠離第一支撐板332的中心。當將基板W裝載到第一旋轉頭330中或從第一旋轉頭330卸載時，第一卡盤銷340處于待用位置，而當對基板進行處理時，第一卡盤銷340處于支撐位置。在支撐位置，第一卡盤銷340與基板的側部接觸。

在第一支撐板332中，放置有基座346?；?46設置成圓形的板?；?46被設置為包含傳導材料的材料。在示例中，基座346可以具有樹脂或鋁材料。

凸輪349安裝在基座346上。凸輪349置于基座346的頂部上。凸輪349的中心可以置于基座346的中心的頂部上。凸輪349可以具有比基座346更小的面積。當俯視時，凸輪349形成圓形。在凸輪349中形成有突起部(未示出)。突起部設置有多個。在示例中，突出部的數(shù)目可以與卡盤桿348的數(shù)目相同。凸輪349可以與凸輪驅動器(未示出)連接。凸輪驅動器(未示出)使凸輪349旋轉。突出部將卡盤桿348推向基座346的外部方向，使得當凸輪349旋轉時，卡盤桿348可以線性運動。

卡盤桿348根據(jù)凸輪349的旋轉而線性運動?？ūP桿348位于基座346的半徑方向上?？ūP桿348的縱向方向可以是基座346的半徑方向。卡盤桿348的一端可以與凸輪349的突出部接觸。突出部根據(jù)凸輪349的旋轉推動卡盤桿348的一端?？ūP桿348的運動使得第一卡盤銷340根據(jù)凸輪349的旋轉而處于待用位置或支撐位置。支撐位置是在凸輪349旋轉之前的位置。待用位置是在凸輪349旋轉從而卡盤桿348線性運動之后的位置。支撐位置是第一卡盤銷340支撐基板W的側部的位置。待用位置是第一卡盤銷340不支撐基板W的位置。

卡盤桿348設置有多個。在示例中，可以設置有六個卡盤桿348。多個卡盤桿348置于基座346的半徑方向上，并且各個卡盤桿348可以彼此間隔開。卡盤桿348和凸輪349位于同一平面。卡盤桿348設置在基座346的頂部。

卡盤桿348可以具有包含傳導材料的金屬材料。在示例中，卡盤桿348可以具有樹脂或鋁材料。另一方面，卡盤桿348可以具有具有傳導性的傳導材料。

桿導引件347導引卡盤桿348的線性運動。在桿導引件347中形成有通孔(未示出)?？ūP桿348插入通孔中。當俯視時，桿導引件347可以具有矩形形狀。桿導引件347被放置成使得其縱向方向平行于凸輪349的切線方向。桿導引件347位于凸輪349的外側。桿導引件347安裝在基座346上。桿導引件347置于基座346的頂部上。桿導引件347可以具有包含傳導材料的材料。在示例中，桿導引件347可以具有包含鋁或樹脂的材料。

圖6是圖5的第一卡盤銷的橫截面圖。在下文中，參考圖6，第一卡盤銷340包括彼此具有不同的材料的第一外本體341和第一內本體343。第一外本體341可以具有第一材料。第一外本體341在其后側具有第一凹槽345，基板W的端部與第一凹槽345接觸。第一外本體341可以設置成包圍第一內本體343的側部，并且可選地包圍第一內本體343的頂部。第一內本體343置于第一外本體341的內部。第一內本體343可以設置成插入在第一外本體341中。第一內本體343設置成桿狀。第一內本體343具有第二材料。第一材料和第二材料中的一種可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一種更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。在示例中，第一材料可以具有陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅和樹脂材料。第二材料可以被設置為樹脂材料。在示例中，樹脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比樹脂材料更低的導熱性和更好的耐熱性。

與上述示例不同，第一外本體341可以具有第二材料，并且第一內本體343可以具有第一材料。

圖7至圖11是圖6的第一卡盤銷的另一實施方式。參考這些圖，圖7的第一卡盤銷340a包括具有第一材料的第一外本體341a和具有第二材料的第一內本體343a。圖7的第一卡盤銷340a類似于圖6的第一卡盤銷340設置。第一內本體343a的頂部設置在第一外本體341a的頂部上方。第一外本體341a被設置成包圍第一內本體343a的側部。在第一內本體343a處形成有與基板W的端部接觸的第一凹槽345a。

圖8的第一卡盤銷340b包括具有第一材料的第一內本體343b和具有第二材料的第一外本體341b。圖8的第一卡盤銷340b類似于圖6的第一卡盤銷340設置。然而，第一內本體343b被設置成使得其長度短于圖6的第一內本體343。第一內本體343b的底部可以置于第一外本體341b的內部。也就是說，第一內本體343b的底部處于高于第一外本體341b的底部的水平。

圖9的第一卡盤銷340c包括具有第一材料的第一外本體341c和具有第二材料的第一內本體343c。圖9的第一卡盤銷340c類似于圖6的第一卡盤銷340設置。然而，第一內本體343c的底部被設置成突出到第一外本體341c的外部。也就是說，第一內本體343b的底部的高度低于第一外本體341b的底部。

圖10的第一卡盤銷340d包括具有第一材料的第一外本體341d和具有第二材料的第一內本體343d。圖10的第一卡盤銷340d類似于圖6的第一卡盤銷340設置。然而，圖10的第一卡盤銷340d被設置成使得第一內本體343d與第一外本體341d的橫截面積之比小于圖6的第一內本體343與第一外本體341的橫截面積之比。第一內本體343d的橫截面積小于圖6的第一內本體343的橫截面積。

圖11的第一卡盤銷340e包括具有第一材料的第一外本體341e和具有第二材料的第一內本體343e。圖11的第一卡盤銷340e類似于圖6的第一卡盤銷340設置。然而，圖11的第一卡盤銷340e被設置成使得第一內本體343e與第一外本體341e的橫截面積之比大于圖6的第一內本體343與第一外本體341的橫截面積之比。第一內本體343e的橫截面積大于圖6的第一內本體343的橫截面積。

圖12是圖5的第一支撐銷的橫截面圖。在下文中，參考圖12，當用具有高溫度的處理液處理基板W時，第一支撐銷350可以具有單一材料。在示例中，第一支撐銷350可以具有第一材料。在示例中，第一材料可以具有陶瓷材料。然而，當通過供應不是高溫處理液的處理液來處理基板W時，第一支撐銷350可以具有雙材料的第二支撐銷850的各種實施方式中的材料。

再次參考圖5，第一升降單元360使第一容器320線性地向向上方向和向下方向運動。隨著第一容器320上下運動，第一容器320相對于第一旋轉頭330的高度改變。第一升降單元360包括第一支架362、第一運動軸364和第一驅動器366。

第一支架362固定地安裝在第一容器320的外壁上。通過第一驅動器366在上下方向上運動的第一運動軸364固定地與第一支架362聯(lián)接。當基板W被放置在第一旋轉頭330上或當基板W被從第一旋轉頭330抬起時，第一容器320下降，使得第一旋轉頭330從第一容器320中突出。此外，在處理期間，控制第一容器320的高度，使得處理液根據(jù)供應到基板W中的處理液的種類而流入預定的收集容器322、324、326中。

在示例中，當用第一處理液處理基板W時，基板W被放置在與第一內收集容器322的內部空間322a對應的高度上。此外，當用第二處理液和第三處理液處理基板W時，基板W分別被放置在與第一內收集容器322和第一中間收集容器324之間的間隙324a和第一中間收集容器324和第一外收集容器326之間的間隙326a對應的高度上。與上述不同，第一升降單元360可以使第一旋轉頭330而不是第一容器320在上下方向上運動。

當處理基板W時，第一噴射單元380將處理液供給到基板W。

第一噴射單元380向放置在第一旋轉頭330中的基板W供應液體。第一噴射單元380包括第一噴嘴支撐部382、第一噴嘴384、第一支撐軸386和第一驅動器388。

第一支撐軸386被設置成使得其縱向方向與第三方向16平行，并且第一驅動器388聯(lián)接在第一支撐軸386的底部。第一驅動器388旋轉并向上和向下升降第一支撐軸386。第一噴嘴支撐部382與第一支撐軸386的一端(與第一驅動器388所聯(lián)接到的第一支撐軸386的另一端相對)垂直聯(lián)接。第一噴嘴384安裝在第一噴嘴支撐部862的一端的底部。第一噴嘴384通過第一驅動器388被運動到加工位置和待用位置。加工位置是第一噴嘴384豎直地處于第一容器320上方的位置，而待用位置是第一噴嘴384沒有豎直地處于第一容器320上方的位置(例如，在加工位置之外)。第一噴嘴384通過從液體供應部件370供應液體而將液體供給到基板W。

第一噴射單元380可以設置有一個或多個。當?shù)谝粐娚鋯卧?80設置有多個時，可以通過不同的第一噴射單元380提供化學品、沖洗液或有機溶劑。沖洗液可以是去離子水，有機溶劑可以是惰性氣體和異丙醇氣體或異丙醇液體的混合溶液。

第一噴射單元380可以將第一處理液供給到基板。在示例中，第一處理液可以將高溫化學品供給到基板。在示例中，化學品可以具有磷酸。在示例中，處理液的溫度可以為150-220℃。

圖14是圖4的第二腔室的橫截面圖。在下文中，參考圖14，第二腔室800包括第二殼體810、第二容器820、第二旋轉頭830、第二升降單元860和第二噴射單元880。

第二殼體810在其中提供有空間。第二容器812置于第二殼體810中。

第二容器820提供進行基板處理工藝的處理空間。第二容器820具有開口的上側。第二容器820包括第二內收集容器822、第二中間收集容器824和第二外收集容器826。每個收集容器822、824、826收集在工藝中使用的處理液中彼此不同的處理液。第二內收集容器822被設置成環(huán)繞第二旋轉頭830的環(huán)形。第二中間收集容器824被設置成環(huán)繞第二內收集容器822的環(huán)形。第二外收集容器826被設置成環(huán)繞第二中間收集容器824的環(huán)形。第二內收集容器822的內部空間822a、第二內收集容器822和第二中間收集容器824之間的第二間隙824a以及第二中間收集容器824和第二外收集容器826之間的間隙826a可以用作處理液分別流入第二內收集容器822、第二中間收集容器824和第二外收集容器826的入口。各個收集容器822、824、826分別連接有從收集容器822、824、826的底部豎直向下延伸的收集管線822b、824b、826b。各個收集管線822b、824b、826b分別通過各個收集容器822、824、826排放處理液流入物。排出的處理液可以通過外部的處理液再生系統(tǒng)(未示出)被再利用。

第二旋轉頭830被置于第二容器820中。第二旋轉頭830在基板處理工藝期間支撐基板W并且旋轉基板W。第二旋轉頭830包括第二支撐板832、第二支撐銷850、第二卡盤銷840和第二支撐軸838。當俯視時，第二支撐板832具有通常設置成圓形的上表面。在第二支撐板832的底部固定連接有通過第二馬達839可旋轉的第二支撐軸838。第二支撐銷850設置有多個。多個第二支撐銷850彼此間隔地設置在第二支撐板832的上表面的邊緣處并且從第二支撐板832向上突出。第二支撐銷850通常設置成具有環(huán)形。第二支撐銷850支撐基板W的背側以使其與第二支撐板832的上表面間隔開。

第二卡盤銷840設置有多個。第二卡盤銷840比第二支撐銷850更遠離第二支撐板832的中心放置。第二卡盤銷840被設置成在第二支撐板832上方突出。第二卡盤銷840支撐基板W側部，使得當?shù)诙D頭830旋轉時，基板W不會從正確位置向側向偏離。第二卡盤銷840被設置成在支撐位置和待用位置之間運動。待用位置比支撐位置更遠離第二支撐板832的中心。當將基板W裝載到第二旋轉頭830中或從第二旋轉頭830卸載時，第二卡盤銷840處于待用位置，而當對基板進行處理時，第二卡盤銷840處于支撐位置。在支撐位置，第二卡盤銷840與基板的側部接觸。

圖15是圖14的第二卡盤銷840的橫截面圖。在下文中，參考圖15，第二卡盤銷840包括彼此具有不同材料的第二外本體841和第二內本體843。第二外本體841置于第二卡盤銷840的外部。第二外本體841可以被設置為第二材料。在第二外本體841的側部形成有第二凹槽845，基板W的端部與第二凹槽845接觸。第二外本體841可以設置成包圍第二內本體843的側部，并且可選地包圍第二內本體843的頂部。第二內本體843設置在第二外本體841的內部。第二內本體843可被設置成插入第二外本體841中。第二內本體843具有桿狀。第二內本體843具有第二材料。第一材料和第二材料中的任一種可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一種更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。在示例中，第二材料可以具有陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅材料。第一材料可以被設置為樹脂材料。在示例中，樹脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比樹脂材料更低的導熱性和更好的耐熱性。

圖16至圖22示出了圖15的第二卡盤銷的其它實施方式。在下文中，參考圖16，第二卡盤銷840a類似于圖15的第二卡盤銷840設置。然而，第二外本體841a被設置為第一材料，并且第二內本體843a被設置為第二材料。

在示例中，第一材料可以被設置為陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅材料。第二材料可以被設置為樹脂材料。在示例中，樹脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比樹脂材料更低的導熱性和更好的耐熱性。

圖17的第二卡盤銷840b包括具有第二材料的第二外本體841b和具有第一材料的第二內本體843b。圖17的第二卡盤銷840b類似于圖16的第二卡盤銷840a設置。第二內本體843b的頂部可以置于第二外本體841b的頂部上方。第二外本體841b設置成包圍第二內本體843b的側部。第二內本體843b具有與基板W的端部接觸的第二凹槽845b。

圖18的第二卡盤銷840c包括具有第一材料的第二外本體841c和具有第二材料的第二內本體843c。圖18的第二卡盤銷840c類似于圖17的第二卡盤銷840b設置。

圖19的第二卡盤銷840d包括具有第二材料的第二外本體841d和具有第一材料的第二內本體843d。圖19的第二卡盤銷840d類似于圖16的第二卡盤銷840a設置。然而，第二內本體843d被設置成使得其長度短于圖15的第二內本體843。第二內本體843d的底部可以設置在第二外本體841d的內部。

圖20的第二卡盤銷840e包括具有第二材料的第二外本體841e和具有第一材料的第二內本體843e。圖20的第二卡盤銷840e類似于圖15的第二卡盤銷840設置。然而，第二內本體843e的底部被設置成突出到第二外本體841e的外部。

圖21的第二卡盤銷840f包括具有第二材料的第二外本體841f和具有第一材料的第二內本體843f。圖21的第二卡盤銷840f類似于圖15的第二卡盤銷840設置。然而，圖21的第二卡盤銷840f被設置成使得第二內本體843f與第二外本體841f的橫截面積之比小于圖15的第二內本體843與第二外本體841的橫截面積之比。也就是說，圖21的第二內本體843f的橫截面積小于圖15的第二內本體843的橫截面積。

圖22的第二卡盤銷840g包括具有第二材料的第二外本體841g和具有第一材料的第二內本體843g。圖22的第二卡盤銷840g類似于圖15的第二卡盤銷840設置。然而，圖22的第二卡盤銷840g被設置成使得第二內本體843g與第二外本體841g的橫截面積之比大于圖15的第二內本體843與第二外本體841的橫截面積之比。也就是說，圖22的第二內本體843g的橫截面積大于圖15的第二內本體843的橫截面積。

在參考圖18至圖22的實施方式中，第二外本體841具有第二材料，而第二內本體843具有第一材料。然而，第二外本體841可以具有第一材料，而第二內本體843可以具有第二材料。

圖23是圖14的第二支撐銷的橫截面圖。在下文中，參考圖23，第二支撐銷850包括第一本體851和第二本體853。第一本體851的頂部與基板W接觸。第一本體851可以被設置成使得其橫截面積隨著朝向頂部而減小的形狀。第一本體851可以被設置為第二材料。第二本體853與第一本體851的底部聯(lián)接。第二本體853可以具有第一材料。

第一材料和第二材料中的任何一種可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一種更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。在示例中，第一材料可以具有陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅材料。第二材料可以被設置成樹脂材料。在示例中，樹脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比樹脂材料更低的導熱性和更好的耐熱性。

圖24至31示出了圖23的第二支撐銷的其它實施方式。參考圖24，第二支撐銷850a類似于圖23的第二卡盤銷850設置。然而，第二支撐銷850a的本體851a具有第一材料。第二本體853a具有第二材料。

圖25的第二支撐銷850b包括具有第一材料的第一本體851b和具有第二材料的第二本體853b。第一本體851b被設置成包圍第二本體853b的側部并可選地包圍第二本體853b的頂部。第二本體853b插入第一本體851b中并且具有桿狀。

圖26的第二支撐銷850c類似于圖25的第二支撐銷850b設置。第二支撐銷850c的第一本體851c具有第二材料。第二本體853c具有第一材料。

圖27的第二支撐銷850d類似于圖25的第二支撐銷850b設置。第二支撐銷850d的第二本體853d的底部被設置成突出到第一本體851d的外部。

圖28的第二支撐銷850e類似于圖27的第二支撐銷850d設置。第二支撐銷850e包括具有第二材料的第一本體851e和具有第一材料的第二本體853e。

圖29的第二支撐銷850f類似于圖25的第二支撐銷850b設置。然而，第二支撐銷850f被設置成使得第二本體853f與第一本體851f的橫截面積之比小于圖25的第二本體853b與第一本體851b的橫截面積之比。圖29的第二本體853f的橫截面積小于圖25的第二本體853b的橫截面積。

圖30的第二支撐銷850g類似于圖25的第二支撐銷850b設置。然而，第二支撐銷850g被設置成使得第二本體853g與第一本體851g的橫截面積之比大于圖25的第二本體853b與第一本體851b的橫截面積之比。圖29的第二本體853g的橫截面積大于圖25的第二本體853b的橫截面積。

圖31的第二支撐銷850h包括具有第一材料的第一本體851h和具有第二材料的第二本體853h。第二本體853h的頂部置于第一本體851h的頂部上方。第一本體851h被設置成包圍第二本體853h的側部。

再次參考圖14，第二升降單元860使第二容器820線性地沿向上方向和向下方向運動。隨著第二容器820上下運動，第二容器820相對于第二旋轉頭830的高度改變。第二升降單元860包括第二支架862、第二運動軸864和第二驅動器866。

第二支架862固定地安裝在第二容器820的外壁上。通過第二驅動器866沿向上方向和向下方向運動的第二運動軸864固定地聯(lián)接到第二支架862。當基板W被放置在第二旋轉頭830上或當基板W被從第二旋轉頭830抬起時，第二容器820下降，使得第二旋轉頭830從第二容器820向上突出。此外，在加工期間，控制第二容器820的高度，使得根據(jù)供應到基板W中的處理液的種類而使處理液流入預定的收集容器822、824、826中。

在示例中，當用第一處理液處理基板W時，基板W被放置在與第二內收集容器822的內部空間822a對應的高度上。此外，當用第二處理液和第三處理液處理基板W時，基板W分別被放置在與第二內收集容器822和第二中間收集容器824之間的間隙824a以及第二中間收集容器824和第二外收集容器826之間的間隙826a對應的高度上。與上述不同，第二升降單元860可以使第二旋轉頭830而不是第二容器820在向上向下方向上運動。

當處理基板W時，第二噴射單元880向基板W供應處理液。

第二噴射單元880向放置在第二旋轉頭830中的基板W供應液體。第二噴射單元880包括第二噴嘴支撐部882、第二噴嘴884、第二支撐軸886和第二驅動器888。

第二支撐軸886被設置成使得其縱向方向與第三方向16平行，并且第二驅動器888聯(lián)接在第二支撐軸886的底部。第二驅動器888旋轉并上下升降第二支撐軸886。第二噴嘴支撐部882與第二支撐軸886的一端(與第二驅動器888所聯(lián)接到的第二支撐軸886的另一端相對)垂直聯(lián)接。第二噴嘴884安裝在第二噴嘴支撐部862的一端的底部。第二噴嘴884通過第二驅動器884運動到加工位置和待用位置。加工位置是第二噴嘴884豎直地處于第二容器820上方的位置，而待用位置是第二噴嘴884沒有豎直地處于第二容器820的豎直頂端上方的位置(例如，偏離出加工位置)。

第二噴射單元880可以設置有一個或多個。當?shù)诙娚鋯卧?80設置有多個時，可以通過不同的第二噴射單元880供應化學品、沖洗液或有機溶劑。沖洗液可以是去離子水，有機溶劑可以是惰性氣體和異丙醇氣體或異丙醇液體的混合溶液。

在第二噴射單元880中供應的處理液可以供應50-100℃之間的低溫處理液。在示例中，處理液可以是含有硫酸的處理液。

圖32是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的平面圖。在下文中，參考圖32，圖32的基板處理裝置5包括第三基板處理裝置30。第三基板處理裝置30包括第三轉位模塊1000和第三工藝處理模塊2000。實質上，第三轉位模塊1000與第一基板處理裝置10的第一轉位模塊100相同地設置。

第三工藝處理模塊2000包括第三緩沖單元2200、第三傳送單元2400和第三處理室2600。實質上，第三工藝處理模塊2000的第三緩沖單元2200和第三傳送單元2400與第一工藝處理模塊200的第一緩沖單元220和第一傳送單元240相同地設置。第三處理室2600包括第一腔室300和第二腔室800。

第三處理室2600可以根據(jù)化學品的種類和溫度來處理第一腔室300或第二腔室800上的基板。

控制器9000可以控制第三傳送單元，使得可以根據(jù)化學品的種類和溫度在第一腔室300或第二腔室800中處理基板。

圖33至圖37示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的第一卡盤銷340和第二卡盤銷840的相互關系。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，第一卡盤銷的相互關系與第二卡盤銷的相互關系彼此不同。

相互關系可以是外本體341、841和內本體343、843的橫截面積之比。第一外本體341與第一內本體343的橫截面積之比和第二外本體841與第二內本體843的橫截面積之比可不相同，例如，可以不同。在示例中，如圖33所示，可以將第一外本體341與第一內本體343的橫截面積之比設置為大于第二外本體841與第二內本體843的橫截面積之比。在這種情況下，用具有高溫的第一處理液處理由第一卡盤銷340支撐的基板W，并且用具有低溫的第二處理液處理由第二卡盤銷840支撐的基板W。與此不同，可以將第一外本體341與第一內本體343的橫截面積之比設置為小于第二外本體841與第二內本體843的橫截面積之比。

相互關系可以是外本體341、841和內本體343、843的長度之比。在示例中，第一外本體341與第一內本體343的長度之比和第二外本體841與第二內本體843的長度之比不一定相同，例如，可以不同。在示例中，例如圖34，第一外本體341與第一內本體343的長度之比可以小于第二外本體841與第二內本體843的長度之比。與此不同，第一外本體341與第一內本體343的長度之比可以大于第二外本體841與第二內本體843的長度之比。

相互關系可以是內本體343、843是否突出到外本體341、841的外部。在示例中，如圖35所示，第一內本體343可以不突出到第一外本體341外部，例如，第一內本體343可以置于第一外本體341的內部，而第二內本體843可以突出到第二外本體841的外部。與此不同，第一內本體343可以突出到第一外本體341的外部，而第二內本體843可以置于第二外本體841的內部。根據(jù)一些實施方式，第一內本體343可以置于第一外本體341的內部，并且第二內本體843可以置于第二外本體841的內部。根據(jù)一些實施方式，第一內本體343可以突出到第一外本體341的外部，并且第二內本體843可以突出到第二外本體841的外部。

相互關系可以是外本體341、841與內本體343、843之間的材料的關系。在示例中，相互關系可以包括在第一外本體341和第一內本體343之間提供不同的材料，并在第二外本體841和第二內本體843之間提供相同的材料。在示例中，如圖36所示，第一外本體341和第一內本體343可以具有不同的材料，并且第二外本體841和第二內本體843可以具有不同的材料。在這種情況下，第一外本體341和第二外本體841或第二內本體843可以具有相同或不同的材料。第一內本體343和第二內本體843或第二外本體841可以具有相同或不同的材料。

相互關系可以包括第一外本體341和第二內本體843之間以及第二外本體841和第一內本體343之間的材料的關系。在示例中，第一外本體341和第二內本體843可以具有第一材料或者具有第二材料，而第二外本體841和第一內本體343可以具有第二材料或者具有第一材料。如圖37所示，第一外本體341和第二內本體843可以具有第一材料，而第一內本體343和第二外本體841可以具有第二材料。在這種情況下，用具有高溫的第一處理液處理由第一卡盤銷340支撐的基板W，并且用具有低溫的第二處理液處理由第二卡盤銷840支撐的基板W。第一材料和第二材料中的任何一種材料可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一個更低的導熱性和更好的耐熱性的材料。然而，第二材料可以具有比第一材料更低的導熱性和更好的耐熱性。

與上述不同，第一外本體341和第二內本體843可以具有第二材料，而第一內本體343和第二外本體841可以具有第一材料。

在一些實施方式中，第一卡盤銷340和第二卡盤銷840可以根據(jù)選自材料、長度、橫截面積之比以及內本體是否突出到外本體外部當中的至少兩個而被不同地設置。

如上所述，本發(fā)明可以通過根據(jù)處理液的溫度將卡盤銷設置以雙重材料并且通過設置材料、長度、橫截面積之比以及內本體是否突出到外本體外部的狀態(tài)中的一個或多個因素來提高處理基板W的工藝效率，從而根據(jù)工藝提供具有優(yōu)化的導熱性和耐熱性的卡盤銷。

具體地，本發(fā)明可以通過提供不同材料的卡盤銷來根據(jù)工藝提供具有不同導熱性的卡盤銷。

此外，本發(fā)明可以通過根據(jù)處理液的溫度將支撐銷設置以雙重材料并且通過設置材料、長度、橫截面積之比以及內本體是否突出到外本體外部的狀態(tài)中的一個或多個因素來提高處理基板W的工藝效率，從而根據(jù)工藝提供具有優(yōu)化的導熱性和耐熱性的支撐銷。

前述實施方式是本發(fā)明的示例。此外，上述內容僅示出和描述了優(yōu)選實施方式，而實施方式可以包括各種組合、改變和情形。也就是說，本領域技術人員將理解，在不脫離由所附權利要求及其等價方案限定的范圍、原理和精神的情況下，可以對這些實施方式進行替換，修改和改變。此外，并非意在使本申請的范圍限于這些具體實施方式或其具體特征或有益效果。而是，意在使本申請的范圍僅限于所附權利要求及其等價方案。