技術(shù)特征：

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括：相對設(shè)置的陰極和陽極，以及位于陰極和陽極之間的發(fā)光層，其特征在于，所述陰極靠近發(fā)光層的一側(cè)設(shè)置有緩沖層，所述緩沖層由有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料制成；

所述有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料與有機(jī)材料及無機(jī)材料相容，并且?guī)叮?.1eV,LUMO大于-3.36eV，HOMO＜-5.3eV。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料如下式I所示：

RNH_nAX₃ (I)

其中R為烷基，n為1～3的整數(shù)，A為鉛和錫中的一種或兩種，X為鹵素原子中的一種或兩種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述R為C1～C20的烷基。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料為C₃H₇NH₃SnICl₂、C₄H₉NH₃PbBrCl₂、C₅H₁₁NH₃SnI₂Cl、C₃H₇NH₃SnCl₃或C₆H₁₃NH₃PbIBr₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述陽極與發(fā)光層之間依次設(shè)置空穴注入層和空穴傳輸層；所述發(fā)光層和陰極之間設(shè)置有電子傳輸層，所述陰極與電子傳輸層之間設(shè)置緩沖層。

6.一種有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上制備陽極；

形成發(fā)光層；

制備緩沖層；所述緩沖層由有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料制成；

所述有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料與有機(jī)材料及無機(jī)材料相容，并且?guī)叮?.1eV,LUMO大于-3.36eV，HOMO＜-5.3eV；

制備陰極，得到有機(jī)發(fā)光二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，制備所述緩沖層的方法為：

將化合物RNH_nX與鹵化物在真空中共蒸鍍，經(jīng)退火后晶化完全，得到緩沖層；

其中R為烷基，n為1～3的整數(shù)，X為鹵素原子中的一種或兩種；所述鹵化物為鹵化鉛和/或鹵化錫。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述化合物RNH_nX與鹵化物的質(zhì)量比為1:1～1:3。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述方法具體為：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上制備陽極；

在所述陽極上制備形成空穴注入層；

在所述空穴注入層上制備形成空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上制備發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上制備形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上制備緩沖層；

制備陰極，得到有機(jī)發(fā)光二極管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1～5任意一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管。