技術總結
本發(fā)明公開了一種能改善多孔硅薄膜縱向物理結構均勻性的新方法。該方法是在多孔硅制備完成后，立即將多孔硅薄膜浸入NaOH溶液中進行腐蝕與溶解。一方面，由于在正常的恒電流密度的腐蝕條件下，隨腐蝕深度的增加，多孔硅的多孔度沿縱向方向變大或折射率變小；另一方面，在使用NaOH溶液腐蝕和溶解多孔硅的過程中，在縱向方向上，腐蝕液的反應物向外擴散呈現(xiàn)一定梯度，越靠近多孔硅表面，NaOH溶液濃度越高，相反，離多孔硅表面越遠，NaOH溶液濃度越小（腐蝕反應物越多），導致沿縱向方向上越向下腐蝕與溶解能力越弱。在一定條件下，二者達到動態(tài)平衡，使多孔硅薄膜沿縱向方向其多孔度保持一致性，增強了多孔硅薄膜內表面的縱向物理結構的均勻性，改善了多孔硅薄膜縱向物理結構的均勻性。

技術研發(fā)人員：龍永福
受保護的技術使用者：湖南文理學院
文檔號碼：201610977289
技術研發(fā)日：2016.11.08
技術公布日：2017.03.08