本發(fā)明關于半導體器具的蝕刻模型化(etch modeling)。本發(fā)明特別是應用于在半導體器具中形成通孔。

背景技術：

微影制造方法和光學接近校正(OPC)輪廓無法準確地預測金屬層(Mx)的硬式掩膜輪廓。微影制造方法和OPC輪廓也無法準確地預測通孔層(Vx)的介電蝕刻。因此，很困難準確地預測Mx+1和Vx層(例如，V0、M1、V1、M2、V2、和M3)之間的重迭，特別是對于在先溝槽再通孔(trench first via last)程序中具有自我對準通孔(selfaligned via)的后段制造方法(back-end-of-line)。圖1示意地例示Mx+1和Vx層的背景堆層(background layering)。舉例來說，Vx層101(例如，V0)可形成在接觸層103和Mx+1層105(例如，M1)之間。接著，Vx+1層107(例如，V1)可形成在該Mx+1層105和該Mx+2層109(例如，分別為M1和M2)之間。之后，Vx+2層111(例如，V2)可形成在該Mx+2層109和該Mx+3層113(例如，分別為M2和M3)之間。

目前，在硬式掩膜開口程序(hard mask open process)之后，在該假定溝槽CD 201和該真正溝槽CD 203之間有間隙或偏移，如圖2A中所繪示的。在該假定通孔CD 205和該真正通孔CD 207之間也有間隙或偏移，如圖2B中所繪示的。因此，該連接通孔207和該真正溝槽203的該真正重迭(由該線條209所繪示的)，遠小于該假定通孔205和該假定溝槽201的該假定重迭，如該線條211所繪示的。

因此，有需要存在致能偏移補償的方法論(methodology)，以將金屬和連接通孔層之間的連接區(qū)域予以最大化。

技術實現要素：

本發(fā)明的態(tài)樣是一種方法，其產生Vx層的最終介電蝕刻補償表格和Mx+1層的硬式掩膜蝕刻補償表格，用于OPC程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程。

本發(fā)明的另一態(tài)樣是一種裝置，其產生Vx層的最終介電蝕刻補償表格和Mx+1層的硬式掩膜蝕刻補償表格，用于OPC程序流程或MPC程序流程。

本發(fā)明的額外態(tài)樣和其它特征將在接下來的描述中提出，并且，對于本領域中具有通常技術者而言，在檢驗過下文后，將部分成為明顯，或可從本發(fā)明的的實踐中習得。本發(fā)明的優(yōu)點可如附隨的權利要求所特別指出的而予以了解和獲得。

依據本發(fā)明，一些技術效果可部分由一種方法加以完成，該方法包含：在晶圓上實施重迭圖案分類；依據該圖案分類，校準介電蝕刻偏移或硬式掩膜蝕刻偏移；依據該校準對照標準，將通孔層和上部連接金屬層的頂部臨界尺寸(CD)重迭與該通孔層和下部連接金屬層的底部CD重迭相比較、或將該上部連接金屬層和上部連接通孔層的頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的底部CD重迭相比較；依據該比較，將該通孔層的最終介電蝕刻補償表格或該上部連接金屬層的最終硬式蝕刻補償表格輸出至光學接近校正(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；以及對剩下的該通孔層或該上部金屬層，重復該校準、比較和輸出步驟.

本發(fā)明的態(tài)樣包含：相關于彼此，對照該標準，實施將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、以及該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟。其它態(tài)樣包含：還分別依據預設介電蝕刻補償表格和介電蝕刻偏移三角CD及預設硬式掩膜蝕刻表格和硬式掩膜蝕刻偏移三角CD，校準該介電蝕刻偏移或該硬式掩膜蝕刻偏移。進一步態(tài)樣包含判斷該晶圓上的可用空間是否使得橋接限制沒有違反，如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、或如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭沒有在該標準內。額外的態(tài)樣包含分別輸出該最終介電蝕刻補償表格或該最終硬式掩膜補償表格，如果該通孔層和該頂部CD重迭的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內、如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準內、或如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制有違反。另一個態(tài)樣包含如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭沒有在該標準內、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，調整該介電蝕刻偏移；依據該調整，更新該介電蝕刻偏移三角CD；以及重復將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內為止。

其它態(tài)樣包含如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該下部連接通孔層的該底部CD重迭在該標準內、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，調整該硬式掩膜蝕刻偏移；依據該調整，更新該硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；以及重復將該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該下部連接通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準為止。進一步態(tài)樣包含如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格是輸出至該OPC程序流程，對該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格實施OPC；依據該OPC，產生圖形數據系統輸出(GDSout)文件；以及發(fā)送該GDSout文件至掩膜房，以用于光罩處理。額外態(tài)樣包含如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格是輸出至該MPC程序流程，在OPC后，依據該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格，產生GDSout文件；最終化該產生的GDSout文件；以及發(fā)送該GDSout文件至外部掩膜房或內部掩膜房，以用于光罩處理。

本發(fā)明的另一態(tài)樣是一種裝置，其包含：處理器；以及內存，包含用于一個或多個程序的計算機程序代碼，該內存和該計算機程序代碼組構成以該處理器造成該裝置實施下列，在晶圓上實施重迭圖案分類；依據該圖案分類，校準介電蝕刻偏移或硬式掩膜蝕刻偏移；依據該校準對照標準，將通孔層和上部連接金屬層的頂部臨界尺寸(CD)重迭與該通孔層和下部連接金屬層的底部CD重迭相比較、或將該上部連接金屬層和上部連接通孔層的頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的底部CD重迭相比較；依據該比較，將該通孔層的最終介電蝕刻補償表格或該上部連接金屬層的最終硬式蝕刻補償表格輸出至(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；以及對剩下的該通孔層或該上部金屬層，重復該校準、比較和輸出步驟。

該裝置的態(tài)樣包含該裝置還被造成：相關于彼此，對照該標準，實施將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、以及該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟。其它態(tài)樣包含該裝置被造成：還分別依據預設介電蝕刻補償表格和介電蝕刻偏移三角CD及預設硬式掩膜蝕刻表格和硬式掩膜蝕刻偏移三角CD，校準該介電蝕刻偏移或該硬式掩膜蝕刻偏移。進一步態(tài)樣包含如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、或如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭沒有在該標準內，則該裝置還被造成：判斷該晶圓上的可用空間是否使得橋接限制沒有違反。額外態(tài)樣包含如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內、如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準內、或如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制有違反，則該裝置還被造成：分別輸出該最終介電蝕刻補償表格或該最終硬式掩膜補償表格。另一態(tài)樣包含如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭沒有在該標準內、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，則該裝置還被造成：調整該介電蝕刻偏移；依據該調整，更新該介電蝕刻偏移三角CD；以及重復將該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內為止。

其它態(tài)樣包含如果該金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該金屬層和該下部連接通孔層的該底部CD重迭在該標準內、并且如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制沒有違反，則該裝置還被造成：調整該硬式掩膜蝕刻偏移；依據該調整，更新該硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；以及重復將該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該下部連接通孔層的該底部CD重迭相比較的步驟，直到該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準為止。進一步態(tài)樣如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格被輸出至該OPC程序流程，則該裝置還被造成：對該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格實施OPC；依據該OPC，產生圖形數據系統輸出(GDSout)文件；以及發(fā)送該GDSout文件至掩膜房，以用于光罩處理。額外態(tài)樣包含如果該通孔層的最終介電蝕刻補償表格和該上部連接金屬層的該最終硬式蝕刻補償表格是輸出至該MPC程序流程，則該裝置還被造成：在OPC后，依據該最終介電蝕刻補償表格和該硬式掩膜蝕刻補償表格，產生GDSout文件；最終化該產生的GDSout文件；以及發(fā)送該GDSout文件至外部掩膜房或內部掩膜房，以用于光罩處理。

本發(fā)明的進一步態(tài)樣是一種方法，其包含：在晶圓上實施重迭圖案分類；依據該圖案分類，校準介電蝕刻偏移，該介電蝕刻偏移還依據預設介電蝕刻補償表格和介電蝕刻偏移三角臨界尺寸(CD)；依據該介電蝕刻偏移校準對照標準，將通孔層和上部連接金屬層的頂部CD重迭與該通孔層和下部連接金屬層的底部CD重迭相比較；依據該通孔層比較，調整該介電蝕刻偏移；依據該介電蝕刻偏移調整，更新該介電蝕刻偏移三角CD；重復與該通孔層相關的該比較、調整和更新步驟，直到該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭在該標準內為止；依據該通孔層比較，輸出該通孔層的最終介電蝕刻補償表格至光學接近校正(OPC)程序流程或掩膜程序校正(MPC)程序流程；依據該圖案分類，校準硬式掩膜蝕刻偏移，該硬式掩膜蝕刻偏移還依據預設硬式掩膜蝕刻表格和硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；依據該硬式掩膜蝕刻偏移校準對照該標準，將該上部連接金屬層和上部連接通孔層的頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的底部CD重迭相比較；依據該上部連接金屬層比較，調整該硬式掩膜蝕刻偏移；依據該硬式掩膜蝕刻偏移調整，更新該硬式掩膜蝕刻偏移三角CD；重復與該上部連接金屬層相關的該比較、調整和更新步驟，直到該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭在該標準內為止；以及依據該金屬層比較，輸出該上部連接金屬層的最終硬式蝕刻補償表格至OPC程序流程或MPC程序流程。

本發(fā)明的態(tài)樣包含如果該通孔層和該上部連接金屬層的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層的該底部CD重迭、或如果該上部連接金屬層和該上部連接通孔層的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的該底部CD重迭不在該標準內，在分別調整該介電蝕刻偏移及/或該硬式掩膜蝕刻偏移前，判斷該晶圓上的可用空間是否使得橋接限制沒有違反；以及如果該晶圓上的該可用空間使得該橋接限制有違反，則分別輸出該最終介電蝕刻補償表格或該最終硬式掩膜補償表格。

從接下來的詳細描述，本發(fā)明的額外態(tài)樣和技術效果對于本領域的熟習技術者而言，將變得明顯，其中，本發(fā)明的實施例僅通過設想用來實踐本發(fā)明的最佳模式的例示，來加以描述。將了解到，本發(fā)明可有不同的實施例，并且，其數個細節(jié)也可在各種顯而易知方法加以修飾，均不會背離本發(fā)明。因此，圖式和描述在本質上應視為例示、而非限制。

附圖說明

本發(fā)明是通過伴隨的圖式的附圖中的范例、而非限制，來加以例示，在圖式中，相同的參考編號是指類似的組件，并且，其中，

圖1示意地例示Mx+1和Vx層的背景堆層；

圖2A示意地例示Mx層的背景硬式掩膜蝕刻偏移；

圖2B示意地例示Vx層的背景介電蝕刻偏移及Vx層和Mx+1層的假定重迭和真正重迭的比較；

圖3依據范例實施例示意地例示OPC程序流程，其包含通孔層(例如，Vx)和上部連接金屬層(例如，Mx+1)的硬式掩膜蝕刻偏移、介電蝕刻偏移、以及重迭核對表格；

圖4A和4B依據范例實施例示意地例示分別對該介電蝕刻偏移和該硬式掩膜蝕刻偏移的范例調整；以及

圖5依據范例實施例示意地例示MPC程序流程，其包含通孔層(例如，Vx)和上部連接金屬層(例如，Mx+1)的硬式掩膜蝕刻偏移、介電蝕刻偏移、以及重迭核對表格，用于通過第三方掩膜房或機構內掩膜房的光罩處理。

具體實施方式

在接下來的描述中，為了解釋的目的，提出多個特定細節(jié)，以為了提供范例實施例的徹底了解。然而，應該很明顯，范例實施例沒有這些特定細節(jié)、或以均等配置，也可實踐。在其它例子中，公知的結構和器具是顯示在方塊圖中，以為了避免不必要地模糊范例實施例。此外，除非另外指明，否則在說明書和權利要求中所使用的成分、反應條件等的表示數量、比例和數值性質的所有數字，均應了解可在所有例子中通過“大約”這個用語加以修飾。

本發(fā)明針對和解決目前問題，亦即在半導體器具中形成通孔時無法準確地預測通孔層(例如，Vx)與上部連接金屬層(例如，Mx+1)之間的重迭。

依據本發(fā)明的實施例的方法論包含在晶圓上實施重迭圖案分類。介電蝕刻偏移或硬式掩膜蝕刻偏移是依據該圖案分類予以校準。依據該校準對照標準，將通孔層和上部連接金屬層的頂部CD重迭與該通孔層和下部連接金屬層的底部CD重迭、或將該上部連接金屬層和上部連接通孔層的頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該通孔層的底部CD重迭相比較。依據該比較，該通孔層的最終介電蝕刻補償表格或該上部連接金屬層的最終硬式蝕刻補償表格，被輸出至OPC程序流程或MPC程序流程，并且對該剩余的通孔層或該上部連接金屬層，重復該校準、比較和輸出步驟。

從接下來的詳細描述，其它態(tài)樣、特征和技術效果對于本領域的熟習技術者而言，將變得明顯，其中，較佳實施例僅通過設想到的最佳模式加以顯示和描述。該揭露可有其它不同的實施例，并且其數個細節(jié)可在不同的顯示易知方面加以修飾。因此，圖式和描述在本質上應視為例示、而非限制。

圖3依據范例實施例繪示OPC程序流程，其包含通孔層(例如，Vx)和上部連接金屬層(例如，Mx+1)的硬式掩膜蝕刻偏移、介電蝕刻偏移、及重迭核對表格。在步驟301中，在晶圓上實施重迭圖案分類。舉例來說，該圖案可相關于Mx+1或Vx層，例如，V0、M1、V1、M2、V2、或M3。在步驟303中，判斷該圖案是對應于上部連接金屬(例如，Mx+1)或連接通孔(Vx)層。如果該圖案對應于Vx層(例如，V1)，則在步驟305中，介電蝕刻偏移可依據預設介電蝕刻補償表格(蝕刻偏移)，而初始地或粗略地校準。在步驟307中，該介電蝕刻偏移可接著依據介電蝕刻偏移三角CD微調(fine-tuned)。

在步驟309中，該通孔層(例如，V1)和上部連接金屬層(例如，M2)的頂部CD重迭與該通孔層和下部連接金屬層(例如，M1)的底部CD重迭，如在步驟305和307中所校準的，對照標準而相比較，以判定該通孔層的該頂部CD重迭和該底部CD重迭是否在該標準內。如果該頂部CD重迭和該底部CD重迭不在該標準內，則與所假定的相比較小重迭將可能在該通孔層(例如，V1)與該上部連接金屬層(例如，Mx+2)之間產生，其可造成更多聚合物(例如，碳鈦氟化物(carbon titanium fluorine(CxTiFy)))被噴濺在通孔底部，造成該通孔具有較高深寬比(aspect ratio)。高深寬比可使它更難以抽出(pump out)副產物，以清空該通孔，以備后續(xù)電性連接。對照之下，如果該頂部CD重迭和該底部CD重迭在該標準內，則可在該通孔層(例如，V1)與該上部連接金屬層(例如，Mx+2)之間產生較大重迭，其可造成較少聚合物(例如，CxTiFy)，被噴濺至通孔底部，造成通孔具有較低深寬比，其接著會使它容易抽出副產物，以清空該通孔，以備后續(xù)電性連接。

在步驟311中，如果該Vx層(例如，V1)的該頂部CD重迭和該底部CD重迭在該標準內，則該Vx層的最終介電蝕刻補償表格(蝕刻偏移)可產生、并輸出至OPC程序流程。在步驟313中，如果該頂部CD重迭該底部CD重迭不在該標準內，則該晶圓可被檢驗，以判定該晶圓上是有可用空間(例如，用來調整該介電蝕刻偏移)、以及判定任何這種可用空間是否大于橋接限制。如果沒有可用空間或該可用空間使得該橋接限制有違反，則該Vx層(例如，V1)的最終介電蝕刻補償表格(蝕刻偏移)可產生、并在步驟311中輸出至OPC程序流程。

舉例來說，轉至圖4A，對照該標準，將通孔403和該上部連接金屬層405的該頂部CD重迭401與該通孔403和該下部連接金屬層407的該底部CD重迭相比較。在此范例中，該頂部CD重迭401經判定不在該標準內。在步驟315中，如果有可用空間，并且該空間使得該橋接限制沒有違反，則該介電蝕刻偏移可加以調整。舉例來說，可通過移動或偏移該通孔層(例如，V1)，如箭頭409所繪示的，或通過放大該通孔層的該通孔，如虛線圓圈411所繪示的，來調整該介電蝕刻偏移。在此范例中，有可用空間在該偏移的通孔403和該通孔413之間，如該箭頭415所繪示的，并且該可用空間經判定使得該橋接限制沒有違反。在調整該介電蝕刻偏移時，必須一并考慮通過該通孔層(例如，V1)連接金屬層(例如，M1和M2)。

一旦該介電蝕刻偏移在在步驟315被調整，步驟307的該介電蝕刻偏移三角CD可予以更新，該比較步驟309可予以重復，直到該通孔層(例如，V1)和該上部連接金屬層(例如，M2)的該頂部CD重迭與該通孔層和該下部連接金屬層(例如，M1)的該底部CD重迭在該標準內為止。一旦該頂部CD重迭和該底部CD重迭在該標準內，則該Vx層(例如，V1)的最終介電蝕刻補償表格(蝕刻偏移)可產生、并輸出至OPC程序流程在步驟311。由于Mx和連接Vx層之間的關系、晶圓經常費用(waferoverhead)、及/或器具相關設計規(guī)則，該Mx和連接Vx層彼此相關調整，如通過步驟317的“握手”(handshaking)所繪示的。因此，雖然該通孔層的該介電蝕刻偏移在該程序流程的此階段可適當地校準，但OPC程序還沒開始運行。

在步驟319中，硬式掩膜蝕刻偏移可依據預設硬式掩膜蝕刻表格(蝕刻偏移)，而初始地或粗略地校準。在步驟321中，該硬式掩膜偏移可接著依據硬式掩膜蝕刻偏移三角CD，而加以微調。在步驟323中，對照標準，將該上部連接金屬層(例如，M2)和上部連接通孔層(例如，V2)的頂部CD重迭與該上部連接金屬層(例如，M2)和下部連接通孔層(例如，V1)的底部CD重迭相比較，如步驟319和321中所校準的，以判定該頂部CD重迭和該底部CD重迭是否在該標準。如果該Mx+1層的該頂部CD重迭和該底部CD重迭不在該標準內，則與所假定的相比較小的重迭將有可能在該Vx、Mx+1、和Vx+1層(例如，分別為V1、M2、和V2)之間產生，以最小化該通孔與該連接金屬層之間的該連接區(qū)域。

在步驟325中，如果對應于Mx+1層(例如，M2)的該頂部CD重迭和該底部CD重迭在該標準內，則該Mx+1層的最終硬式蝕刻補償表格(蝕刻偏移)可產生、并輸出至該OPC程序流程。在步驟327中，如果該頂部CD重迭和該底部CD重迭不在該標準內，則該晶圓可予以檢驗，以判定該晶圓上是否有可用空間，例如，用來調整該硬式掩膜蝕刻偏移，并且判定任何這種可用空間是否大于橋接限制。如果沒有可用空間或該可用空間使得該橋接限制有違反，則該Mx+1層(例如，M2)的最終硬式蝕刻補償表格(蝕刻偏移)產生、并且在在步驟325中輸出至該OPC程序流程。

舉例來說，轉至圖4B，對照該標準，將該上部連接金屬層405(例如，M2)和上部連接通孔層417(例如，V2)的頂部CD重迭與該上部連接金屬層405(例如，M2)和下部連接通孔層(為了例示方便，故沒有顯示)(例如，V1)相比較，如步驟319和321中所校準的。在此范例中，該頂部CD重迭419經判定不在該標準內。在步驟327中，如果有可用空間，并且該空間使得該橋接限制沒有違反，則可調整該硬式掩膜蝕刻偏移。對比于該介電蝕刻偏移，該硬式掩膜蝕刻偏移可僅通過放大該層(如該箭頭421所繪示的)、而沒有通過偏移該層，來加以調整。在此范例中，有可用空間在該放大的上部連接金屬層405’和該上部連接金屬層423之間，如箭頭425所繪示的，并且該可用空間經判定使得該橋接限制沒有違反。在調整該硬式掩膜蝕刻偏移時，必須一并考慮該連接Vx層(例如，V1和V2)。一旦該硬式掩膜偏移在步驟327中調整，步驟321的該硬式掩膜偏移三角CD可予以更新，并且該比較步驟323可予以重復，直到該上部連接金屬層(例如，M2)和該上部連接通孔層(例如，V2)的該頂部CD重迭與該上部連接金屬層和該下部連接通孔層(例如，V1)的底部CD重迭在該標準內為止。一旦該Mx+1層(例如，M2)的該頂部CD重迭和該底部CD重迭在該標準內，則該Mx+1層(例如，M2)的最終硬式蝕刻補償表格(蝕刻偏移)可產生、并在步驟325中輸出至該OPC程序流程。

在步驟331中，Mx和Vx層布局及/或原圖(artwork)文件可進入GDS系統，以在步驟333中形成GDS輸入(GDSin)文件。在步驟335中，該GDSin文件可致能隔離和巢狀圖案(isolation and nested patterns)的全局(global)偏離(或目標再描準)。在步驟337中，可產生輔助特征和仿真圖案(基于規(guī)則的)。在步驟339中，輸入器具和災變表格數據可進入該OPC程序流程。在步驟341中，使用該Vx層(例如，V1)的步驟311的該最終介電蝕刻補償表格和該Mx+1層(例如，M2)的步驟325的該最終硬式蝕刻補償表格，運行該OPC程序使用。一旦步驟341的該OPC完成，該GDSout文件可在步驟343中產生，并且在步驟345中發(fā)送至掩膜房，用于光罩處理。方塊345外的步驟331至343在本領域為已知的。

圖5繪示的MPC程序流程，其包含Vx和Mx+1層的硬式掩膜蝕刻偏移、介電蝕刻偏移、和重迭核對表格，用于通過第三方掩膜房(third-party mask house)或機構內掩膜房(in-house mask house)的光罩處理。圖3的步驟301至325在圖5中重復。然而，在步驟501中GDSout文件(在OPC后)是依據該Vx層(例如，V1)的步驟311的該最終蝕刻補償表格和該Mx+1層(例如，M2)的步驟325的該最終硬式蝕刻補償表格而產生。步驟501的該產生的GDSout文件可接著在步驟503予以最終化或拋光，并且在步驟505被發(fā)送至外部或第三方掩膜房、或內部或機構內掩膜房，用于光罩處理。方塊507外的步驟503和505在本領域為已知。

本發(fā)明的實施例可達成數個技術效果，包含重迭圖案分類，以產生最大化通孔與連接金屬層之間的該連接區(qū)域所需的該偏移補償；輸出最終介電蝕刻補償表格至OPC或MPC程序流程；以及增加通孔與連接金屬層之間的重迭。本發(fā)明的實施例可在各種工業(yè)應用中利用，舉例來說，微處理器、智能電話、移動電話、峰巢式話機、機頂盒、DVD記錄器和播放器、游戲系統、和數字相機。本發(fā)明因此可在任何類型的包含通孔的高度集積化半導體器享有工業(yè)應用。

在先前的描述中，本發(fā)明是參照其特定的范例實施例加以描述。然而，將會很明顯的，可作出各種修飾和變化，而不致于背離如本發(fā)明在權利要求中所提出的較廣精神和范圍。因此，說明書和圖式應視為例示、而為限制?？闪私獾?，本發(fā)明可使用各種其它組合和實施例，并且可在此處所表明的本發(fā)明概念的范圍內有任何變化或修飾。