技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及硬掩膜蝕刻和介電蝕刻與通孔和金屬層的介電蝕刻察覺(jué)重迭，提供方法和裝置，其產(chǎn)生最終介電蝕刻補(bǔ)償表格和最終硬式蝕刻補(bǔ)償表格，用于OPC或MPC程序流程。實(shí)施例包含：在晶圓上實(shí)施重迭圖案分類；依據(jù)該圖案分類，校準(zhǔn)介電蝕刻偏移或硬式掩膜蝕刻偏移；對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)，將通孔層和金屬層的CD重迭與該通孔層和下部連接金屬層的CD重迭、或?qū)⒃摻饘賹雍蜕喜窟B接通孔層的CD重迭與該金屬層和該通孔層的CD重迭相比較；輸出最終介電蝕刻補(bǔ)償和硬式掩膜蝕刻補(bǔ)償表格至OPC或程序流程；以及對(duì)剩下的該通孔層或金屬層重復(fù)該校準(zhǔn)、比較和輸出步驟。

技術(shù)研發(fā)人員：寧國(guó)祥;任玉平;D·帕沃爾;L·史奧克恩;林振忠;保羅·W·阿克曼;胡項(xiàng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
文檔號(hào)碼：201610797046
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2017.03.08